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公开(公告)号：TWI685141B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW104138164
申请日：2015-11-19
发明人： 李光燦 , LEE, KWANG CHAN , 姜上熙 , KANG, SANGHEE , 許晸旭 , HEO, JUNGWOOK , 李聖祐 , LEE, SUNGWOO , 趙大雄 , CHO, DAEWOONG
IPC分类号： H01M10/42 , H01M10/44 , H01L27/118
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公开(公告)号：TWI603461B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW104105362
申请日：2015-02-16
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 皮拉瑞斯提 拉維 , PILLARISETTY, RAVI , 雷 凡 , LE, VAN H. , 瑞奇曼第 威利 , RACHMADY, WILLY , 寇利爾 羅沙 , KOTLYAR, ROZA , 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 陳 漢威 , THEN, HAN WUI , 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 狄威 吉伯特 , DEWEY, GILBERT , 朱功 班傑明 , CHU-KUNG, BENJAMIN , 卡瓦李耶羅 傑克 , KAVALIEROS, JACK
IPC分类号： H01L27/118 , H01L27/11 , H01L21/82 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/161 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
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公开(公告)号：TW201729380A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105134962
申请日：2016-10-28
发明人： 郭大鵬 , GUO, TA PEN , 林明賢 , LIN, MING HSIEN
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/532 , H01L27/02 , H01L27/118 , H01L29/06
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L23/5228 , H01L23/53204 , H01L23/53214 , H01L23/53223 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/53242 , H01L23/53252 , H01L23/53257 , H01L23/53266 , H01L27/0207 , H01L27/11807 , H01L28/00 , H01L29/0607 , H01L2027/11875 , H01L2027/11879 , H01L2027/11881
摘要： 一種積體電路，包括一第一導體及一第二導體，設置於上述積體電路之一層中，其中上述第一導體面朝一第一方向，上述第二導體面朝與上述第一方向垂直之一第二方向，且上述第二導體電性連接至上述第一導體；一第三導體，設置於上述積體電路之另一層中，面朝上述第二方向以及位在上述第二導體之上；一第一介層窗，連接上述第一及第三導體；以及一第二介層窗，連接上述第二及第三導體。
简体摘要： 一种集成电路，包括一第一导体及一第二导体，设置于上述集成电路之一层中，其中上述第一导体面朝一第一方向，上述第二导体面朝与上述第一方向垂直之一第二方向，且上述第二导体电性连接至上述第一导体；一第三导体，设置于上述集成电路之另一层中，面朝上述第二方向以及位在上述第二导体之上；一第一介层窗，连接上述第一及第三导体；以及一第二介层窗，连接上述第二及第三导体。
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公开(公告)号：TWI593233B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104138761
申请日：2015-11-23
发明人： 劉祈麟 , LIU, CHI LIN , 魯立忠 , LU, LEE CHUNG , 汪孟學 , WANG, MENG HSUEH , 謝尙志 , HSIEH, SHANG CHIH , 黃哲銘 , HUANG, HENRY , 林基永 , LIN, JI YUNG
IPC分类号： H03K19/20 , H01L27/118
CPC分类号： H03K19/21
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公开(公告)号：TW201717364A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104136411
申请日：2015-11-05
发明人： 施炳煌 , SHIH, BING-HUANG , 廖棟才 , LIAO, TUNG-TSAI , 李桓瑞 , LEE, HWAN-REI
IPC分类号： H01L27/118 , H01L23/528
摘要： 本發明提出一種多晶胞晶片，其中此多晶胞晶片是可使用的。上述的多晶胞晶片可包括半導體基底、多個晶胞以及多個信號傳輸線組。此些晶胞可配置在半導體基底上。任二相鄰晶胞間可具有相隔空間。此些信號傳輸線組可分別配置在至少部份此些相隔空間上，並可分別用以進行至少部份相鄰晶胞間的信號傳輸。多晶胞晶片可透過部份此些相隔空間進行切割以切斷部份此些信號傳輸線組，致使多晶胞晶片可被分割為多個子晶片，其中切割後的部份子晶片仍可使用。
简体摘要： 本发明提出一种多晶胞芯片，其中此多晶胞芯片是可使用的。上述的多晶胞芯片可包括半导体基底、多个晶胞以及多个信号传输线组。此些晶胞可配置在半导体基底上。任二相邻晶胞间可具有相隔空间。此些信号传输线组可分别配置在至少部份此些相隔空间上，并可分别用以进行至少部份相邻晶胞间的信号传输。多晶胞芯片可透过部份此些相隔空间进行切割以切断部份此些信号传输线组，致使多晶胞芯片可被分割为多个子芯片，其中切割后的部份子芯片仍可使用。
