公开(公告)号：TW201630159A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104138324

申请日：2015-11-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 理查肯尼斯奧克蘭 ,  RICHARD KENNETH OXLAND

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823885 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明揭露一種堆疊的互補式電晶體。使用選擇性沉積技術來形成一個直立柱體，下部包含一半導體的類型(例如鍺)，上部包含另一種類型的半導體(例如砷化銦)。垂直柱體下部提供一類型電晶體的通道區，上部提供另一類型電晶體的通道區。這提供一種佔據最小積體電路表面積的互補對。這種互補式電晶體可以使用於各種電路圖。以上敘述為互補式電晶體，下方電晶體為p型電晶體，上方電晶體為n型電晶體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种堆栈的互补式晶体管。使用选择性沉积技术来形成一个直立柱体，下部包含一半导体的类型(例如锗)，上部包含另一种类型的半导体(例如砷化铟)。垂直柱体下部提供一类型晶体管的信道区，上部提供另一类型晶体管的信道区。这提供一种占据最小集成电路表面积的互补对。这种互补式晶体管可以使用于各种电路图。以上叙述为互补式晶体管，下方晶体管为p型晶体管，上方晶体管为n型晶体管。

公开(公告)号：TWI584449B

公开(公告)日：2017-05-21

申请号：TW104138324

申请日：2015-11-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 理查肯尼斯奧克蘭 ,  RICHARD KENNETH OXLAND

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823885 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696