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公开(公告)号：TW201833989A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106135676
申请日：2017-10-18
Inventor： 林經祥 , LIN, CHIN HSIANG , 黃泰鈞 , HUANG, TAI CHUN , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 根據本發明一些實施例，提供一種半導體結構的製造方法。上述方法包含凹蝕閘極電極，其位於基底上的半導體鰭片上，使介電層的上表面形成第一凹陷。上述方法包含形成第一遮罩於凹蝕的閘極電極上的第一凹陷內。上述方法亦包含凹蝕第一導電接觸物，其位於半導體鰭片的源極/汲極區上，使介電層的上表面形成第二凹陷。上述方法更包含形成第二遮罩於凹蝕的第一導電接觸物上的第二凹陷內。
Abstract in simplified Chinese: 根据本发明一些实施例，提供一种半导体结构的制造方法。上述方法包含凹蚀闸极电极，其位于基底上的半导体鳍片上，使介电层的上表面形成第一凹陷。上述方法包含形成第一遮罩于凹蚀的闸极电极上的第一凹陷内。上述方法亦包含凹蚀第一导电接触物，其位于半导体鳍片的源极/汲极区上，使介电层的上表面形成第二凹陷。上述方法更包含形成第二遮罩于凹蚀的第一导电接触物上的第二凹陷内。
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公开(公告)号：TW201727860A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105141744
申请日：2016-12-16
Inventor： 鄭凱方 , CHENG, KAI FANG , 鄧志霖 , TENG, CHI LIN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 黃心巖 , HUANG, HSIN YEN , 包天一 , BAO, TIEN I , 蔡榮訓 , TSAI, JUNG HSUN
IPC: H01L23/532
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/7681 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295
Abstract: 根據一些實施例，本發明提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包括基底。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一導電結構。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一介電層。第一介電層具有暴露第一導電結構的第一開口。半導體裝置結構包括覆蓋第一開口的第一內壁之覆蓋層，且覆蓋層具有暴露第一導電結構的第二開口。覆蓋層包括金屬氧化物。半導體裝置結構包括第二導電結構，其填入第一開口且被覆蓋層所圍繞。第二導電結構電性連接至第一導電結構。
Abstract in simplified Chinese: 根据一些实施例，本发明提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包括基底。半导体设备结构包括位于基底上方之第一导电结构。半导体设备结构包括位于基底上方之第一介电层。第一介电层具有暴露第一导电结构的第一开口。半导体设备结构包括覆盖第一开口的第一内壁之覆盖层，且覆盖层具有暴露第一导电结构的第二开口。覆盖层包括金属氧化物。半导体设备结构包括第二导电结构，其填入第一开口且被覆盖层所围绕。第二导电结构电性连接至第一导电结构。
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公开(公告)号：TWI561871B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW101122935
申请日：2012-06-27
Inventor： 李宛諭 , LEE, WAN YU , 曾俊豪 , TSENG, CHUN HAO , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
CPC classification number: G02B6/4214 , G02B6/4246 , H01L2924/0002 , H01S5/005 , H01S5/02252 , H01L2924/00011
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公开(公告)号：TWI553706B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103144919
申请日：2014-12-23
Inventor： 林伯俊 , LIN, BO JIUN , 姚欣潔 , YAO, HSIN CHIEH , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: G03F9/7069 , G01N21/8806 , G01N21/956 , G01N2021/8822 , G01N2021/8825 , G01N2021/95676 , G01N2201/061 , G01N2201/06113 , G03F7/70633 , H01L21/027 , H01L22/12 , H01L22/20
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公开(公告)号：TWI538128B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103145046
申请日：2014-12-23
Inventor： 蔡政勳 , TSAI, CHENGHSIUNG , 包天一 , BAO, TIENI , 眭曉林 , SHUE, SHAULIN , 陳海清 , CHEN, HAICHING , 李忠儒 , LEE, CHUNGJU
IPC: H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/7682 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/7685 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/49822 , H01L23/5222 , H01L23/53204 , H01L23/53209 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI538100B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW102148625
申请日：2013-12-27
Inventor： 林伯俊 , LIN, BO JIUN , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/7685 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201419381A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102139908
