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公开(公告)号：TWI632105B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW105133746
申请日：2016-10-19
Inventor： 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 王誌佑 , WANG, CHIH YU , 許希丞 , HSU, HSI CHENG , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔣季宏 , CHIANG, JI HONG , 翁睿均 , WENG, JUI CHUN , 吳威鼎 , WU, WEI DING
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公开(公告)号：TW201714818A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105120340
申请日：2016-06-28
Inventor： 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 王誌佑 , WANG, CHIH YU , 許希丞 , HSU, HSI CHENG , 蔣季宏 , CHIANG, JI HONG , 翁睿均 , WENG, JUI CHUN , 林炫政 , LIN, SHIUAN JENG , 吳威鼎 , WU, WEI DING , 胡景翔 , HU, CHING HSIANG
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/037 , B81C2203/0792
Abstract: 微機電系統封裝包含互補式金屬氧化物半導體基板、微機電系統基板以及一或多個導電多晶矽通孔。互補式金屬氧化物半導體基板具有配置於半導體主體中的一或多個半導體元件。微機電系統基板具有動態元件，其中微機電系統基板係藉由導電連接結構而連接於互補式金屬氧化物半導體基板，此導電連接結構配置於微機電系統基板的前側上，且位於自動態元件橫向偏移的位置。一或多個導電多晶矽通孔延伸通過微機電系統基板至導電連接結構。
Abstract in simplified Chinese: 微机电系统封装包含互补式金属氧化物半导体基板、微机电系统基板以及一或多个导电多晶硅通孔。互补式金属氧化物半导体基板具有配置于半导体主体中的一或多个半导体组件。微机电系统基板具有动态组件，其中微机电系统基板系借由导电连接结构而连接于互补式金属氧化物半导体基板，此导电连接结构配置于微机电系统基板的前侧上，且位于自动态组件横向偏移的位置。一或多个导电多晶硅通孔延伸通过微机电系统基板至导电连接结构。
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公开(公告)号：TW201742285A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105123929
申请日：2016-07-28
Inventor： 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 陳鴻霖 , CHEN, HUNG LIN , 翁睿均 , WENG, JUI CHUN , 林炫政 , LIN, SHIUAN JENG , 林天聲 , LIN, TIAN SHENG , 吳毓瑞 , WU, YU JUI , 潘漢宗 , PAN, HAN ZONG , 孫善勇 , SUN, SHAN YUNG
IPC: H01L49/02
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/31111 , H01L21/32139 , H01L23/5223
Abstract: 本發明提出一種製作金屬-絕緣層-金屬電容的方法，其中上電極的側壁不會受到損壞。下電極層是以第一材料所形成。電極間介電層是形成在下電極之上。上電極是形成在電極間介電層之上，並且不具有第一材料。第一蝕刻會施加在上電極層與電極間介電層以形成上電極。第二蝕刻會施加在下電極層以形成下電極。本揭露也關於用此方法所製作出的金屬-絕緣層-金屬電容。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提出一种制作金属-绝缘层-金属电容的方法，其中上电极的侧壁不会受到损坏。下电极层是以第一材料所形成。电极间介电层是形成在下电极之上。上电极是形成在电极间介电层之上，并且不具有第一材料。第一蚀刻会施加在上电极层与电极间介电层以形成上电极。第二蚀刻会施加在下电极层以形成下电极。本揭露也关于用此方法所制作出的金属-绝缘层-金属电容。
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公开(公告)号：TW201727780A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105129162
申请日：2016-09-08
