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    藉由將表面粗糙化而改良靜摩擦之方法
    4.
    发明专利
    藉由將表面粗糙化而改良靜摩擦之方法 审中-公开
    借由将表面粗糙化而改良静摩擦之方法

    公开(公告)号：TW201728525A

    公开(公告)日：2017-08-16

    申请号：TW105139156

    申请日：2016-11-28

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

    发明人： 謝元智 ,  HSIEH, YUAN-CHIH ,  曾李全 ,  TSENG, LEE-CHUAN ,  林宏樺 ,  LIN, HUNG-HUA

    IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

    CPC分类号： B81B3/0005 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00984 ,  B81C2201/115 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792

    摘要： 本揭露提供一種用於製造一CMOS-MEMS結構之方法。該方法包含：在一帽蓋基板之一第一表面上蝕刻一腔；將該帽蓋基板之該第一表面與一感測基板接合；薄化該感測基板之一第二表面，該第二表面與接合至該帽蓋基板的該感測基板之一第三表面對置；蝕刻該感測基板之該第二表面；圖案化該感測基板之該第二表面之一部分以形成複數個接合區域；在該複數個接合區域上沈積一共晶金屬層；蝕刻在該腔下方的該感測基板之一部分以形成一可移動元件；及透過該共晶金屬層將該感測基板接合至一CMOS基板。

    简体摘要： 本揭露提供一种用于制造一CMOS-MEMS结构之方法。该方法包含：在一帽盖基板之一第一表面上蚀刻一腔；将该帽盖基板之该第一表面与一传感基板接合；薄化该传感基板之一第二表面，该第二表面与接合至该帽盖基板的该传感基板之一第三表面对置；蚀刻该传感基板之该第二表面；图案化该传感基板之该第二表面之一部分以形成复数个接合区域；在该复数个接合区域上沉积一共晶金属层；蚀刻在该腔下方的该传感基板之一部分以形成一可移动组件；及透过该共晶金属层将该传感基板接合至一CMOS基板。

    微機電裝置以及其製造方法
    6.
    发明专利
    微機電裝置以及其製造方法 审中-公开
    微机电设备以及其制造方法

    公开(公告)号：TW201720746A

    公开(公告)日：2017-06-16

    申请号：TW105129285

    申请日：2016-09-09

    申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

    发明人： 劉育嘉 ,  LIU, YU CHIA ,  朱家驊 ,  CHU, CHIA HUA ,  鄭鈞文 ,  CHENG, CHUN WEN

    IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00182 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118

    摘要： 本揭露提供一CMOS MEMS裝置。該CMOS MEMS裝置包含一第一基板、一第二基板、一第一多晶矽及一第二多晶矽。該第二基板包含一可移動部件且位於該第一基板上方。該第一多晶矽穿透該第二基板且毗鄰該第二基板之該可移動部件之一第一側。該第二多晶矽穿透該第二基板且毗鄰該第二基板之該可移動部件之一第二側。

    简体摘要： 本揭露提供一CMOS MEMS设备。该CMOS MEMS设备包含一第一基板、一第二基板、一第一多晶硅及一第二多晶硅。该第二基板包含一可移动部件且位于该第一基板上方。该第一多晶硅穿透该第二基板且毗邻该第二基板之该可移动部件之一第一侧。该第二多晶硅穿透该第二基板且毗邻该第二基板之该可移动部件之一第二侧。

    封裝體之製造方法及藉由該方法所製造的封裝體
    8.
    发明专利
    封裝體之製造方法及藉由該方法所製造的封裝體 审中-公开
    封装体之制造方法及借由该方法所制造的封装体

    公开(公告)号：TW201637103A

    公开(公告)日：2016-10-16

    申请号：TW104125422

    申请日：2015-08-05

    申请人： 田中貴金屬工業股份有限公司 ,  TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K.

