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公开(公告)号：TWI503939B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW101117976
申请日：2012-05-21
发明人： 陳志華 , CHEN, CHIH HUA
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/13014 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/16013 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2924/01322 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201342557A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102112804
申请日：2013-04-11
发明人： 胡延章 , HU, YEN CHANG , 蕭景文 , HSIAO, CHING WEN , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/50 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/11002 , H01L2224/11003 , H01L2224/1134 , H01L2224/12105 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/73267 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y02P80/30 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/81805
摘要： 本發明是提供方法及裝置，適用於具有栓狀凸塊貫穿導孔內連線的封裝層疊結構。此封裝結構包含：內連線層，具有複數個貫穿導孔組件，每個貫穿導孔組件具有形成於導體墊上的至少一栓狀凸塊；囊封物，圍繞貫穿導孔組件；第一重分布層，形成於囊封物的表面上並連接貫穿導孔組件、承載連接器；第二重分布層在貫穿導孔組件的另一端之內連線層上，其垂直延伸而穿過內連線層。一實施例中，內連線層使用連接器而安裝於下封裝基板而形成封裝堆疊結構。第一積體電路裝置可安裝在內連線層的第二重分布層上。以上揭露內連線層與封裝堆疊結構的形成方法。
简体摘要： 本发明是提供方法及设备，适用于具有栓状凸块贯穿导孔内连接的封装层叠结构。此封装结构包含：内连接层，具有复数个贯穿导孔组件，每个贯穿导孔组件具有形成于导体垫上的至少一栓状凸块；囊封物，围绕贯穿导孔组件；第一重分布层，形成于囊封物的表面上并连接贯穿导孔组件、承载连接器；第二重分布层在贯穿导孔组件的另一端之内连接层上，其垂直延伸而穿过内连接层。一实施例中，内连接层使用连接器而安装于下封装基板而形成封装堆栈结构。第一集成电路设备可安装在内连接层的第二重分布层上。以上揭露内连接层与封装堆栈结构的形成方法。
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公开(公告)号：TWI543310B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW102136459
申请日：2013-10-09
发明人： 陳旭賢 , CHEN, HSU HSIEN , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 葉恩祥 , YEH, EN HSIANG , 呂孟昇 , LIU, MONSEN , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68372 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2224/82 , H01L2224/81 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201807761A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105138222
申请日：2016-11-22
发明人： 鄭余任 , CHENG, YU JEN , 黃育智 , HUANG, YU CHIH , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 陳玉芬 , CHEN, YU FENG , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/56 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/18161 , H01L2224/83
摘要： 本揭露之實施例提供封裝結構及其形成方法，此方法包含提供第一積體電路晶粒並形成重佈線結構於第一積體電路晶粒上方，形成基底層於重佈線結構上方，基底層具有複數個第一開口和複數個第二開口，且第一開口寬於第二開口，形成複數個第一凸塊於重佈線結構上方，第一凸塊具有下部填入第一開口中。此外，此方法包含透過具有下部填入第二開口中的複數個第二凸塊將第二積體電路晶粒接合至重佈線結構，在第二積體電路晶粒與基底層之間有一空間。此方法也包含形成模塑化合物層於基底層上方，模塑化合物層填入此空間中並圍繞第一凸塊和第二凸塊。
简体摘要： 本揭露之实施例提供封装结构及其形成方法，此方法包含提供第一集成电路晶粒并形成重布线结构于第一集成电路晶粒上方，形成基底层于重布线结构上方，基底层具有复数个第一开口和复数个第二开口，且第一开口宽于第二开口，形成复数个第一凸块于重布线结构上方，第一凸块具有下部填入第一开口中。此外，此方法包含透过具有下部填入第二开口中的复数个第二凸块将第二集成电路晶粒接合至重布线结构，在第二集成电路晶粒与基底层之间有一空间。此方法也包含形成模塑化合物层于基底层上方，模塑化合物层填入此空间中并围绕第一凸块和第二凸块。
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公开(公告)号：TWI449139B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW099132755
申请日：2010-09-28
发明人： 劉醇鴻 , LIU, TZUAN HORNG , 侯上勇 , HOU, SHANG YUN , 鄭心圃 , JENG, SHIN PUU , 吳偉誠 , WU, WEI CHENG , 魏修平 , WEI, HSIU PING , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 郭正錚 , KUO, CHEN CHENG , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN , 曾明鴻 , TSENG, MING HUNG
