公开(公告)号：TWI599047B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW105135536

申请日：2014-01-15

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  宋承宏 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  卡琴恩 潔西卡 ,  KACHIAN, JESSICA S. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  陳漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201714308A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105107619

申请日：2016-03-11

Applicant: 上海新昇半導體科技有限公司 ,  ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION

Inventor： 肖德元 ,  XIAO, DEYUAN ,  張 汝京 ,  CHANG, RICHARD R.

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8252

CPC classification number: H01L29/775 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/42388

Abstract: 本發明提供一種場效電晶體及其製備方法，場效電晶體包括：半導體基板；位於所述半導體基板中的鍺奈米線；包圍在鍺奈米線四周的第一III-V化合物層；依次包圍在部分所述第一III-V化合物層四周的勢障層、閘介電層和閘電極；以及位於所述第一III-V化合物層上，並分別位於所述閘電極兩側的源極區和汲區。本發明，勢障層的禁帶寬度大於第一III-V化合物層的禁帶寬度，並且，勢障層和第一III-V化合物層的能帶彎曲不同，使得在第一III-V化合物層靠近勢障層的介面處形成二維電子氣，二維電子氣遷移率較高，從而場效電晶體具有更好的電學性能。此外，場效電晶體為閘極完全包圍的元件，提高場效電晶體的電學性能。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种场效应管及其制备方法，场效应管包括：半导体基板；位于所述半导体基板中的锗奈米线；包围在锗奈米线四周的第一III-V化合物层；依次包围在部分所述第一III-V化合物层四周的势障层、闸介电层和闸电极；以及位于所述第一III-V化合物层上，并分别位于所述闸电极两侧的源极区和汲区。本发明，势障层的禁带宽度大于第一III-V化合物层的禁带宽度，并且，势障层和第一III-V化合物层的能带弯曲不同，使得在第一III-V化合物层靠近势障层的界面处形成二维电子气，二维电子气迁移率较高，从而场效应管具有更好的电学性能。此外，场效应管为闸极完全包围的组件，提高场效应管的电学性能。

公开(公告)号：TW201712873A

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW105115538

申请日：2016-05-19

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  雷奧洛比 納迪亞 ,  RAHHAL-ORABI, NADIA ,  珈納 薩納斯 ,  GARDNER, SANAZ K.

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

Abstract: 結晶異質結構包括延伸自基板之上的子鰭結構之升高的鰭結構。諸如III-V電晶體的裝置可形成在增高的鰭結構上而矽基裝置(例如，電晶體)可形成在該矽基板的其它區。侷限於鰭結構的電晶體通道區之子鰭隔離材料可減少穿過子鰭的源極對汲極洩漏，改善鰭結構的源極與汲極端之間的電絕緣。異質磊晶地形成鰭結構之後，該子鰭的一部份可橫向地蝕刻以基蝕該鰭。該基蝕係以子鰭隔離材料回填。閘極堆疊係形成在該鰭之上。該子鰭隔離材料的形成可整合入自校準的閘極堆疊更換過程。

Abstract in simplified Chinese: 结晶异质结构包括延伸自基板之上的子鳍结构之升高的鳍结构。诸如III-V晶体管的设备可形成在增高的鳍结构上而硅基设备(例如，晶体管)可形成在该硅基板的其它区。局限于鳍结构的晶体管信道区之子鳍隔离材料可减少穿过子鳍的源极对汲极泄漏，改善鳍结构的源极与汲极端之间的电绝缘。异质磊晶地形成鳍结构之后，该子鳍的一部份可横向地蚀刻以基蚀该鳍。该基蚀系以子鳍隔离材料回填。闸极堆栈系形成在该鳍之上。该子鳍隔离材料的形成可集成入自校准的闸极堆栈更换过程。

公开(公告)号：TWI553743B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW102128944