    发明人： 小柏俊典 ,  OGASHIWA, TOSHINORI ,  佐佐木裕矢 ,  SASAKI, YUYA ,  宮入正幸 ,  MIYAIRI, MASAYUKI

    IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/28

    CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C3/00 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/036 ,  H01L23/02

    摘要： 本發明係關於一種封裝體之製造方法，其係包含疊合形成有密封材的一對基板來進行接合，藉此將藉由前述密封材所被包圍的密封區域的內部進行氣密密封的工程的封裝體之製造方法。在本發明中，使用由將選自純度為99.9重量%以上、且平均粒徑為0.005μm~1.0μm的金、銀、鈀、鉑的一種以上的金屬粉末進行燒結而成的燒結體所形成者，在基板上形成有至少一個在剖面形狀具有比前述密封材的寬幅為更窄的寬幅且由周圍突出的芯材，在將前述一對基板進行接合時，前述芯材即壓縮前述密封材而發揮密封效果。藉此，可一邊減低對基板的加壓力一邊發揮充分的密封效果。

    简体摘要： 本发明系关于一种封装体之制造方法，其系包含叠合形成有密封材的一对基板来进行接合，借此将借由前述密封材所被包围的密封区域的内部进行气密密封的工程的封装体之制造方法。在本发明中，使用由将选自纯度为99.9重量%以上、且平均粒径为0.005μm~1.0μm的金、银、钯、铂的一种以上的金属粉末进行烧结而成的烧结体所形成者，在基板上形成有至少一个在剖面形状具有比前述密封材的宽幅为更窄的宽幅且由周围突出的芯材，在将前述一对基板进行接合时，前述芯材即压缩前述密封材而发挥密封效果。借此，可一边减低对基板的加压力一边发挥充分的密封效果。

    封閉的ＭＥＭＳ裝置之內部電接觸
    10.
    发明专利
    封閉的ＭＥＭＳ裝置之內部電接觸 审中-公开
    封闭的ＭＥＭＳ设备之内部电接触

    公开(公告)号：TW201442173A

    公开(公告)日：2014-11-01

    申请号：TW103103179

    申请日：2014-01-28

    申请人： 伊凡聖斯股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

    发明人： 黃 克剛 ,  HUANG, KEGANG ,  辛 宗祐 ,  SHIN, JONGWOO ,  林 馬汀 ,  LIM, MARTIN ,  戴恩曼 麥可 茱莉安 ,  DANEMAN, MICHAEL JULIAN ,  席格 喬瑟夫 ,  SEEGER, JOSEPH

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

    CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81B7/0064 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/031

    摘要： 在此揭露了一種MEMS裝置。這種MEMS裝置包括一MEMS基板。該MEMS基板包括一第一半導體層，該第一半導體層由處於中間的一介電層連接到一第二半導體層上。由該第二半導體層形成了多種MEMS結構，並且該等結構包括複數個第一導電墊片。這種MEMS裝置進一步包括一基底基板，該基底基板包括在其上之複數個第二導電墊片。該等第二導電墊片被連接到第一導電墊片上。最後，這種MEMS裝置包括一導電連接件，這個導電連接件係穿過該MEMS基板之介電層而形成以提供在該第一半導體層與該第二半導體層之間之電耦合。該基底基板被電連接到該第二半導體層以及第一半導體層上。

    简体摘要： 在此揭露了一种MEMS设备。这种MEMS设备包括一MEMS基板。该MEMS基板包括一第一半导体层，该第一半导体层由处于中间的一介电层连接到一第二半导体层上。由该第二半导体层形成了多种MEMS结构，并且该等结构包括复数个第一导电垫片。这种MEMS设备进一步包括一基底基板，该基底基板包括在其上之复数个第二导电垫片。该等第二导电垫片被连接到第一导电垫片上。最后，这种MEMS设备包括一导电连接件，这个导电连接件系穿过该MEMS基板之介电层而形成以提供在该第一半导体层与该第二半导体层之间之电耦合。该基底基板被电连接到该第二半导体层以及第一半导体层上。