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公开(公告)号：TW201919115A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107137952
申请日：2018-10-26
Inventor： 李凱璿 , LEE, KAI HSUAN , 賴柏宇 , LAI, BO YU , 徐 志安 , CHUI, CHI-ON , 楊正宇 , YANG, CHENG YU , 陳彥廷 , CHEN, YEN TING , 楊 世海 , YEONG, SAI-HOOI , 楊豐誠 , YANG, FENG CHENG , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING
IPC: H01L21/28 , H01L21/311
Abstract: 提供半導體裝置與其形成方法。上述方法包括形成閘極結構於鰭狀結構上。上述方法亦包括形成多個第一閘極間隔物於閘極結構其兩側的側壁上。上述方法亦包括形成多個源極/汲極結構於鰭狀結構中，且源極/汲極結構與第一閘極間隔物相鄰。上述方法亦包括在源極/汲極結構的上表面與第一閘極間隔物的外側側壁上進行表面處理製程。上述方法亦包括沉積接點蝕刻停止層於源極/汲極結構與第一閘極間隔物上。接點蝕刻停止層的第一部份以第一沉積速率沉積在源極/汲極結構的上表面上。接點蝕刻停止層的第二部份以第二沉積速率沉積在第一閘極間隔物的外側側壁上。
Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备与其形成方法。上述方法包括形成闸极结构于鳍状结构上。上述方法亦包括形成多个第一闸极间隔物于闸极结构其两侧的侧壁上。上述方法亦包括形成多个源极/汲极结构于鳍状结构中，且源极/汲极结构与第一闸极间隔物相邻。上述方法亦包括在源极/汲极结构的上表面与第一闸极间隔物的外侧侧壁上进行表面处理制程。上述方法亦包括沉积接点蚀刻停止层于源极/汲极结构与第一闸极间隔物上。接点蚀刻停止层的第一部份以第一沉积速率沉积在源极/汲极结构的上表面上。接点蚀刻停止层的第二部份以第二沉积速率沉积在第一闸极间隔物的外侧侧壁上。
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公开(公告)号：TWI638428B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW105142912
申请日：2016-12-23
Inventor： 賴瑞堯 , LAI, JUI YAO , 陳盈燕 , CHEN, YING YAN , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING , 楊 世海 , YEONG, SAI-HOOI , 嚴永松 , YEN, YUNG SUNG , 劉如淦 , LIU, RU GUN
IPC: H01L21/8234 , H01L23/535 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66
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公开(公告)号：TWI635536B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW106128642
申请日：2017-08-23
Inventor： 李凱璿 , LEE, KAI HSUAN , 游佳達 , YU, CHIA TA , 楊正宇 , YANG, CHENG YU , 王聖禎 , WANG, SHENG CHEN , 楊世海 , YEONG, SAI-HOOI , 楊豐誠 , YANG, FENG CHENG , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING
IPC: H01L21/28
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公开(公告)号：TW201735266A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105142912
申请日：2016-12-23
Inventor： 賴瑞堯 , LAI, JUI YAO , 陳盈燕 , CHEN, YING YAN , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING , 楊 世海 , YEONG, SAI-HOOI , 嚴永松 , YEN, YUNG SUNG , 劉如淦 , LIU, RU GUN
IPC: H01L21/8234 , H01L23/535 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66
CPC classification number: H01L21/823468 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823456 , H01L21/823475 , H01L23/535 , H01L29/0649 , H01L29/41791 , H01L29/42356 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本發明實施例提供一種半導體裝置，上述半導體裝置包括一第一閘極結構、一第二閘極結構、一第一源極/汲極結構和一第二源極/汲極結構。上述第一閘極結構包括一第一閘極和設置於上述第一閘極上的一第一絕緣蓋層。上述第二閘極結構包括一第二閘極和設置於上述第一閘極上的一第一導電接觸層。上述第一源極/汲極結構包括一第一源極/汲極導電層和設置於上述第一源極/汲極導電層上方的一第二絕緣蓋層。上述第二源極/汲極結構包括一第二源極/汲極導電層和設置於上述第二源極/汲極導電層上方的一第二導電接觸層。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体设备，上述半导体设备包括一第一闸极结构、一第二闸极结构、一第一源极/汲极结构和一第二源极/汲极结构。上述第一闸极结构包括一第一闸极和设置于上述第一闸极上的一第一绝缘盖层。上述第二闸极结构包括一第二闸极和设置于上述第一闸极上的一第一导电接触层。上述第一源极/汲极结构包括一第一源极/汲极导电层和设置于上述第一源极/汲极导电层上方的一第二绝缘盖层。上述第二源极/汲极结构包括一第二源极/汲极导电层和设置于上述第二源极/汲极导电层上方的一第二导电接触层。
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公开(公告)号：TWI569336B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104138702
申请日：2015-11-23
