公开(公告)号：TWI593113B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW103126709

申请日：2014-08-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 柯德博 莫如娜A ,  KHADERBAD, MRUNAL A. ,  曹學文 ,  TSAU, HSUEH WEN ,  李家慶 ,  LEE, CHIA CHING ,  李達元 ,  LEE, DA YUAN ,  魏孝寬 ,  WEI, HSIAO KUAN ,  洪志昌 ,  HUNG, CHIH CHANG ,  張惠政 ,  CHANG, HUICHENG ,  張文 ,  CHANG, WENG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42372 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201535740A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103126709

申请日：2014-08-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 柯德博 莫如娜A ,  KHADERBAD, MRUNAL A. ,  曹學文 ,  TSAU, HSUEH WEN ,  李家慶 ,  LEE, CHIA CHING ,  李達元 ,  LEE, DA YUAN ,  魏孝寬 ,  WEI, HSIAO KUAN ,  洪志昌 ,  HUNG, CHIH CHANG ,  張惠政 ,  CHANG, HUICHENG ,  張文 ,  CHANG, WENG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42372 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭露提供一或多個半導體裝置。半導體裝置包括一閘極本體，一導電前層，於該閘極本體上，至少一抑制膜，於該導電前層上，以及一導電層，於該至少一抑制膜上，其中該導電層為錐形，以至於具有一頂部寬與一底部寬，該頂部寬大於該底部寬。本揭露亦提供一或多種半導體裝置之形成方法，其中實施一蝕刻製程，以形成一錐形開口，以使該錐形導電層形成於該錐形開口中。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一或多个半导体设备。半导体设备包括一闸极本体，一导电前层，于该闸极本体上，至少一抑制膜，于该导电前层上，以及一导电层，于该至少一抑制膜上，其中该导电层为锥形，以至于具有一顶部宽与一底部宽，该顶部宽大于该底部宽。本揭露亦提供一或多种半导体设备之形成方法，其中实施一蚀刻制程，以形成一锥形开口，以使该锥形导电层形成于该锥形开口中。

公开(公告)号：TWI694549B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW107141442

申请日：2018-11-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 紀志堅 ,  CHI, CHIH CHIEN ,  李佩璇 ,  LEE, PEI HSUAN ,  蘇鴻文 ,  SU, HUNG WEN ,  魏孝寬 ,  WEI, HSIAO KUAN ,  簡瑞芬 ,  CHIEN, JUI FEN ,  許馨云 ,  HSU, HSIN YUN

IPC: H01L21/768 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78