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公开(公告)号：TW201351408A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102112630
申请日：2013-04-10
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 黃進義 , HUANG, CHIN YI , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/15 , G11C11/1673
Abstract: 一陣列中之磁阻性記憶體具有高電阻狀態或低電阻狀態用以儲存邏輯值。於讀取操作期間，一偏壓源耦接至一定址記憶體字元，並耦接與位元電阻有關之參數至各位元位置之感測放大器。感測放大器決定此參數值是否高於或低於位於高電阻狀態或低電阻狀態之間之參考值。藉由平均或分離於高電阻狀態或低電阻狀態之參考位元之兩個不同電阻以取得參考值。偏壓電流流動於具有變化之電阻之定址線，可藉由將一電阻自一冗餘定址陣列置入至比較電路以抵銷感測放大器與定址記憶體字元間之因距離不同所造成之影響，其中上述之電阻等同於用以定址選取字元線以及位元位置之導體之電阻。
Abstract in simplified Chinese: 一数组中之磁阻性内存具有高电阻状态或低电阻状态用以存储逻辑值。于读取操作期间，一偏压源耦接至一寻址内存字符，并耦接与比特电阻有关之参数至各比特位置之传感放大器。传感放大器决定此参数值是否高于或低于位于高电阻状态或低电阻状态之间之参考值。借由平均或分离于高电阻状态或低电阻状态之参考比特之两个不同电阻以取得参考值。偏压电流流动于具有变化之电阻之寻址线，可借由将一电阻自一冗余寻址数组置入至比较电路以抵销传感放大器与寻址内存字符间之因距离不同所造成之影响，其中上述之电阻等同于用以寻址选取字符线以及比特位置之导体之电阻。
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公开(公告)号：TWI503820B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW102112987
申请日：2013-04-12
Inventor： 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG , 池育德 , CHIH, YUE DER , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG
CPC classification number: G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C29/74
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公开(公告)号：TWI550925B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW102112034
申请日：2013-04-03
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI528357B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102112630
申请日：2013-04-10
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 黃進義 , HUANG, CHIN YI , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/15 , G11C11/1673
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公开(公告)号：TW201351409A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102112987
申请日：2013-04-12
Inventor： 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG , 池育德 , CHIH, YUE DER , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG
CPC classification number: G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C29/74
Abstract: 一種磁阻式記憶體，具有不同運作方式之第一磁性穿隧接面元件和第二磁性穿隧接面元件，每一個磁性穿隧接面皆具有釘扎層以及具有以平行或反平行排列之極化方向之自由層，用以產生不同之高電阻狀態和低電阻狀態以表示一位元單元之值。將高電阻狀態寫入一元件中需要以相反之寫入電流極性通過釘扎層和自由層，而差動運作需要兩個磁性穿隧接面元件寫入不同之電阻狀態。一方面為以一般順序和反向順序設置或連接之層與一偏壓電流源有關，藉此所獲得之反向寫入電流極性與利用相同電流極性之層有關，其中利用相同電流極性之層與偏壓電流源有關。差動運作之磁性穿隧接面元件能增補或取代位於一非揮發性記憶體位元單元陣列內之單一磁性穿隧元件。
Abstract in simplified Chinese: 一种磁阻式内存，具有不同运作方式之第一磁性穿隧接面组件和第二磁性穿隧接面组件，每一个磁性穿隧接面皆具有钉扎层以及具有以平行或反平行排列之极化方向之自由层，用以产生不同之高电阻状态和低电阻状态以表示一比特单元之值。将高电阻状态写入一组件中需要以相反之写入电流极性通过钉扎层和自由层，而差动运作需要两个磁性穿隧接面组件写入不同之电阻状态。一方面为以一般顺序和反向顺序设置或连接之层与一偏压电流源有关，借此所获得之反向写入电流极性与利用相同电流极性之层有关，其中利用相同电流极性之层与偏压电流源有关。差动运作之磁性穿隧接面组件能增补或取代位于一非挥发性内存比特单元数组内之单一磁性穿隧组件。
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公开(公告)号：TWI489453B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW102103886
申请日：2013-02-01
Inventor： 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 池育徳 , CHIH, YUE DER , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C13/004 , G11C29/74
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公开(公告)号：TW201351739A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102112034
申请日：2013-04-03
Inventor： 池育德 , CHIH, YUE DER , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673
Abstract: 參考電路分辨磁阻記憶體元件如位元單元之高或低阻抗狀態。參考電路具有位於相反的高阻抗狀態RH以及低阻抗狀態RL之複數磁性穿隧接面元件，提供一電壓、電流或其他參數用以與需要分辨阻抗狀態之記憶體元件相比較。上述參數代表跨越RH以及RL之中間阻抗，如平均或兩相並聯之阻抗。參考MTJ元件以上述記憶體元件相同之讀取電流源偏壓，但其磁性層卻依物理上或偏壓電流路徑之相反的順序。偏壓參考MTJ元件以排除任何讀取干擾風險。上述記憶體位元單元沿著可比較的路徑耦接至相同偏壓極性源，可免除在其二可能邏輯狀態之一者時之讀取干擾風險。
Abstract in simplified Chinese: 参考电路分辨磁阻内存组件如比特单元之高或低阻抗状态。参考电路具有位于相反的高阻抗状态RH以及低阻抗状态RL之复数磁性穿隧接面组件，提供一电压、电流或其他参数用以与需要分辨阻抗状态之内存组件相比较。上述参数代表跨越RH以及RL之中间阻抗，如平均或两相并联之阻抗。参考MTJ组件以上述内存组件相同之读取电流源偏压，但其磁性层却依物理上或偏压电流路径之相反的顺序。偏压参考MTJ组件以排除任何读取干扰风险。上述内存比特单元沿着可比较的路径耦接至相同偏压极性源，可免除在其二可能逻辑状态之一者时之读取干扰风险。
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公开(公告)号：TW201333948A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW102103886
申请日：2013-02-01
Inventor： 于鴻昌 , YU, HUNG CHANG , 林楷竣 , LIN, KAI CHUN , 池育徳 , CHIH, YUE DER , 林春榮 , LIN, CHUN JUNG
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C13/004 , G11C29/74
Abstract: 本發明提供一種自我參考讀出電路，包括：一電流偏置電源以及一切換電路，用以建立代表未知電阻態的電流振幅與電位差；一儲存電路，用以儲存代表該未知電阻態之一數值；一寫出電路用以建立代表該未知電阻態的狀態，而後建立代表該施加的電阻態的電流振幅與電位差；一電流求和節點用以計算兩電流位準之總和值；以及一輸出電路用以回應該總和值以確認該未知電阻態與該施加的電阻態彼此相同或是不同。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种自我参考读出电路，包括：一电流偏置电源以及一切换电路，用以创建代表未知电阻态的电流振幅与电位差；一存储电路，用以存储代表该未知电阻态之一数值；一写出电路用以创建代表该未知电阻态的状态，而后创建代表该施加的电阻态的电流振幅与电位差；一电流求和节点用以计算两电流位准之总和值；以及一输出电路用以回应该总和值以确认该未知电阻态与该施加的电阻态彼此相同或是不同。
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