公开(公告)号：TWI451545B

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：TW099114442

申请日：2010-05-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡豪益 ,  TSAI, HAOYI ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIENWEI ,  劉豫文 ,  LIU, YUWEN ,  陳英儒 ,  CHEN, YINGJU ,  魏修平 ,  WEI, HSIUPING

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/48 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/0509 ,  H01L2224/05092 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI449139B

公开(公告)日：2014-08-11

申请号：TW099132755

申请日：2010-09-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉醇鴻 ,  LIU, TZUAN HORNG ,  侯上勇 ,  HOU, SHANG YUN ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN PUU ,  吳偉誠 ,  WU, WEI CHENG ,  魏修平 ,  WEI, HSIU PING ,  陳志華 ,  CHEN, CHIH HUA ,  郭正錚 ,  KUO, CHEN CHENG ,  陳承先 ,  CHEN, CHEN SHIEN ,  曾明鴻 ,  TSENG, MING HUNG

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201041108A

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：TW099114442

申请日：2010-05-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  陳憲偉 ,  劉豫文 ,  陳英儒 ,  魏修平

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/48 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/0509 ,  H01L2224/05092 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一實施例係一種凸塊墊結構。此凸塊墊結構包含:一基材,此基材包含上層;一强化墊位於此上層上;一中間層位於上層之上方;一中間連接墊位於中間層上;一外層位於中間層之上方;以及一凸塊底層金屬(UBM)經由外層中之開口連接至中間連接墊。另外之實施例可包含一介層窗物理性耦合中間連接墊至强化墊。介層窗可包含一特徵,此特徵選自於由實心介層窗、實質環狀介層窗與5�5之陣列介層窗。另外,又一實施例可包含第二强化墊、以及第二介層窗物理性耦合强化墊至第二强化墊。

Abstract in simplified Chinese: 一实施例系一种凸块垫结构。此凸块垫结构包含:一基材,此基材包含上层;一强化垫位于此上层上;一中间层位于上层之上方;一中间连接垫位于中间层上;一外层位于中间层之上方;以及一凸块底层金属(UBM)经由外层中之开口连接至中间连接垫。另外之实施例可包含一介层窗物理性耦合中间连接垫至强化垫。介层窗可包含一特征,此特征选自于由实心介层窗、实质环状介层窗与5�5之数组介层窗。另外,又一实施例可包含第二强化垫、以及第二介层窗物理性耦合强化垫至第二强化垫。

公开(公告)号：TW201133747A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW099132755

申请日：2010-09-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 劉醇鴻 ,  侯上勇 ,  鄭心圃 ,  吳偉誠 ,  魏修平 ,  陳志華 ,  郭正錚 ,  陳承先 ,  曾明鴻

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供積體電路結構,包括半導體晶片,金屬墊在半導體晶片的主要表面上,以及凸塊下金屬層在金屬墊之上與金屬墊接觸,金屬凸塊形成於凸塊下金屬層之上與凸塊下金屬層電性連接,偽圖案形成在與金屬墊相同的水平面上,且由與金屬墊相同的金屬材料形成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供集成电路结构,包括半导体芯片,金属垫在半导体芯片的主要表面上,以及凸块下金属层在金属垫之上与金属垫接触,金属凸块形成于凸块下金属层之上与凸块下金属层电性连接,伪图案形成在与金属垫相同的水平面上,且由与金属垫相同的金属材料形成。