公开(公告)号：TW201727780A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105129162

申请日：2016-09-08

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 程世偉 ,  CHENG, SHYH WEI ,  許希丞 ,  HSU, HSI CHENG ,  陳信宇 ,  CHEN, HSIN YU ,  蔣季宏 ,  CHIANG, JI HONG ,  翁睿均 ,  WENG, JUI CHUN ,  吳威鼎 ,  WU, WEI DING ,  吳毓瑞 ,  WU, YU JUI ,  胡景翔 ,  HU, CHING HSIANG ,  陳明聰 ,  CHEN, MING TSUNG

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792

摘要： 本揭露是關於一種微機電系統封裝之製造方法，藉由將排氣元件引入空腔中，透過排氣以調整空腔內的壓力。於部分實施例中，形成排氣元件於互補式金屬氧化物半導體基板之鈍化層內。形成排氣阻層以覆蓋排氣元件。移除覆蓋在排氣元件上方之排氣阻層。連接微機電系統基板至互補式金屬氧化物半導體基板之前側，以將第一微機電系統元件封閉至第一空腔中，並將第二微機電系統元件封閉至第二空腔中，其中在移除排氣阻層後，排氣元件釋放氣體至第二空腔內以增加第二空腔內之第二壓力，使第二壓力大於第一空腔內之第一壓力。

简体摘要： 本揭露是关于一种微机电系统封装之制造方法，借由将排气组件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，形成排气组件于互补式金属氧化物半导体基板之钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气组件。移除覆盖在排气组件上方之排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板之前侧，以将第一微机电系统组件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统组件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气组件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内之第二压力，使第二压力大于第一空腔内之第一压力。