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L23/585 , H01L23/552 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05012 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1147 , H01L2224/11912 , H01L2224/13147 , H01L2224/13655 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201415604A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102132924
申请日：2013-09-12
发明人： 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN
CPC分类号： H01L25/10 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/3185 , H01L23/5227 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L23/645 , H01L24/19 , H01L2221/68345 , H01L2224/12105 , H01L2224/24195 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311
摘要： 一種堆疊式封裝(package-on-package; PoP)裝置，包括：一頂封裝體；以及一底封裝體，其包括一第一電感及一第二電感，位於一晶粒區外之一晶圓模層(wafer mold layer)之相反邊上，第一電感對準第二電感以將頂封裝體與底封裝體之一重分佈層電性耦合。
简体摘要： 一种堆栈式封装(package-on-package; PoP)设备，包括：一顶封装体；以及一底封装体，其包括一第一电感及一第二电感，位于一晶粒区外之一晶圆模层(wafer mold layer)之相反边上，第一电感对准第二电感以将顶封装体与底封装体之一重分布层电性耦合。
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公开(公告)号：TW201838124A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106136205
申请日：2017-10-20
发明人： 戴志軒 , TAI, CHIH HSUAN , 郭婷婷 , KUO, TING TING , 黃育智 , HUANG, YU CHIH , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC分类号： H01L23/52
摘要： 一種封裝結構包含半導體裝置、第一塑模化合物、通孔、第一介電層、第一重分佈線，和第二塑模化合物。第一塑模化合物與半導體裝置的側壁接觸。通孔位於第一塑模化合物，並電性連接到半導體裝置。第一介電層在半導體裝置上。第一重分佈線在第一介電層中並且電性連接到半導體裝置和通孔。第二塑模化合物與第一介電層的側壁接觸。
简体摘要： 一种封装结构包含半导体设备、第一塑模化合物、通孔、第一介电层、第一重分布线，和第二塑模化合物。第一塑模化合物与半导体设备的侧壁接触。通孔位于第一塑模化合物，并电性连接到半导体设备。第一介电层在半导体设备上。第一重分布线在第一介电层中并且电性连接到半导体设备和通孔。第二塑模化合物与第一介电层的侧壁接触。
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公开(公告)号：TW201838048A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106140609
申请日：2017-11-22
发明人： 戴志軒 , TAI, CHIH HSUAN , 郭婷婷 , KUO, TING TING , 黃育智 , HUANG, YU CHIH , 林志偉 , LIN, CHIH WEI , 林修任 , LIN, HSIU JEN , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 謝靜華 , HSIEH, CHING HUA , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 一種形成封裝結構之方法包含設置半導體裝置在第一介電層上方，其中第一重分佈線在第一介電層中，形成模製化合物在第一介電層上方並與半導體裝置之側壁接觸，形成第二介電層在模製化合物及半導體裝置上方，形成第一開口在第二介電層、模製化合物及第一介電層中以暴露第一重分佈線，以及形成第一導體在第一開口中，其中第一導體經電連接至第一重分佈線。
简体摘要： 一种形成封装结构之方法包含设置半导体设备在第一介电层上方，其中第一重分布线在第一介电层中，形成模制化合物在第一介电层上方并与半导体设备之侧壁接触，形成第二介电层在模制化合物及半导体设备上方，形成第一开口在第二介电层、模制化合物及第一介电层中以暴露第一重分布线，以及形成第一导体在第一开口中，其中第一导体经电连接至第一重分布线。
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公开(公告)号：TWI529886B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW102112804
申请日：2013-04-11
发明人： 胡延章 , HU, YEN CHANG , 蕭景文 , HSIAO, CHING WEN , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/50 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/11002 , H01L2224/11003 , H01L2224/1134 , H01L2224/12105 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/73267 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y02P80/30 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/81805
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公开(公告)号：TWI470756B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW099125029
申请日：2010-07-29
发明人： 曾明鴻 , TSENG, MING HONG , 陳承先 , CHEN, CHEN SHIEN , 郭正錚 , KUO, CHEN CHENG , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 蕭景文 , HSIAO, CHING WEN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05184 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/45144 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48647 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
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