公开(公告)号：TWI509765B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW102135536

申请日：2013-10-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡紓婷 ,  TSAI, SHUTING ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUNNIAN ,  王銓中 ,  WANG, CHENJONG ,  劉人誠 ,  LIU, JENCHENG ,  洪豐基 ,  HUNG, FENGCHI ,  許慈軒 ,  HSU, TZUHSUAN ,  陳愉婷 ,  CHEN, UTING ,  林政賢 ,  LIN, JENGSHYAN ,  蔡雙吉 ,  TSAI, SHUANGJI

IPC: H01L23/52 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/00 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/281 ,  H01L31/1876 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

公开(公告)号：TW201436153A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102135536

申请日：2013-10-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡紓婷 ,  TSAI, SHUTING ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUNNIAN ,  王銓中 ,  WANG, CHENJONG ,  劉人誠 ,  LIU, JENCHENG ,  洪豐基 ,  HUNG, FENGCHI ,  許慈軒 ,  HSU, TZUHSUAN ,  陳愉婷 ,  CHEN, UTING ,  林政賢 ,  LIN, JENGSHYAN ,  蔡雙吉 ,  TSAI, SHUANGJI

IPC: H01L23/52 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/00 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/281 ,  H01L31/1876 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置，該半導體裝置包含：第一半導體晶片，包括第一基板及形成於第一基板上之複數個第一金屬接線；及第二半導體晶片，接合於第一半導體晶片上，其中第二半導體晶片包含第二基板及形成於第二基板上之複數個第二金屬接線。半導體裝置進一步包含耦接在第一金屬接線與第二金屬接線之間的導電插塞，其中該導電插塞包含形成於硬遮罩層之第一側上的第一部分及形成於硬遮罩層之第二側上的第二部分，其中該第一部分具有第一寬度，其中該第二部分具有第二寬度，該第二寬度大於或等於該第一寬度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备，该半导体设备包含：第一半导体芯片，包括第一基板及形成于第一基板上之复数个第一金属接线；及第二半导体芯片，接合于第一半导体芯片上，其中第二半导体芯片包含第二基板及形成于第二基板上之复数个第二金属接线。半导体设备进一步包含耦接在第一金属接线与第二金属接线之间的导电插塞，其中该导电插塞包含形成于硬遮罩层之第一侧上的第一部分及形成于硬遮罩层之第二侧上的第二部分，其中该第一部分具有第一宽度，其中该第二部分具有第二宽度，该第二宽度大于或等于该第一宽度。