申请日：2013-08-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 多恩柏斯 嘉本 ,  DOORNBOS, GERBEN ,  奧克蘭 理查 肯尼士 ,  OXLAND, RICHARD KENNETH

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/182 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/78681

公开(公告)号：TW201635520A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104138763

申请日：2015-11-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 雅利安阿弗薩藍 ,  ARYAN AFZALIAN ,  布萊戴恩杜瑞茲 ,  BLANDINE DURIEZ ,  馬克范達爾 ,  MARK VAN DAL

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/0676 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置及其形成方法。其半導體裝置包含基板，基板上包含第一源極/汲極構件及第二源極/汲極構件，半導體裝置進一步包含第一奈米線於第一源極/汲極構件上及第二奈米線於第二第一源極/汲極構件上，其第一奈米線從第一源極/汲極構件之上表面垂直延伸而其第二奈米線從第二源極/汲極構件之上表面垂直延伸，半導體裝置進一步包含第三奈米線從第一奈米線上端延伸至第二奈米線上端，其中第一奈米線、第二奈米線及第三奈米線間形成一通道。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备及其形成方法。其半导体设备包含基板，基板上包含第一源极/汲极构件及第二源极/汲极构件，半导体设备进一步包含第一奈米线于第一源极/汲极构件上及第二奈米线于第二第一源极/汲极构件上，其第一奈米线从第一源极/汲极构件之上表面垂直延伸而其第二奈米线从第二源极/汲极构件之上表面垂直延伸，半导体设备进一步包含第三奈米线从第一奈米在线端延伸至第二奈米在线端，其中第一奈米线、第二奈米线及第三奈米线间形成一信道。

公开(公告)号：TW201631776A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW105116113

申请日：2013-09-10

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  陳漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  克蘭德寧 史考特 ,  CLENDENNING, SCOTT B. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/66803 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/2233 ,  H01L21/228 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

Abstract: 具有非平面電晶體通道區域之III-V族半導體表面的高K值(high-k)閘極介電質介面係以氮進行非向性摻雜。在奈米線的實施例中，在透過曝露該閘極介電質到氮的液體、蒸汽、氣態、電漿或固態源的保形閘極電極沈積之前或同時，施行非向性氮摻雜高k值閘極介電質介面。在實施例中，閘極電極金屬在閘極介電質之上保形的沈積並且施行退火以在沿著該非平面III-V半導體介面的閘極介電質內均勻的堆積氮。

Abstract in simplified Chinese: 具有非平面晶体管信道区域之III-V族半导体表面的高K值(high-k)闸极介电质界面系以氮进行非向性掺杂。在奈米线的实施例中，在透过曝露该闸极介电质到氮的液体、蒸汽、气态、等离子或固态源的保形闸极电极沉积之前或同时，施行非向性氮掺杂高k值闸极介电质界面。在实施例中，闸极电极金属在闸极介电质之上保形的沉积并且施行退火以在沿着该非平面III-V半导体界面的闸极介电质内均匀的堆积氮。

公开(公告)号：TW201631771A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104140635

申请日：2015-12-04

Applicant: 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： 哦拉都比 玻那 J. ,  OBRADOVIC, BORNA J. ,  保文 羅伯特 C. ,  BOWEN, ROBERT C. ,  羅德爾 麥克 S. ,  RODDER, MARK S. ,  海雀 萊恩 M. ,  HATCHER, RYAN M.

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/0676 ,  B82B3/0014 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/16 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 一種裝置可包含奈米片場效電晶體（FET），奈米片場效電晶體可包含基板、在基板的表面處摻雜有雜質的井、包含多個堆疊奈米片的通道、閘極、傳導性材料以及隔離層。多個堆疊奈米片中的堆疊奈米片可包含半導體材料，半導體材料可摻雜有與井的雜質相同的傳導性類型的雜質。傳導性材料可相鄰於多個奈米片，且可將多個奈米片中的奈米片電連接至井。隔離層可電絕緣井與功函數金屬。

