半導體配置及其形成方法
    2.
    发明专利
    半導體配置及其形成方法 审中-公开
    半导体配置及其形成方法

    公开(公告)号:TW201535656A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:TW104100365

    申请日:2015-01-07

    Abstract: 本揭露提供一種半導體配置及其形成方法。該半導體配置包括一內連線,其包括一內連線金屬栓,為一第二金屬層所包圍。該內連線鄰近一介電層之一側壁,使得該內連線與該介電層之該側壁之間形成一氣隙。一保護阻障層,於該內連線與該氣隙上,並覆蓋該介電層之一上表面,且直接與該介電層之該上表面物理性接觸。被該第二金屬層包圍之該內連線金屬栓較未被一第二金屬層包圍之一內連線金屬栓不易受損。該保護阻障層直接與該介電層物理性接觸之半導體配置較未有一保護阻障層直接與一介電層物理性接觸之一半導體配置具有更低寄生電容,可降低RC延遲。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体配置及其形成方法。该半导体配置包括一内连接,其包括一内连接金属栓,为一第二金属层所包围。该内连接邻近一介电层之一侧壁,使得该内连接与该介电层之该侧壁之间形成一气隙。一保护阻障层,于该内连接与该气隙上,并覆盖该介电层之一上表面,且直接与该介电层之该上表面物理性接触。被该第二金属层包围之该内连接金属栓较未被一第二金属层包围之一内连接金属栓不易受损。该保护阻障层直接与该介电层物理性接触之半导体配置较未有一保护阻障层直接与一介电层物理性接触之一半导体配置具有更低寄生电容,可降低RC延迟。

    半導體元件的製造方法
    8.
    发明专利
    半導體元件的製造方法 审中-公开
    半导体组件的制造方法

    公开(公告)号:TW201724360A

    公开(公告)日:2017-07-01

    申请号:TW105132754

    申请日:2016-10-11

    Abstract: 半導體元件的製造方法包括:形成介電層於基材上;形成蝕刻停止層於介電層;形成第一圖案化的硬式罩幕,以定義出蝕刻停止層上的第一溝渠;形成延伸穿過蝕刻停止層與介電層之第二溝渠。第二溝渠係相鄰於第一溝渠。上述方法也包括:以第一材料層填入第一溝渠與第二溝渠中;當第一材料層被填入至第二溝渠中時,將第一溝渠延伸穿過蝕刻停止層與介電層,以形成延伸的第一溝渠;形成第一金屬線於延伸的第一溝渠中;形成蓋層於第一金屬線上;以及移除第一金屬線的一部分,以形成第一切口。

    Abstract in simplified Chinese: 半导体组件的制造方法包括:形成介电层于基材上;形成蚀刻停止层于介电层;形成第一图案化的硬式罩幕,以定义出蚀刻停止层上的第一沟渠;形成延伸穿过蚀刻停止层与介电层之第二沟渠。第二沟渠系相邻于第一沟渠。上述方法也包括:以第一材料层填入第一沟渠与第二沟渠中;当第一材料层被填入至第二沟渠中时,将第一沟渠延伸穿过蚀刻停止层与介电层,以形成延伸的第一沟渠;形成第一金属线于延伸的第一沟渠中;形成盖层于第一金属在线;以及移除第一金属线的一部分,以形成第一切口。

    半導體裝置之製造方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置之製造方法 审中-公开
    半导体设备之制造方法

    公开(公告)号:TW201709273A

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:TW104139450

    申请日:2015-11-26

    CPC classification number: H01L21/0337

    Abstract: 方法包括在材料層上方形成硬質遮罩(HM)堆疊,此HM堆疊具有第一HM層、第二HM層、第三HM層及第四HM層。方法亦包括在第四HM層中形成第一溝槽、在第一溝槽中形成第一間隔墊,在第四HM層中形成第二溝槽,藉由使用第三HM層作為蝕刻終止層移除第一間隔墊之至少一部分以形成切口,移除由第一溝槽、第二溝槽及切口所曝露之第三HM層及第二HM層之一部分以分別形成延伸之第一溝槽、延伸之第二溝槽及延伸之切口。方法亦包括在延伸之第一溝槽、延伸之第二溝槽及延伸之切口形成第二間隔墊且移除第二HM層之另一部分以形成第三溝槽。

    Abstract in simplified Chinese: 方法包括在材料层上方形成硬质遮罩(HM)堆栈,此HM堆栈具有第一HM层、第二HM层、第三HM层及第四HM层。方法亦包括在第四HM层中形成第一沟槽、在第一沟槽中形成第一间隔垫,在第四HM层中形成第二沟槽,借由使用第三HM层作为蚀刻终止层移除第一间隔垫之至少一部分以形成切口,移除由第一沟槽、第二沟槽及切口所曝露之第三HM层及第二HM层之一部分以分别形成延伸之第一沟槽、延伸之第二沟槽及延伸之切口。方法亦包括在延伸之第一沟槽、延伸之第二沟槽及延伸之切口形成第二间隔垫且移除第二HM层之另一部分以形成第三沟槽。

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