公开(公告)号：TW201535740A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103126709

申请日：2014-08-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 柯德博 莫如娜A ,  KHADERBAD, MRUNAL A. ,  曹學文 ,  TSAU, HSUEH WEN ,  李家慶 ,  LEE, CHIA CHING ,  李達元 ,  LEE, DA YUAN ,  魏孝寬 ,  WEI, HSIAO KUAN ,  洪志昌 ,  HUNG, CHIH CHANG ,  張惠政 ,  CHANG, HUICHENG ,  張文 ,  CHANG, WENG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42372 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭露提供一或多個半導體裝置。半導體裝置包括一閘極本體，一導電前層，於該閘極本體上，至少一抑制膜，於該導電前層上，以及一導電層，於該至少一抑制膜上，其中該導電層為錐形，以至於具有一頂部寬與一底部寬，該頂部寬大於該底部寬。本揭露亦提供一或多種半導體裝置之形成方法，其中實施一蝕刻製程，以形成一錐形開口，以使該錐形導電層形成於該錐形開口中。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一或多个半导体设备。半导体设备包括一闸极本体，一导电前层，于该闸极本体上，至少一抑制膜，于该导电前层上，以及一导电层，于该至少一抑制膜上，其中该导电层为锥形，以至于具有一顶部宽与一底部宽，该顶部宽大于该底部宽。本揭露亦提供一或多种半导体设备之形成方法，其中实施一蚀刻制程，以形成一锥形开口，以使该锥形导电层形成于该锥形开口中。

公开(公告)号：TWI578387B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW103146477

申请日：2014-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉文貴 ,  LIU, WEN KUEI ,  蔡騰群 ,  TSAI, TENG CHUN ,  林國楹 ,  LIN, KUO YIN ,  李勝男 ,  LEE, SHEN NAN ,  周有偉 ,  CHOU, YU WEI ,  連國成 ,  LIEN, KUO CHENG ,  林長生 ,  LIN, CHANG SHENG ,  洪志昌 ,  HUNG, CHIH CHANG ,  盧永誠 ,  LU, YUNG CHENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31055 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

公开(公告)号：TWI593113B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW103126709

申请日：2014-08-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 柯德博 莫如娜A ,  KHADERBAD, MRUNAL A. ,  曹學文 ,  TSAU, HSUEH WEN ,  李家慶 ,  LEE, CHIA CHING ,  李達元 ,  LEE, DA YUAN ,  魏孝寬 ,  WEI, HSIAO KUAN ,  洪志昌 ,  HUNG, CHIH CHANG ,  張惠政 ,  CHANG, HUICHENG ,  張文 ,  CHANG, WENG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42372 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201543553A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW103146477

申请日：2014-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉文貴 ,  LIU, WEN KUEI ,  蔡騰群 ,  TSAI, TENG CHUN ,  林國楹 ,  LIN, KUO YIN ,  李勝男 ,  LEE, SHEN NAN ,  周有偉 ,  CHOU, YU WEI ,  連國成 ,  LIEN, KUO CHENG ,  林長生 ,  LIN, CHANG SHENG ,  洪志昌 ,  HUNG, CHIH CHANG ,  盧永誠 ,  LU, YUNG CHENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31055 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

Abstract: 用於對材料進行平面凹蝕的IC裝置製程，其中該材料最初在基板上具有不同的高度。該方法包含形成一底抗反射塗層，烘烤該底抗反射塗層導致該底抗反射塗層進行交聯反應、化學機械研磨(CMP)以移除該底抗反射塗層之一第一部份、以及形成一平坦表面、接著電漿蝕刻導致對該底抗反射塗層之平面凹蝕。該電漿蝕刻對於該底抗反射塗層以及該材料間具有一低蝕刻選擇性，其中該底抗反射塗層以及該材料係同時被凹蝕。在某一特定高定下的任何材料係被移除。實質上低於該材料層某一特定高度的結構可實質被保持完整並被保護以不受污染。當在化學機械研磨(CMP)時所用使磨蝕物(abrasive)與該底抗反射塗層形成酯鍵(ester linkages)時，利用該方法則特別有效。

Abstract in simplified Chinese: 用于对材料进行平面凹蚀的IC设备制程，其中该材料最初在基板上具有不同的高度。该方法包含形成一底抗反射涂层，烘烤该底抗反射涂层导致该底抗反射涂层进行交联反应、化学机械研磨(CMP)以移除该底抗反射涂层之一第一部份、以及形成一平坦表面、接着等离子蚀刻导致对该底抗反射涂层之平面凹蚀。该等离子蚀刻对于该底抗反射涂层以及该材料间具有一低蚀刻选择性，其中该底抗反射涂层以及该材料系同时被凹蚀。在某一特定高定下的任何材料系被移除。实质上低于该材料层某一特定高度的结构可实质被保持完整并被保护以不受污染。当在化学机械研磨(CMP)时所用使磨蚀物(abrasive)与该底抗反射涂层形成酯键(ester linkages)时，利用该方法则特别有效。