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公开(公告)号：TW201721841A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105125903
申请日：2016-08-15
Inventor： 賴瑞堯 , LAI, JUI YAO , 陳盈燕 , CHEN, YING YAN , 葉震亞 , YEH, JENG YA DAVID , 楊 世海 , YEONG, SAI-HOOI , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L21/02164 , H01L21/31051 , H01L21/76834 , H01L21/76877 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L23/535 , H01L27/088 , H01L29/6653
Abstract: 一種半導體裝置包括了一第一閘極電極設置於一基板上、一第一源極/汲極區以及一區域內連物，連結該第一閘極電極與該第一源極/汲極區。該區域內連物係設置於該基板與設置有一第一電源線之一第一金屬導線層之間。於一平面圖中該區域內連物具有一鎖孔狀，且具有一頭部、一頸部、及藉由該頸部連結於該頭部之一本體部。該頸部係設置於該第一閘極電極上而該本體部係設置於該第一源極/汲極區上。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括了一第一闸极电极设置于一基板上、一第一源极/汲极区以及一区域内连物，链接该第一闸极电极与该第一源极/汲极区。该区域内连物系设置于该基板与设置有一第一电源线之一第一金属导线层之间。于一平面图中该区域内连物具有一锁孔状，且具有一头部、一颈部、及借由该颈部链接于该头部之一本体部。该颈部系设置于该第一闸极电极上而该本体部系设置于该第一源极/汲极区上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI630702B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW105125903
申请日：2016-08-15
Inventor： 賴瑞堯 , LAI, JUI YAO , 陳盈燕 , CHEN, YING YAN , 葉震亞 , YEH, JENG YA DAVID , 楊 世海 , YEONG, SAI-HOOI , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
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公开(公告)号：TWI607570B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105125571
申请日：2016-08-11
Inventor： 賴瑞堯 , LAI, JUI YAO , 楊 世海 , YEONG, SAI-HOOI , 陳盈燕 , CHEN, YING YAN
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L23/535 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/66515 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TWI638428B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW105142912
申请日：2016-12-23
Inventor： 賴瑞堯 , LAI, JUI YAO , 陳盈燕 , CHEN, YING YAN , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING , 楊 世海 , YEONG, SAI-HOOI , 嚴永松 , YEN, YUNG SUNG , 劉如淦 , LIU, RU GUN
IPC: H01L21/8234 , H01L23/535 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66
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公开(公告)号：TW201735266A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105142912
申请日：2016-12-23
Inventor： 賴瑞堯 , LAI, JUI YAO , 陳盈燕 , CHEN, YING YAN , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING , 楊 世海 , YEONG, SAI-HOOI , 嚴永松 , YEN, YUNG SUNG , 劉如淦 , LIU, RU GUN
IPC: H01L21/8234 , H01L23/535 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66
CPC classification number: H01L21/823468 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823456 , H01L21/823475 , H01L23/535 , H01L29/0649 , H01L29/41791 , H01L29/42356 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本發明實施例提供一種半導體裝置，上述半導體裝置包括一第一閘極結構、一第二閘極結構、一第一源極/汲極結構和一第二源極/汲極結構。上述第一閘極結構包括一第一閘極和設置於上述第一閘極上的一第一絕緣蓋層。上述第二閘極結構包括一第二閘極和設置於上述第一閘極上的一第一導電接觸層。上述第一源極/汲極結構包括一第一源極/汲極導電層和設置於上述第一源極/汲極導電層上方的一第二絕緣蓋層。上述第二源極/汲極結構包括一第二源極/汲極導電層和設置於上述第二源極/汲極導電層上方的一第二導電接觸層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体设备，上述半导体设备包括一第一闸极结构、一第二闸极结构、一第一源极/汲极结构和一第二源极/汲极结构。上述第一闸极结构包括一第一闸极和设置于上述第一闸极上的一第一绝缘盖层。上述第二闸极结构包括一第二闸极和设置于上述第一闸极上的一第一导电接触层。上述第一源极/汲极结构包括一第一源极/汲极导电层和设置于上述第一源极/汲极导电层上方的一第二绝缘盖层。上述第二源极/汲极结构包括一第二源极/汲极导电层和设置于上述第二源极/汲极导电层上方的一第二导电接触层。
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公开(公告)号：TW201727907A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105125571
申请日：2016-08-11
Inventor： 賴瑞堯 , LAI, JUI YAO , 楊 世海 , YEONG, SAI-HOOI , 陳盈燕 , CHEN, YING YAN
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L23/535 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823864 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/24 , H01L29/66515 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 半導體裝置包含第一電晶體具有第一閘極、第一源極和第一汲極，第二電晶體具有第二閘極、第二源極和第二汲極，隔離區分隔開第一電晶體與第二電晶體，以及局部內連線連接第一源極和第一汲極中的至少一個到至少第二源極和第二汲極，局部內連線接觸第一源極和第一汲極中的該至少一個之表面、該至少第二源極和第二汲極之表面和一部分隔離區之表面。
Abstract in simplified Chinese: 半导体设备包含第一晶体管具有第一闸极、第一源极和第一汲极，第二晶体管具有第二闸极、第二源极和第二汲极，隔离区分隔开第一晶体管与第二晶体管，以及局部内连接连接第一源极和第一汲极中的至少一个到至少第二源极和第二汲极，局部内连接接触第一源极和第一汲极中的该至少一个之表面、该至少第二源极和第二汲极之表面和一部分隔离区之表面。
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