公开(公告)号：TW201640586A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW104139091

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊玉麟 ,  YANG, YU LIN ,  何嘉政 ,  HO, CHIA CHENG ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG LIN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 半導體裝置的形成方法包括形成鰭狀結構於基板上，以及形成第一閘極結構於鰭狀結構的第一部份上。第一氮化物層形成於鰭狀部份的第二部份上。以紫外線曝光第一氮化物層。源極區與汲極區形成於鰭狀結構之第二部份。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备的形成方法包括形成鳍状结构于基板上，以及形成第一闸极结构于鳍状结构的第一部份上。第一氮化物层形成于鳍状部份的第二部份上。以紫外线曝光第一氮化物层。源极区与汲极区形成于鳍状结构之第二部份。

公开(公告)号：TWI626458B

公开(公告)日：2018-06-11

申请号：TW106135179

申请日：2017-10-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  何嘉政 ,  HO, CHIA CHENG ,  林銘祥 ,  LIN, MING SHIANG ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H.

IPC: G01R31/26

公开(公告)号：TWI623043B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW104139091

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊玉麟 ,  YANG, YU LIN ,  何嘉政 ,  HO, CHIA CHENG ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG LIN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

公开(公告)号：TWI584465B

公开(公告)日：2017-05-21

申请号：TW104139343

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  何嘉政 ,  HO, CHIA CHENG ,  張智勝 ,  CHANG, CHIN SHENG ,  楊 育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  楊玉麟 ,  YANG, YU LIN

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66651

公开(公告)号：TW201633461A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104139210

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  何嘉政 ,  HO, CHIA CHENG ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG LIN ,  楊玉麟 ,  YANG, YU LIN

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821

Abstract: 用於製造半導體裝置之方法包括以下步驟：在第一鰭特徵結構的上方形成第一閘極堆疊及在第二鰭特徵結構的上方形成第二閘極堆疊；移除第一閘極堆疊以形成曝露第一鰭特徵結構之第一閘極溝道，移除第二閘極堆疊以形成曝露第二鰭特徵結構之第二閘極溝道；對第一鰭特徵結構之一部份執行高壓退火製程；及在第一鰭特徵結構之彼部份之上方的第一閘極溝道內部形成第一高介電金屬閘極及在第二鰭特徵結構之上方的第二閘極溝道內部形成第二高介電金屬閘極。因此形成具有第一、第二閾值電壓之第一、第二高介電金屬閘極，第二閾值電壓不同於第一閾值電壓。

Abstract in simplified Chinese: 用于制造半导体设备之方法包括以下步骤：在第一鳍特征结构的上方形成第一闸极堆栈及在第二鳍特征结构的上方形成第二闸极堆栈；移除第一闸极堆栈以形成曝露第一鳍特征结构之第一闸极沟道，移除第二闸极堆栈以形成曝露第二鳍特征结构之第二闸极沟道；对第一鳍特征结构之一部份运行高压退火制程；及在第一鳍特征结构之彼部份之上方的第一闸极沟道内部形成第一高介电金属闸极及在第二鳍特征结构之上方的第二闸极沟道内部形成第二高介电金属闸极。因此形成具有第一、第二阈值电压之第一、第二高介电金属闸极，第二阈值电压不同于第一阈值电压。

公开(公告)号：TWI611516B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW104139210

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  何嘉政 ,  HO, CHIA CHENG ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  李宗霖 ,  LEE, TSUNG LIN ,  楊玉麟 ,  YANG, YU LIN

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821

公开(公告)号：TW201633531A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104139343

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  何嘉政 ,  HO, CHIA CHENG ,  張智勝 ,  CHANG, CHIN SHENG ,  楊 育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  楊玉麟 ,  YANG, YU LIN

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66651

Abstract: 半導體裝置包括半導體基板，其具有第一區與第二區。第一區包括第一組的多個鰭狀結構，其包含第一組的多個磊晶之抗擊穿結構，且第一組的磊晶之抗擊穿結構為第一導電型態。第一區亦包含第一組的多個電晶體，位於第一組的鰭狀結構上。第二區包括第二組的多個鰭狀結構，其包含第二組的多個磊晶之抗擊穿結構，第二組的磊晶之抗擊穿結構為第二導電型態，且第一導電型態與第二導電型態相反。第二區亦包含第二組的多個電晶體，位於第二組的鰭狀結構上。第一組的磊晶之抗擊穿結構與第二組的磊晶之抗擊穿結構實質上共平面。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备包括半导体基板，其具有第一区与第二区。第一区包括第一组的多个鳍状结构，其包含第一组的多个磊晶之抗击穿结构，且第一组的磊晶之抗击穿结构为第一导电型态。第一区亦包含第一组的多个晶体管，位于第一组的鳍状结构上。第二区包括第二组的多个鳍状结构，其包含第二组的多个磊晶之抗击穿结构，第二组的磊晶之抗击穿结构为第二导电型态，且第一导电型态与第二导电型态相反。第二区亦包含第二组的多个晶体管，位于第二组的鳍状结构上。第一组的磊晶之抗击穿结构与第二组的磊晶之抗击穿结构实质上共平面。