Inventor： 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 許希丞 , HSU, HSI CHENG , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔣季宏 , CHIANG, JI HONG , 翁睿均 , WENG, JUI CHUN , 吳威鼎 , WU, WEI DING , 吳毓瑞 , WU, YU JUI , 胡景翔 , HU, CHING HSIANG , 陳明聰 , CHEN, MING TSUNG
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792
Abstract: 本揭露是關於一種微機電系統封裝之製造方法，藉由將排氣元件引入空腔中，透過排氣以調整空腔內的壓力。於部分實施例中，形成排氣元件於互補式金屬氧化物半導體基板之鈍化層內。形成排氣阻層以覆蓋排氣元件。移除覆蓋在排氣元件上方之排氣阻層。連接微機電系統基板至互補式金屬氧化物半導體基板之前側，以將第一微機電系統元件封閉至第一空腔中，並將第二微機電系統元件封閉至第二空腔中，其中在移除排氣阻層後，排氣元件釋放氣體至第二空腔內以增加第二空腔內之第二壓力，使第二壓力大於第一空腔內之第一壓力。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露是关于一种微机电系统封装之制造方法，借由将排气组件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，形成排气组件于互补式金属氧化物半导体基板之钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气组件。移除覆盖在排气组件上方之排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板之前侧，以将第一微机电系统组件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统组件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气组件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内之第二压力，使第二压力大于第一空腔内之第一压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201919100A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107117734
申请日：2018-05-24
Inventor： 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 張澐 , CHANG, YUN , 蔣振劼 , CHIANG, CHEN CHIEH , 鄭宗期 , JENG, JUNG CHI
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供半導體裝置結構的形成方法，此方法包含在介電層上方形成第一遮罩層，第一遮罩層具有溝槽，溝槽具有內壁和底表面。此方法包含在第一溝槽中形成第二遮罩層。此方法包含移除覆蓋底表面的第二遮罩層，以在第二遮罩層中形成第二溝槽，第二溝槽暴露出底表面且在介電層的第一部分上方，留下的第二遮罩層覆蓋內壁。此方法包含移除第一部分、第一遮罩層和第二遮罩層，以在介電層中形成第三溝槽。此方法包含在第三溝槽中形成導電結構。
Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备结构的形成方法，此方法包含在介电层上方形成第一遮罩层，第一遮罩层具有沟槽，沟槽具有内壁和底表面。此方法包含在第一沟槽中形成第二遮罩层。此方法包含移除覆盖底表面的第二遮罩层，以在第二遮罩层中形成第二沟槽，第二沟槽暴露出底表面且在介电层的第一部分上方，留下的第二遮罩层覆盖内壁。此方法包含移除第一部分、第一遮罩层和第二遮罩层，以在介电层中形成第三沟槽。此方法包含在第三沟槽中形成导电结构。
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公开(公告)号：TW201910254A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107116832
申请日：2018-05-17
Inventor： 翁睿均 , WENG, JUI-CHUN , 許希丞 , HSU, HSI-CHENG , 陳信宇 , CHEN, HSIN-YU , 蔣季宏 , CHIANG, JI-HONG , 程世偉 , CHENG, SHYH-WEI , 吳威鼎 , WU, WEI-DING , 胡景翔 , HU, CHING-HSIANG , 沙納卡瓦拉普 拉瓦亞 , SANAGAVARAPU, LAVANYA
IPC: B81C1/00
Abstract: 一種用於處理微機電系統（MEMS）元件的方法。在一個實例中，所述方法包括以下步驟：提供第一晶圓（wafer）；使用第一化學氣相沉積（CVD）法來處理第一晶圓，以在第一晶圓的頂面上形成腔室以及至少一個氧化物層；提供第二晶圓；將第二晶圓接合在至少一個氧化物層的頂面上；處理第二晶圓以形成多個第一結構；使用第二化學氣相沉積法將自組裝單層（SAM）的層沉積到微機電系統元件的表面。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于处理微机电系统（MEMS）组件的方法。在一个实例中，所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆（wafer）；使用第一化学气相沉积（CVD）法来处理第一晶圆，以在第一晶圆的顶面上形成腔室以及至少一个氧化物层；提供第二晶圆；将第二晶圆接合在至少一个氧化物层的顶面上；处理第二晶圆以形成多个第一结构；使用第二化学气相沉积法将自组装单层（SAM）的层沉积到微机电系统组件的表面。
