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公开(公告)号:TWI593113B
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:TW103126709
申请日:2014-08-05
Inventor: 柯德博 莫如娜A , KHADERBAD, MRUNAL A. , 曹學文 , TSAU, HSUEH WEN , 李家慶 , LEE, CHIA CHING , 李達元 , LEE, DA YUAN , 魏孝寬 , WEI, HSIAO KUAN , 洪志昌 , HUNG, CHIH CHANG , 張惠政 , CHANG, HUICHENG , 張文 , CHANG, WENG
CPC classification number: H01L29/42372 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/76847 , H01L21/76877 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/66477 , H01L29/78
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公开(公告)号:TW201535740A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:TW103126709
申请日:2014-08-05
Inventor: 柯德博 莫如娜A , KHADERBAD, MRUNAL A. , 曹學文 , TSAU, HSUEH WEN , 李家慶 , LEE, CHIA CHING , 李達元 , LEE, DA YUAN , 魏孝寬 , WEI, HSIAO KUAN , 洪志昌 , HUNG, CHIH CHANG , 張惠政 , CHANG, HUICHENG , 張文 , CHANG, WENG
CPC classification number: H01L29/42372 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/76847 , H01L21/76877 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 本揭露提供一或多個半導體裝置。半導體裝置包括一閘極本體,一導電前層,於該閘極本體上,至少一抑制膜,於該導電前層上,以及一導電層,於該至少一抑制膜上,其中該導電層為錐形,以至於具有一頂部寬與一底部寬,該頂部寬大於該底部寬。本揭露亦提供一或多種半導體裝置之形成方法,其中實施一蝕刻製程,以形成一錐形開口,以使該錐形導電層形成於該錐形開口中。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一或多个半导体设备。半导体设备包括一闸极本体,一导电前层,于该闸极本体上,至少一抑制膜,于该导电前层上,以及一导电层,于该至少一抑制膜上,其中该导电层为锥形,以至于具有一顶部宽与一底部宽,该顶部宽大于该底部宽。本揭露亦提供一或多种半导体设备之形成方法,其中实施一蚀刻制程,以形成一锥形开口,以使该锥形导电层形成于该锥形开口中。
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公开(公告)号:TWI694549B
公开(公告)日:2020-05-21
申请号:TW107141442
申请日:2018-11-21
Inventor: 紀志堅 , CHI, CHIH CHIEN , 李佩璇 , LEE, PEI HSUAN , 蘇鴻文 , SU, HUNG WEN , 魏孝寬 , WEI, HSIAO KUAN , 簡瑞芬 , CHIEN, JUI FEN , 許馨云 , HSU, HSIN YUN
IPC: H01L21/768 , H01L29/66 , H01L29/78
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