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公开(公告)号：TW201717196A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104136413
申请日：2015-11-05
发明人： 施炳煌 , SHIH, BING-HUANG , 廖棟才 , LIAO, TUNG-TSAI , 李桓瑞 , LEE, HWAN-REI
IPC分类号： G11C7/20 , H01L27/118 , H01L23/528
摘要： 一種多晶胞晶片及其記憶體裝置。記憶體裝置包括控制器、線性記憶體以及標籤記憶體。線性記憶體以及標籤記憶體皆耦接控制器。其中，當記憶體裝置操作在第一操作模式時，控制器禁能標籤記憶體並將完整的程式資料載入至線性記憶體；另外，當記憶體裝置操作在第二操作模式時，標籤記憶體提供連續的多數個未命中資訊並使控制器由外部儲存元件連續讀取程式資料。
简体摘要： 一种多晶胞芯片及其内存设备。内存设备包括控制器、线性内存以及标签内存。线性内存以及标签内存皆耦接控制器。其中，当内存设备操作在第一操作模式时，控制器禁能标签内存并将完整的进程数据加载至线性内存；另外，当内存设备操作在第二操作模式时，标签内存提供连续的多数个未命中信息并使控制器由外部存储组件连续读取进程数据。
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公开(公告)号：TWI579973B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104124805
申请日：2015-07-30
发明人： 李峰旻 , LEE, FENG-MIN , 林昱佑 , LIN, YU-YU , 李岱螢 , LEE, DAI-YING
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/118
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1633
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公开(公告)号：TW201714287A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105100079
申请日：2016-01-04
发明人： 李宜靜 , LEE, YI JING , 李昆穆 , LI, KUN MU , 游明華 , YU, MING HUA , 郭紫微 , KWOK, TSZ-MEI
IPC分类号： H01L27/118 , H01L21/77
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L29/0649
摘要： 積體電路包含第一半導體鰭狀物、第一磊晶結構，及至少二第一介電鰭狀物側壁結構。第一磊晶結構置於第一半導體鰭狀物上。第一介電鰭狀物側壁結構置於第一磊晶結構之相對側壁上。第一介電鰭狀物側壁結構具有不同的高度。
简体摘要： 集成电路包含第一半导体鳍状物、第一磊晶结构，及至少二第一介电鳍状物侧壁结构。第一磊晶结构置于第一半导体鳍状物上。第一介电鳍状物侧壁结构置于第一磊晶结构之相对侧壁上。第一介电鳍状物侧壁结构具有不同的高度。
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公开(公告)号：TWI573251B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105101182
申请日：2016-01-15
发明人： 連瑞宗 , LIEN, JUI TSUNG , 朱芳蘭 , CHU, FANG LAN , 林宏達 , LIN, HONG DA , 吳偉成 , WU, WEI CHENG , 張谷寧 , CHANG, KU NING , 王羽榛 , WANG, YU CHEN
IPC分类号： H01L27/118 , H01L21/77
CPC分类号： G11C29/025 , G01R31/2884 , G11C2029/5602 , H01L21/28282 , H01L21/32133 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L22/34 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L27/11526 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L29/42344 , H01L29/4916 , H01L29/513 , H01L2223/54406 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446
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公开(公告)号：TWI567864B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW100102451
申请日：2011-01-24
申请人： 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人： 潘斯 拉簡德拉D , PENDSE, RAJENDRA D.
IPC分类号： H01L21/70 , H05K3/00 , H01L27/118
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/0901 , H01L2224/1134 , H01L2224/13019 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/17104 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81136 , H01L2224/81204 , H01L2224/8121 , H01L2224/81211 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/83856 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H05K1/111 , H05K3/3452 , H05K2201/09427 , H05K2201/09727 , H05K2201/0989 , H05K2201/10674 , Y02P70/611 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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