公开(公告)号：TW201614768A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW104115418

申请日：2015-05-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳永旭 ,  WU, YUNGHSU ,  蔡政勳 ,  TSAI, CHENGHSIUNG ,  張鈺聲 ,  CHANG, YUSHENG ,  吳佳典 ,  WU, CHIATIEN ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNGJU ,  嚴永松 ,  YEN, YUNGSUNG ,  陳俊光 ,  CHEN, CHUNKUANG ,  包天一 ,  BAO, TIENI ,  劉如淦 ,  LIU, RUGUN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAULIN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/1063

Abstract: 一種製作半導體元件的方法，包含提供具有介電層於其上的基底，且介電層上具有複數個溝槽。接著，定義具有複數個開孔的貫通孔圖案於基底上，形成阻隔材料層在至少一個溝槽的側壁上，在介電層上用貫通孔圖案及阻隔材料層當作遮罩元件進行蝕刻以得到貫通孔。

Abstract in simplified Chinese: 一种制作半导体组件的方法，包含提供具有介电层于其上的基底，且介电层上具有复数个沟槽。接着，定义具有复数个开孔的贯通孔图案于基底上，形成阻隔材料层在至少一个沟槽的侧壁上，在介电层上用贯通孔图案及阻隔材料层当作遮罩组件进行蚀刻以得到贯通孔。

公开(公告)号：TWI590380B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104115418

申请日：2015-05-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳永旭 ,  WU, YUNGHSU ,  蔡政勳 ,  TSAI, CHENGHSIUNG ,  張鈺聲 ,  CHANG, YUSHENG ,  吳佳典 ,  WU, CHIATIEN ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNGJU ,  嚴永松 ,  YEN, YUNGSUNG ,  陳俊光 ,  CHEN, CHUNKUANG ,  包天一 ,  BAO, TIENI ,  劉如淦 ,  LIU, RUGUN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAULIN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/1063