半導體裝置結構的形成方法
    5.
    发明专利
    半導體裝置結構的形成方法 审中-公开
    半导体设备结构的形成方法

    公开(公告)号:TW201919100A

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:TW107117734

    申请日:2018-05-24

    Abstract: 提供半導體裝置結構的形成方法,此方法包含在介電層上方形成第一遮罩層,第一遮罩層具有溝槽,溝槽具有內壁和底表面。此方法包含在第一溝槽中形成第二遮罩層。此方法包含移除覆蓋底表面的第二遮罩層,以在第二遮罩層中形成第二溝槽,第二溝槽暴露出底表面且在介電層的第一部分上方,留下的第二遮罩層覆蓋內壁。此方法包含移除第一部分、第一遮罩層和第二遮罩層,以在介電層中形成第三溝槽。此方法包含在第三溝槽中形成導電結構。

    Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备结构的形成方法,此方法包含在介电层上方形成第一遮罩层,第一遮罩层具有沟槽,沟槽具有内壁和底表面。此方法包含在第一沟槽中形成第二遮罩层。此方法包含移除覆盖底表面的第二遮罩层,以在第二遮罩层中形成第二沟槽,第二沟槽暴露出底表面且在介电层的第一部分上方,留下的第二遮罩层覆盖内壁。此方法包含移除第一部分、第一遮罩层和第二遮罩层,以在介电层中形成第三沟槽。此方法包含在第三沟槽中形成导电结构。

    記憶體與其製造方法
    8.
    发明专利
    記憶體與其製造方法 审中-公开
    内存与其制造方法

    公开(公告)号:TW201727836A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:TW105126267

    申请日:2016-08-17

    Abstract: 提供具有浮動閘極遮蔽之一次可程式化(one-time programmable;OTP)記憶體單元。一對電晶體排列在半導體基板上及串聯電耦接,其中電晶體包括浮動閘極。互連結構覆蓋此對電晶體。遮蔽罩排列在互連結構中,直接在浮動閘極上方。遮蔽罩經配置以阻止互連結構中之離子移至浮動閘極。本案亦提供用於製造具有浮動閘極遮蔽的OTP記憶體單元之方法。

    Abstract in simplified Chinese: 提供具有浮动闸极屏蔽之一次可进程化(one-time programmable;OTP)内存单元。一对晶体管排列在半导体基板上及串联电耦接,其中晶体管包括浮动闸极。互链接构覆盖此对晶体管。屏蔽罩排列在互链接构中,直接在浮动闸极上方。屏蔽罩经配置以阻止互链接构中之离子移至浮动闸极。本案亦提供用于制造具有浮动闸极屏蔽的OTP内存单元之方法。

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