公开(公告)号：TWI622129B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105138672

申请日：2016-11-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI614894B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW104139205

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  江宏禮 ,  CHIANG, HUNG LI ,  陳宏銘 ,  CHEN, HUNG MING ,  楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI584465B

公开(公告)日：2017-05-21

申请号：TW104139343

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  何嘉政 ,  HO, CHIA CHENG ,  張智勝 ,  CHANG, CHIN SHENG ,  楊 育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  楊玉麟 ,  YANG, YU LIN

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66651

公开(公告)号：TW201541644A

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW103136328

申请日：2014-10-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUOCHENG ,  馮家馨 ,  FUNG, KAHING ,  張智勝 ,  CHANG, CHIHSHENG ,  吳志強 ,  WU, ZHIQIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本揭露提供了一種鰭式場效電晶體(FinFET)裝置的實施例。其裝置包括一個具有n-型FinFET(NFET)區域和一個P-型FinFET(PFET)區域的基板。其裝置也包括一個在NFET區域的基板上的第一鰭片結構和第二鰭片結構以及一個在PFET區域的基板上的第三鰭片結構。其裝置也包括一個在NFET區域的第一高介電常數(HK)/金屬閘極(MG)堆疊，其包括包圍第一鰭片結構的一部分，一第一子集的源/汲(S/D)特徵，相鄰於第一HK/MG堆疊，位於凹陷的第一鰭片結構上以及一個部分在凹陷的第二鰭片結構上和部分在凹陷的第一鰭片結構上的第二子集的S/D特徵。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供了一种鳍式场效应管(FinFET)设备的实施例。其设备包括一个具有n-型FinFET(NFET)区域和一个P-型FinFET(PFET)区域的基板。其设备也包括一个在NFET区域的基板上的第一鳍片结构和第二鳍片结构以及一个在PFET区域的基板上的第三鳍片结构。其设备也包括一个在NFET区域的第一高介电常数(HK)/金属闸极(MG)堆栈，其包括包围第一鳍片结构的一部分，一第一子集的源/汲(S/D)特征，相邻于第一HK/MG堆栈，位于凹陷的第一鳍片结构上以及一个部分在凹陷的第二鳍片结构上和部分在凹陷的第一鳍片结构上的第二子集的S/D特征。

公开(公告)号：TWI485842B

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：TW099132142

申请日：2010-09-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 葉致鍇 ,  YEH, CHIH CHIEH ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L21/8256 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201409553A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102126603

申请日：2013-07-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳忠賢 ,  CHEN, CHUNG HSIEN ,  柯亭竹 ,  KO, TING CHU ,  張志豪 ,  CHANG, CHIH HAO ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  張守仁 ,  CHANG, SHOU ZEN ,  萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848

Abstract: 所提供的是一種半導體裝置，包括：一含主要表面之基材、一P型場效電晶體及一N型場效電晶體。P型場效電晶體包含：一P型閘極堆疊於主要表面上；一P型應變區位於此基材中並鄰接P型閘極堆疊之一側，其中P型應變區與基材之晶格常數不同，其中P型應變區具有一第一頂面高於主要表面；及一P型矽化區於P型應變區上。N型場效電晶體包含：一N型閘極堆疊於主要表面上；一N型應變區位於基材中並鄰接N型閘極堆疊之一側，其中N型應變區與基材之晶格常數不同，其中N型應變區具有一第二頂面低於主要表面；及一N型矽化區於N型應變區上。

Abstract in simplified Chinese: 所提供的是一种半导体设备，包括：一含主要表面之基材、一P型场效应管及一N型场效应管。P型场效应管包含：一P型闸极堆栈于主要表面上；一P型应变区位于此基材中并邻接P型闸极堆栈之一侧，其中P型应变区与基材之晶格常数不同，其中P型应变区具有一第一顶面高于主要表面；及一P型硅化区于P型应变区上。N型场效应管包含：一N型闸极堆栈于主要表面上；一N型应变区位于基材中并邻接N型闸极堆栈之一侧，其中N型应变区与基材之晶格常数不同，其中N型应变区具有一第二顶面低于主要表面；及一N型硅化区于N型应变区上。

公开(公告)号：TWI701725B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：TW107123889

申请日：2018-07-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 呂俊頡 ,  LU, CHUN CHIEH ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66

公开(公告)号：TW201633531A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104139343

申请日：2015-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  何嘉政 ,  HO, CHIA CHENG ,  張智勝 ,  CHANG, CHIN SHENG ,  楊 育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  楊玉麟 ,  YANG, YU LIN

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66651

Abstract: 半導體裝置包括半導體基板，其具有第一區與第二區。第一區包括第一組的多個鰭狀結構，其包含第一組的多個磊晶之抗擊穿結構，且第一組的磊晶之抗擊穿結構為第一導電型態。第一區亦包含第一組的多個電晶體，位於第一組的鰭狀結構上。第二區包括第二組的多個鰭狀結構，其包含第二組的多個磊晶之抗擊穿結構，第二組的磊晶之抗擊穿結構為第二導電型態，且第一導電型態與第二導電型態相反。第二區亦包含第二組的多個電晶體，位於第二組的鰭狀結構上。第一組的磊晶之抗擊穿結構與第二組的磊晶之抗擊穿結構實質上共平面。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备包括半导体基板，其具有第一区与第二区。第一区包括第一组的多个鳍状结构，其包含第一组的多个磊晶之抗击穿结构，且第一组的磊晶之抗击穿结构为第一导电型态。第一区亦包含第一组的多个晶体管，位于第一组的鳍状结构上。第二区包括第二组的多个鳍状结构，其包含第二组的多个磊晶之抗击穿结构，第二组的磊晶之抗击穿结构为第二导电型态，且第一导电型态与第二导电型态相反。第二区亦包含第二组的多个晶体管，位于第二组的鳍状结构上。第一组的磊晶之抗击穿结构与第二组的磊晶之抗击穿结构实质上共平面。

公开(公告)号：TWI538217B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW104101342

申请日：2015-01-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUOCHENG ,  馮家馨 ,  FUNG, KAHING ,  張智勝 ,  CHANG, CHIHSHENG ,  吳志強 ,  WU, ZHIQIANG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/772 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

公开(公告)号：TWI524396B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW102126603

申请日：2013-07-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳忠賢 ,  CHEN, CHUNG HSIEN ,  柯亭竹 ,  KO, TING CHU ,  張志豪 ,  CHANG, CHIH HAO ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  張守仁 ,  CHANG, SHOU ZEN ,  萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848