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公开(公告)号：TWI625825B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105104555
申请日：2016-02-17
Inventor： 石昇弘 , SHIH, SHENG HUNG , 凃國基 , TU, KUO CHI , 張至揚 , CHANG, CHIH YANG , 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI , 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH , 楊仁盛 , YANG, JEN SHENG , 朱文定 , CHU, WEN TING , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN
IPC: H01L21/77 , H01L21/8239 , H01L27/118
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公开(公告)号：TW201717317A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105104555
申请日：2016-02-17
Inventor： 石昇弘 , SHIH, SHENG HUNG , 凃國基 , TU, KUO CHI , 張至揚 , CHANG, CHIH YANG , 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI , 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH , 楊仁盛 , YANG, JEN SHENG , 朱文定 , CHU, WEN TING , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN
IPC: H01L21/77 , H01L21/8239 , H01L27/118
CPC classification number: G11C13/0097 , G11C13/003 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0083 , G11C2213/79 , H01L27/2427 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本揭露是關於一種包含被一PMOS電晶體所驅動的一RRAM單元之一積體晶片，及與該積體晶片相關的形成方法。在一些實施例裡，積體晶片具有設置在一半導體基板內的一PMOS電晶體。該RRAM單元設置在覆於該半導體基板上面的一內層介電(ILD)層內。該RRAM單元有一第一導電電極，該第一導電電極藉由有可一變電阻的一介電數據儲存層而和一第二導電電極分隔。該第一導電電極藉由一個或多個金屬內連線層連接至該PMOS電晶體的汲極終端。以一PMOS電晶體驅動該RRAM單元之應用考慮到降低該基板效應的影響，並因而考慮到在低電量以及極短的時間量下要被執行的重置操作。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露是关于一种包含被一PMOS晶体管所驱动的一RRAM单元之一积体芯片，及与该积体芯片相关的形成方法。在一些实施例里，积体芯片具有设置在一半导体基板内的一PMOS晶体管。该RRAM单元设置在覆于该半导体基板上面的一内层介电(ILD)层内。该RRAM单元有一第一导电电极，该第一导电电极借由有可一变电阻的一介电数据存储层而和一第二导电电极分隔。该第一导电电极借由一个或多个金属内连接层连接至该PMOS晶体管的汲极终端。以一PMOS晶体管驱动该RRAM单元之应用考虑到降低该基板效应的影响，并因而考虑到在低电量以及极短的时间量下要被运行的重置操作。
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公开(公告)号：TWI508339B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102139018
申请日：2013-10-29
Inventor： 涂國基 , TU, KUO CHI , 朱文定 , CHU, WEN TING , 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN , 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI , 張至揚 , CHANG, CHIH YANG
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1691
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公开(公告)号：TWI550778B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW102145070
申请日：2013-12-09
Inventor： 涂國基 , TU, KUO CHI , 張至揚 , CHANG, CHIH YANG , 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN , 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH , 朱文定 , CHU, WEN TING
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675
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公开(公告)号：TWI517468B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW102145071
申请日：2013-12-09
Inventor： 張至揚 , CHANG, CHIH YANG , 朱文定 , CHU, WEN TING , 涂國基 , TU, KUO CHI , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN , 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI , 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201521094A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103120138
申请日：2014-06-11
Inventor： 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI , 朱文定 , CHU, WEN TING , 涂國基 , TU, KUO CHI , 張至揚 , CHANG, CHIH YANG , 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN , 游文俊 , YOU, WEN CHUN , 石昇弘 , SHIH, SHENG HUNG
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/122 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1666 , H01L45/1683
