半導體裝置及其製造方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201521183A

    公开(公告)日:2015-06-01

    申请号:TW103111648

    申请日:2014-03-28

    Abstract: 一種半導體裝置包括一邏輯區與一記憶體區。該記憶體區具有包括一半導體元件之一主動區。該記憶體區亦具有位於該主動區上之一或多個介電層內之一電容器,其中該電容器係位於該半導體元件之上。該半導體裝置亦包括位於至少該邏輯區與該記憶體區其中之一內之一保護環,且該保護環分隔了該邏輯區與該記憶體區。該電容器具有一第一電極、一第二電極與位於該第一電極與該第二電極之間之一絕緣層,其中該第一電極大體大於該電容器之其他部分。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括一逻辑区与一内存区。该内存区具有包括一半导体组件之一主动区。该内存区亦具有位于该主动区上之一或多个介电层内之一电容器,其中该电容器系位于该半导体组件之上。该半导体设备亦包括位于至少该逻辑区与该内存区其中之一内之一保护环,且该保护环分隔了该逻辑区与该内存区。该电容器具有一第一电极、一第二电极与位于该第一电极与该第二电极之间之一绝缘层,其中该第一电极大体大于该电容器之其他部分。

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