申请日：2013-11-04
Inventor： 張鈺聲 , CHANG, YU SHENG , 蔡宗容 , TSAI, TSUNG JUNG , 李忠儒 , LEE, CHUNG JU , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0337
Abstract: 本發明提供一種定向自組裝微影製程，包括：形成一圖案化硬罩幕層，其具有一溝槽形成於前述圖案化罩幕層中；施敷一塊狀共聚物塗層(bulk co-polymer coating)至前述溝槽中，其中前述塊狀共聚物塗層包括聚苯乙烯(PS)以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；執行一退火於前述塊狀共聚物塗層上以形成複數個聚苯乙烯條塊(strip)以及複數個聚甲基丙烯酸甲酯條塊；以及選擇性蝕刻去前述複數個聚甲基丙烯酸甲酯條塊並留下前述複數個聚苯乙烯條塊。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种定向自组装微影制程，包括：形成一图案化硬罩幕层，其具有一沟槽形成于前述图案化罩幕层中；施敷一块状共聚物涂层(bulk co-polymer coating)至前述沟槽中，其中前述块状共聚物涂层包括聚苯乙烯(PS)以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；运行一退火于前述块状共聚物涂层上以形成复数个聚苯乙烯条块(strip)以及复数个聚甲基丙烯酸甲酯条块；以及选择性蚀刻去前述复数个聚甲基丙烯酸甲酯条块并留下前述复数个聚苯乙烯条块。
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公开(公告)号：TW201801181A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105139837
申请日：2016-12-02
Inventor： 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 盧永誠 , LU, YUNG CHENG , 陳盈淙 , CHEN, YING TSUNG , 包天一 , BAO, TIEN I
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/02115 , H01L21/02282 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/0332 , H01L21/31051 , H01L21/31053 , H01L21/31111
Abstract: 一種半導體裝置之形成方法，包括形成第一絕緣層於基板上，第一絕緣層具有非平坦(non-planar)之頂表面，且第一絕緣層具有第一蝕刻速率。上述方法亦包括形成第二絕緣層於第一絕緣層上，第二絕緣層具有非平坦之頂表面，且第二絕緣層具有第二蝕刻速率，上述第二蝕刻速率大於上述第一蝕刻速率。上述方法亦包括研磨第二絕緣層以移除部分之第二絕緣層，以及非選擇性地凹蝕第一絕緣層及第二絕緣層。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备之形成方法，包括形成第一绝缘层于基板上，第一绝缘层具有非平坦(non-planar)之顶表面，且第一绝缘层具有第一蚀刻速率。上述方法亦包括形成第二绝缘层于第一绝缘层上，第二绝缘层具有非平坦之顶表面，且第二绝缘层具有第二蚀刻速率，上述第二蚀刻速率大于上述第一蚀刻速率。上述方法亦包括研磨第二绝缘层以移除部分之第二绝缘层，以及非选择性地凹蚀第一绝缘层及第二绝缘层。
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公开(公告)号：TW201740148A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106103014
申请日：2017-01-25
Inventor： 周淳朴 , JOU, CHEWN PU , 包天一 , BAO, TIEN I
Abstract: 本揭示內容係關於一種具有耦接至經整合介電質波導的多頻帶傳輸元件及接收元件之整合式晶片。在一些實施例中，整合式晶片具有設置在基板上方的層間介電結構內的介電質波導。具有複數個相位調變元件的多頻帶傳輸元件經配置以產生不同頻帶中的複數個經調變訊號。複數個傳輸電極沿著介電質波導之第一側定位且分別經配置以將複數個經調變訊號中之一個經調變訊號耦接至介電質波導中。
Abstract in simplified Chinese: 本揭示内容系关于一种具有耦接至经集成介电质波导的多频带传输组件及接收组件之集成式芯片。在一些实施例中，集成式芯片具有设置在基板上方的层间介电结构内的介电质波导。具有复数个相位调制组件的多频带传输组件经配置以产生不同频带中的复数个经调制信号。复数个传输电极沿着介电质波导之第一侧定位且分别经配置以将复数个经调制信号中之一个经调制信号耦接至介电质波导中。
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公开(公告)号：TW201724360A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105132754
申请日：2016-10-11
Inventor： 蔡政勳 , TSAI, CHENG HSIUNG , 卡羅司 迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H. , 李忠儒 , LEE, CHUNG JU , 眭曉林 , SHUE, SHAU LIN , 包天一 , BAO, TIEN I , 吳永旭 , WU, YUNG HSU , 陳欣蘋 , CHEN, HSIN PING
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L21/76885
Abstract: 半導體元件的製造方法包括：形成介電層於基材上；形成蝕刻停止層於介電層；形成第一圖案化的硬式罩幕，以定義出蝕刻停止層上的第一溝渠；形成延伸穿過蝕刻停止層與介電層之第二溝渠。第二溝渠係相鄰於第一溝渠。上述方法也包括：以第一材料層填入第一溝渠與第二溝渠中；當第一材料層被填入至第二溝渠中時，將第一溝渠延伸穿過蝕刻停止層與介電層，以形成延伸的第一溝渠；形成第一金屬線於延伸的第一溝渠中；形成蓋層於第一金屬線上；以及移除第一金屬線的一部分，以形成第一切口。
Abstract in simplified Chinese: 半导体组件的制造方法包括：形成介电层于基材上；形成蚀刻停止层于介电层；形成第一图案化的硬式罩幕，以定义出蚀刻停止层上的第一沟渠；形成延伸穿过蚀刻停止层与介电层之第二沟渠。第二沟渠系相邻于第一沟渠。上述方法也包括：以第一材料层填入第一沟渠与第二沟渠中；当第一材料层被填入至第二沟渠中时，将第一沟渠延伸穿过蚀刻停止层与介电层，以形成延伸的第一沟渠；形成第一金属线于延伸的第一沟渠中；形成盖层于第一金属在线；以及移除第一金属线的一部分，以形成第一切口。
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