Abstract in simplified Chinese: 一种设备可包含奈米片场效应管（FET），奈米片场效应管可包含基板、在基板的表面处掺杂有杂质的井、包含多个堆栈奈米片的信道、闸极、传导性材料以及隔离层。多个堆栈奈米片中的堆栈奈米片可包含半导体材料，半导体材料可掺杂有与井的杂质相同的传导性类型的杂质。传导性材料可相邻于多个奈米片，且可将多个奈米片中的奈米片电连接至井。隔离层可电绝缘井与功函数金属。

公开(公告)号：TW201630159A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104138324

申请日：2015-11-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 理查肯尼斯奧克蘭 ,  RICHARD KENNETH OXLAND

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823885 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明揭露一種堆疊的互補式電晶體。使用選擇性沉積技術來形成一個直立柱體，下部包含一半導體的類型(例如鍺)，上部包含另一種類型的半導體(例如砷化銦)。垂直柱體下部提供一類型電晶體的通道區，上部提供另一類型電晶體的通道區。這提供一種佔據最小積體電路表面積的互補對。這種互補式電晶體可以使用於各種電路圖。以上敘述為互補式電晶體，下方電晶體為p型電晶體，上方電晶體為n型電晶體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种堆栈的互补式晶体管。使用选择性沉积技术来形成一个直立柱体，下部包含一半导体的类型(例如锗)，上部包含另一种类型的半导体(例如砷化铟)。垂直柱体下部提供一类型晶体管的信道区，上部提供另一类型晶体管的信道区。这提供一种占据最小集成电路表面积的互补对。这种互补式晶体管可以使用于各种电路图。以上叙述为互补式晶体管，下方晶体管为p型晶体管，上方晶体管为n型晶体管。

公开(公告)号：TW201624715A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104127162

申请日：2015-08-20

Applicant: 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

Inventor： 羅伊斯 瑞菲爾 ,  RIOS, RAFAEL ,  坎恩 克萊恩 ,  KUHN, KELIN J. ,  金世淵 ,  KIM, SEIYON ,  韋伯 賈斯汀 ,  WEBER, JUSTIN R.

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66439 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/122 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L49/00

Abstract: 本發明的實施例包括金屬氧化物金屬場效電晶體(MOMFET)和製作此種裝置的方法。於實施例中，MOMFET裝置包括源極和汲極，而具有配置在源極和汲極之間的通道。根據實施例，通道具有在通道中產生量子侷限效應的至少一侷限維度。於實施例中，MOMFET裝置也包括閘極電極，其藉由閘極介電質而與通道分開。根據實施例，通道的能帶間隙能量可以藉由改變通道的尺寸、用於通道的材料和/或施加於通道的表面終端而調變。實施例也包括藉由控制源極和汲極相對於通道之傳導帶和共價帶能量的功函數而形成N型裝置和P型裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的实施例包括金属氧化物金属场效应管(MOMFET)和制作此种设备的方法。于实施例中，MOMFET设备包括源极和汲极，而具有配置在源极和汲极之间的信道。根据实施例，信道具有在信道中产生量子局限效应的至少一局限维度。于实施例中，MOMFET设备也包括闸极电极，其借由闸极介电质而与信道分开。根据实施例，信道的能带间隙能量可以借由改变信道的尺寸、用于信道的材料和/或施加于信道的表面终端而调制。实施例也包括借由控制源极和汲极相对于信道之传导带和共价带能量的功函数而形成N型设备和P型设备。

公开(公告)号：TWI539580B

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：TW103143535

申请日：2014-12-12

Applicant: 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 卡達 卡摩M ,  KARDA, KAMAL M. ,  毛利 錢德拉V ,  MOULI, CHANDRA ,  珊得胡 高提傑S ,  SANDHU, GURTEJ S.

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L27/2454 ,  H01L21/02568 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7926 ,  H01L45/065 ,  H01L45/141 ,  H01L45/16