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公开(公告)号：TWI669268B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW105120340
申请日：2016-06-28
Inventor： 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 王誌佑 , WANG, CHIH YU , 許希丞 , HSU, HSI CHENG , 蔣季宏 , CHIANG, JI HONG , 翁睿均 , WENG, JUI CHUN , 林炫政 , LIN, SHIUAN JENG , 吳威鼎 , WU, WEI DING , 胡景翔 , HU, CHING HSIANG
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公开(公告)号：TW201727836A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105126267
申请日：2016-08-17
Inventor： 陳鴻霖 , CHEN, HUNG LIN , 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 朱則榮 , CHU, CHE JUNG
IPC: H01L21/8246 , H01L27/112 , G11C17/18
CPC classification number: H01L27/11521 , G11C16/0433 , G11C17/08 , H01L21/28273 , H01L27/11524
Abstract: 提供具有浮動閘極遮蔽之一次可程式化(one-time programmable；OTP)記憶體單元。一對電晶體排列在半導體基板上及串聯電耦接，其中電晶體包括浮動閘極。互連結構覆蓋此對電晶體。遮蔽罩排列在互連結構中，直接在浮動閘極上方。遮蔽罩經配置以阻止互連結構中之離子移至浮動閘極。本案亦提供用於製造具有浮動閘極遮蔽的OTP記憶體單元之方法。
Abstract in simplified Chinese: 提供具有浮动闸极屏蔽之一次可进程化(one-time programmable；OTP)内存单元。一对晶体管排列在半导体基板上及串联电耦接，其中晶体管包括浮动闸极。互链接构覆盖此对晶体管。屏蔽罩排列在互链接构中，直接在浮动闸极上方。屏蔽罩经配置以阻止互链接构中之离子移至浮动闸极。本案亦提供用于制造具有浮动闸极屏蔽的OTP内存单元之方法。
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公开(公告)号：TW201725168A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105133746
申请日：2016-10-19
Inventor： 程世偉 , CHENG, SHYH WEI , 王誌佑 , WANG, CHIH YU , 許希丞 , HSU, HSI CHENG , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔣季宏 , CHIANG, JI HONG , 翁睿均 , WENG, JUI CHUN , 吳威鼎 , WU, WEI DING
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/09 , B81C1/00293 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/037 , B81C2203/038 , B81C2203/0735 , H01L28/20
Abstract: 微機電系統封裝，具有加熱元件用以透過引導排氣進入腔體來調整氣密密封腔內的壓力，與相關的方法。微機電系統封裝具有互補式金氧半導體基板，互補式金氧半導體基板具有設置於半導體本體內的一或多個半導體裝置。微機電系統結構連接至互補式金氧半導體基板且具有微機電系統裝置。互補式金氧半導體基板與微機電系統結構形成緊靠微機電系統裝置的氣密密封腔。加熱元件電性耦合至一或多個半導體裝置且與氣密密封腔被沿著氣密密封腔的內表面設置的排氣層隔開。透過操作加熱元件使排氣層排放氣體，在氣密密封腔形成後，氣密密封腔的壓力可調整。
Abstract in simplified Chinese: 微机电系统封装，具有加热组件用以透过引导排气进入腔体来调整气密密封腔内的压力，与相关的方法。微机电系统封装具有互补式金属氧化物半导体基板，互补式金属氧化物半导体基板具有设置于半导体本体内的一或多个半导体设备。微机电系统结构连接至互补式金属氧化物半导体基板且具有微机电系统设备。互补式金属氧化物半导体基板与微机电系统结构形成紧靠微机电系统设备的气密密封腔。加热组件电性耦合至一或多个半导体设备且与气密密封腔被沿着气密密封腔的内表面设置的排气层隔开。透过操作加热组件使排气层排放气体，在气密密封腔形成后，气密密封腔的压力可调整。
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