Abstract: 一種積體電路裝置，其包括電阻式隨機存取記憶體單元形成於基底上。此電阻式隨機存取記憶體單元包括具有上表面之頂電極。阻擋層覆蓋上表面之一部份。導孔於介電質基質中延伸於頂電極上。頂電極之上表面包括與阻擋層交接之區域及與導孔交接之區域。上表面與導孔交接之區域圍繞上表面與阻擋層交接之區域。阻擋層之功能係在製程中保護電阻式隨機存取記憶體單元免於蝕刻損傷，且其建造方式，不干擾上方之導孔及頂電極之間的接觸。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路设备，其包括电阻式随机存取内存单元形成于基底上。此电阻式随机存取内存单元包括具有上表面之顶电极。阻挡层覆盖上表面之一部份。导孔于介电质基质中延伸于顶电极上。顶电极之上表面包括与阻挡层交接之区域及与导孔交接之区域。上表面与导孔交接之区域围绕上表面与阻挡层交接之区域。阻挡层之功能系在制程中保护电阻式随机存取内存单元免于蚀刻损伤，且其建造方式，不干擾上方之导孔及顶电极之间的接触。
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公开(公告)号：TW201436323A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103100914
申请日：2014-01-10
Inventor： 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH , 朱文定 , CHU, WEN TING , 涂國基 , TU, KUO CHI , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN , 張至揚 , CHANG, CHIH YANG , 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI
IPC: H01L45/00 , H01L21/8239 , G11C13/00
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/0847 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 本發明提供一種電阻式隨機存取記憶體結構及其製造方法。上述電阻式隨機存取記憶體結構包括一電阻式元件，形成於一半導體基板上，且設計用於儲存資料；以及一場效電晶體，形成於上述半導體基板上，且耦合至上述電阻式元件。上述場效電晶體包括不對稱的一源極和一汲極。上述電阻式元件包括一電阻材料層，且更包括一第一電極和一第二電極，藉由上述電阻材料層隔開。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电阻式随机存取内存结构及其制造方法。上述电阻式随机存取内存结构包括一电阻式组件，形成于一半导体基板上，且设计用于存储数据；以及一场效应管，形成于上述半导体基板上，且耦合至上述电阻式组件。上述场效应管包括不对称的一源极和一汲极。上述电阻式组件包括一电阻材料层，且更包括一第一电极和一第二电极，借由上述电阻材料层隔开。
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公开(公告)号：TWI540620B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW103120138
申请日：2014-06-11
Inventor： 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI , 朱文定 , CHU, WEN TING , 涂國基 , TU, KUO CHI , 張至揚 , CHANG, CHIH YANG , 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN , 游文俊 , YOU, WEN CHUN , 石昇弘 , SHIH, SHENG HUNG
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/122 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1666 , H01L45/1683
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公开(公告)号：TW201436110A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103101928
申请日：2014-01-20
Inventor： 張至揚 , CHANG, CHIH YANG , 朱文定 , CHU, WEN TING , 涂國基 , TU, KUO CHI , 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN , 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH
IPC: H01L21/8239 , H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1666 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本發明揭露一種記憶體陣列中之電阻式記憶體單元的形成方法，包括於形成於一基板上的一第一金屬層上形成一圖案化的停止層及於圖案化的停止層的特徵圖樣內形成一下電極。此方法更包括形成一電阻式記憶體層。電阻式記憶體層包括一金屬氧化物層及一上電極層。此方法更包括將電阻式記憶體層圖案化，以使得上電極層作為記憶體陣列中的一位元線及電阻式記憶體單元的一上電極。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种内存数组中之电阻式内存单元的形成方法，包括于形成于一基板上的一第一金属层上形成一图案化的停止层及于图案化的停止层的特征图样内形成一下电极。此方法更包括形成一电阻式内存层。电阻式内存层包括一金属氧化物层及一上电极层。此方法更包括将电阻式内存层图案化，以使得上电极层作为内存数组中的一比特线及电阻式内存单元的一上电极。
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公开(公告)号：TW201427126A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102145071
申请日：2013-12-09
Inventor： 張至揚 , CHANG, CHIH YANG , 朱文定 , CHU, WEN TING , 涂國基 , TU, KUO CHI , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN , 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI , 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本發明提供了一種電阻式隨機存取記憶胞，包括：一電晶體；一底電極，鄰近該電晶體之一汲極區且與該閘極共平面；一電阻材料層，位於該底電極上；一頂電極，位於該電阻材料層上；以及一導電材料，連結該底電極與該汲極區。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种电阻式随机存取记忆胞，包括：一晶体管；一底电极，邻近该晶体管之一汲极区且与该闸极共平面；一电阻材料层，位于该底电极上；一顶电极，位于该电阻材料层上；以及一导电材料，链接该底电极与该汲极区。
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