半導體裝置的形成方法
    1.
    发明专利
    半導體裝置的形成方法 审中-公开
    半导体设备的形成方法

    公开(公告)号:TW201824372A

    公开(公告)日:2018-07-01

    申请号:TW106119614

    申请日:2017-06-13

    Abstract: 此處揭露之方法用於圖案化積體電路裝置如鰭狀場效電晶體裝置。例示性的方法包括形成材料層,其包含鰭狀結構的陣列;以及進行鰭狀物切割製程,以移除鰭狀結構的子集。鰭狀結構切割製程包含以切割圖案露出鰭狀結構的子集,並移除露出之鰭狀結構的子集。切割圖案部份地露出鰭狀結構之子集的至少一鰭狀結構。在鰭狀物切割製程為優先切割鰭狀物的製程之實施方式中,材料層為芯層且鰭狀結構為芯。在鰭狀物切割製程為最後切割鰭狀物的製程之實施方式中,材料層為基板(或其材料層)且鰭狀結構為定義於基板(或其材料層)中的鰭狀物。

    Abstract in simplified Chinese: 此处揭露之方法用于图案化集成电路设备如鳍状场效应管设备。例示性的方法包括形成材料层,其包含鳍状结构的数组;以及进行鳍状物切割制程,以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割制程包含以切割图案露出鳍状结构的子集,并移除露出之鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构之子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割制程为优先切割鳍状物的制程之实施方式中,材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割制程为最后切割鳍状物的制程之实施方式中,材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。

    半導體裝置的形成方法
    5.
    发明专利
    半導體裝置的形成方法 审中-公开
    半导体设备的形成方法

    公开(公告)号:TW201735111A

    公开(公告)日:2017-10-01

    申请号:TW105142914

    申请日:2016-12-23

    Abstract: 半導體裝置的形成方法,包括:沿著第一方向形成硬遮罩芯於材料層上,沿著硬遮罩芯之側壁形成第一間隔物;沿著第一間隔物之側壁形成第二間隔物;以及形成圖案化光阻層於硬遮罩芯、第一間隔物、與第二間隔物上,圖案化光阻層具有第一線狀開口露出硬遮罩芯的第一部份、第一間隔物的第一部份、與第二間隔物的第一部份;此方法亦包括經由第一線狀開口移除第一間隔物的第一部份,以露出材料層的第一部份;以及以露出硬遮罩芯的第一部份與第二間隔物的第一部份作為次蝕刻遮罩,蝕刻材料層的第一部份,以形成第一開口於材料層中。

    Abstract in simplified Chinese: 半导体设备的形成方法,包括:沿着第一方向形成硬遮罩芯于材料层上,沿着硬遮罩芯之侧壁形成第一间隔物;沿着第一间隔物之侧壁形成第二间隔物;以及形成图案化光阻层于硬遮罩芯、第一间隔物、与第二间隔物上,图案化光阻层具有第一线状开口露出硬遮罩芯的第一部份、第一间隔物的第一部份、与第二间隔物的第一部份;此方法亦包括经由第一线状开口移除第一间隔物的第一部份,以露出材料层的第一部份;以及以露出硬遮罩芯的第一部份与第二间隔物的第一部份作为次蚀刻遮罩,蚀刻材料层的第一部份,以形成第一开口于材料层中。

    半導體裝置之形成方法
    7.
    发明专利
    半導體裝置之形成方法 审中-公开
    半导体设备之形成方法

    公开(公告)号:TW201801164A

    公开(公告)日:2018-01-01

    申请号:TW105143315

    申请日:2016-12-27

    Abstract: 本發明實施例係關於製造半導體元件的方法。此方法包括形成第一可流動材料層於基板之上。第一區域中第一可流動材料層之上表面高於第二區域中第一可流動材料層之上表面。此方法亦包括在第一區域中形成犧牲插塞以覆蓋第一可流動材料層,在第一區域中犧牲插塞之上及第二區域中第一可流動材料層之上形成第二可流動材料層。執行第一下凹製程以致第一區域中之第二可流動材料層被移除。執行第二下凹製程於第二區域中之第二可流動材料層,此時第一可流動材料層被第一區域之犧牲插塞保護。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于制造半导体组件的方法。此方法包括形成第一可流动材料层于基板之上。第一区域中第一可流动材料层之上表面高于第二区域中第一可流动材料层之上表面。此方法亦包括在第一区域中形成牺牲插塞以覆盖第一可流动材料层,在第一区域中牺牲插塞之上及第二区域中第一可流动材料层之上形成第二可流动材料层。运行第一下凹制程以致第一区域中之第二可流动材料层被移除。运行第二下凹制程于第二区域中之第二可流动材料层,此时第一可流动材料层被第一区域之牺牲插塞保护。

Patent Agency Ranking