Inventor： 楊 育佳 , YEO, YEE-CHIA , 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 柯誌欣 , KO, CHIH HSIN , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN , 陳亮吟 , CHEN, LIANG YIN , 于 雄飛 , YU, XIONG-FEI , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING , 楊 建倫 , YANG, CHAN-LON
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/26513 , H01L21/28088 , H01L21/28238 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/42392 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/7843 , H01L29/7851 , H01L29/78651 , H01L29/78684 , H01L29/78696
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI701766B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW107115930
申请日：2018-05-10
Inventor： 陳彥廷 , CHEN, YEN TING , 李威養 , LEE, WEI YANG , 楊豐誠 , YANG, FENG CHENG , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING
IPC: H01L21/768 , H01L23/485
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公开(公告)号：TWI688099B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107140213
申请日：2018-11-13
Inventor： 游佳達 , YU, CHIA TA , 王聖禎 , WANG, SHENG CHEN , 呂偉元 , LU, WEI YUAN , 郭建億 , KUO, CHIEN I , 舒麗麗 , SU, LI LI , 楊豐誠 , YANG, FENG CHENG , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING , 楊 世海 , YEONG, SAI-HOOI
IPC: H01L29/43 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201834079A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106130026
申请日：2017-09-01
Inventor： 李威養 , LEE, WEI YANG , 楊豐誠 , YANG, FENG CHENG , 林仲德 , LIN, CHUNG TE , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING
IPC: H01L21/336 , H01L21/764 , H01L29/78
Abstract: 一種方法，包括形成閘極結構於基板上；形成覆蓋閘極結構的側壁之封合間隙壁；形成覆蓋封合間隙壁的側壁之犧牲間隙壁；形成源極區域及汲極區域將位於閘極結構下之通道區夾在中間；以及沉積覆蓋犧牲間隙壁的側壁之接觸蝕刻停止層。此方法還包括去除犧牲間隙壁以形成溝槽，其中溝槽使接觸蝕刻停止層的側壁和封合間隙壁的側壁暴露出來；以及沉積層間介電層，其中層間介電層覆蓋溝槽，從而界定在溝槽內的氣隙。
Abstract in simplified Chinese: 一种方法，包括形成闸极结构于基板上；形成覆盖闸极结构的侧壁之封合间隙壁；形成覆盖封合间隙壁的侧壁之牺牲间隙壁；形成源极区域及汲极区域将位于闸极结构下之信道区夹在中间；以及沉积覆盖牺牲间隙壁的侧壁之接触蚀刻停止层。此方法还包括去除牺牲间隙壁以形成沟槽，其中沟槽使接触蚀刻停止层的侧壁和封合间隙壁的侧壁暴露出来；以及沉积层间介电层，其中层间介电层覆盖沟槽，从而界定在沟槽内的气隙。
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公开(公告)号：TW201834078A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106126785
申请日：2017-08-08
Inventor： 游佳達 , YU, CHIA TA , 王聖禎 , WANG, SHENG CHEN , 楊正宇 , YANG, CHENG YU , 李凱璿 , LEE, KAI HSUAN , 楊世海 , YEONG, SAI-HOOI , 楊豐誠 , YANG, FENG CHENG , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/08 , H01L29/49 , H01L29/78
Abstract: 提供一種鰭式場效電晶體元件，鰭式場效電晶體元件包含從介電隔離結構往外向上突出的多個鰭式結構與部份地環繞包覆鰭式結構的多個閘極結構。鰭式結構之每一者在第一方向上延伸，且閘極結構之每一者在不同於第一水平方向之第二水平方向上延伸。磊晶結構形成於鰭式結構之每一者的至少一側表面上。磊晶結構包含第一磊晶層、第二磊晶層或第三磊晶層。形成於每一鰭式結構上的磊晶結構與其相鄰的多個磊晶結構被間隙所隔開。矽化物層形成於磊晶結構之每一者上。矽化物層至少部份地填充於間隙中。導電接觸形成於矽化物層上。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种鳍式场效应管组件，鳍式场效应管组件包含从介电隔离结构往外向上突出的多个鳍式结构与部份地环绕包覆鳍式结构的多个闸极结构。鳍式结构之每一者在第一方向上延伸，且闸极结构之每一者在不同于第一水平方向之第二水平方向上延伸。磊晶结构形成于鳍式结构之每一者的至少一侧表面上。磊晶结构包含第一磊晶层、第二磊晶层或第三磊晶层。形成于每一鳍式结构上的磊晶结构与其相邻的多个磊晶结构被间隙所隔开。硅化物层形成于磊晶结构之每一者上。硅化物层至少部份地填充于间隙中。导电接触形成于硅化物层上。
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公开(公告)号：TWI633663B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW106128283
申请日：2017-08-21
Inventor： 邱耀德 , CHIOU, YAO DE , 呂偉元 , LU, WEI YUAN , 郭建億 , KUO, CHIEN I , 楊世海 , YEONG, SAI-HOOI , 陳燕銘 , CHEN, YEN MING
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