公开(公告)号：TW202004913A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108106622

申请日：2019-02-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 謝維哲 ,  HSIEH, WEI-CHE ,  黃靖宇 ,  HUANG, CHING-YU ,  葉昕豪 ,  YEH, HSIN-HAO ,  王俊堯 ,  WANG, CHUN-YAO ,  李資良 ,  LEE, TZE-LIANG

IPC: H01L21/318

Abstract: 方法包含在製程腔室內放置晶圓，以及在晶圓的基底層上沉積氮化矽層。沉積氮化矽層的製程包含在製程腔室內通入含矽前驅物，自製程腔室清除含矽前驅物，在製程腔室內通入氫自由基，自製程腔室清除氫自由基，在製程腔室內通入含氮前驅物，以及自製程腔室清除含氮前驅物。

Abstract in simplified Chinese: 方法包含在制程腔室内放置晶圆，以及在晶圆的基底层上沉积氮化硅层。沉积氮化硅层的制程包含在制程腔室内通入含硅前驱物，自制程腔室清除含硅前驱物，在制程腔室内通入氢自由基，自制程腔室清除氢自由基，在制程腔室内通入含氮前驱物，以及自制程腔室清除含氮前驱物。

公开(公告)号：TWI701830B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：TW108116369

申请日：2019-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳亭綱 ,  CHEN, TING-GANG ,  黃泰鈞 ,  HUANG, TAI-CHUN ,  傅依婷 ,  FU, INEZ ,  溫明璋 ,  WEN, MING-CHANG ,  古淑瑗 ,  KU, SHU-YUAN ,  楊復凱 ,  YANG, FU-KAI ,  李資良 ,  LEE, TZE-LIANG ,  盧永誠 ,  LU, YUNG-CHENG

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L29/40

公开(公告)号：TWI697039B

公开(公告)日：2020-06-21

申请号：TW108111611

申请日：2019-04-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 柯忠廷 ,  KO, CHUNG-TING ,  林翰奇 ,  LIN, HAN-CHI ,  王勇智 ,  WANG, YUNG-CHIH ,  王俊堯 ,  WANG, CHUN-YAO ,  黃靖宇 ,  HUANG, CHING-YU ,  李資良 ,  LEE, TZE-LIANG

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/30