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公开(公告)号：TWI543340B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103111648
申请日：2014-03-28
Inventor： 徐晨祐 , HSU, CHERN YOW , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG , 王銓中 , WANG, CHEN JONG
IPC: H01L27/115 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L21/76877 , H01L27/10814 , H01L27/1085 , H01L27/10897 , H01L28/90
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公开(公告)号：TW201521183A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103111648
申请日：2014-03-28
Inventor： 徐晨祐 , HSU, CHERN YOW , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG , 王銓中 , WANG, CHEN JONG
IPC: H01L27/115 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L21/76877 , H01L27/10814 , H01L27/1085 , H01L27/10897 , H01L28/90
Abstract: 一種半導體裝置包括一邏輯區與一記憶體區。該記憶體區具有包括一半導體元件之一主動區。該記憶體區亦具有位於該主動區上之一或多個介電層內之一電容器，其中該電容器係位於該半導體元件之上。該半導體裝置亦包括位於至少該邏輯區與該記憶體區其中之一內之一保護環，且該保護環分隔了該邏輯區與該記憶體區。該電容器具有一第一電極、一第二電極與位於該第一電極與該第二電極之間之一絕緣層，其中該第一電極大體大於該電容器之其他部分。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括一逻辑区与一内存区。该内存区具有包括一半导体组件之一主动区。该内存区亦具有位于该主动区上之一或多个介电层内之一电容器，其中该电容器系位于该半导体组件之上。该半导体设备亦包括位于至少该逻辑区与该内存区其中之一内之一保护环，且该保护环分隔了该逻辑区与该内存区。该电容器具有一第一电极、一第二电极与位于该第一电极与该第二电极之间之一绝缘层，其中该第一电极大体大于该电容器之其他部分。
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公开(公告)号：TW201417227A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102134695
申请日：2013-09-26
Inventor： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 王銓中 , WANG, CHEN JONG , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/05026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80121 , H01L2224/80203 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05032 , H01L2924/0504 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2924/05042 , H01L2924/059 , H01L2224/05552
Abstract: 本發明實施例之擴散阻障層係提供形成一銅擴散阻障層的機制，以避免因晶圓混成接合造成元件衰退。擴散阻障層係包圍用於混成接合製程的含銅導電墊。擴散阻障層可位於兩個接合晶片的其中之一上或位於兩個接合晶片上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例之扩散阻障层系提供形成一铜扩散阻障层的机制，以避免因晶圆混成接合造成组件衰退。扩散阻障层系包围用于混成接合制程的含铜导电垫。扩散阻障层可位于两个接合芯片的其中之一上或位于两个接合芯片上。
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公开(公告)号：TWI509765B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102135536
申请日：2013-10-01
Inventor： 蔡紓婷 , TSAI, SHUTING , 楊敦年 , YAUNG, DUNNIAN , 王銓中 , WANG, CHENJONG , 劉人誠 , LIU, JENCHENG , 洪豐基 , HUNG, FENGCHI , 許慈軒 , HSU, TZUHSUAN , 陳愉婷 , CHEN, UTING , 林政賢 , LIN, JENGSHYAN , 蔡雙吉 , TSAI, SHUANGJI
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/00 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/14621 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/281 , H01L31/1876 , H01L2224/08145 , H01L2224/80894 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2224/80 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
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公开(公告)号：TW201436153A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102135536
申请日：2013-10-01
Inventor： 蔡紓婷 , TSAI, SHUTING , 楊敦年 , YAUNG, DUNNIAN , 王銓中 , WANG, CHENJONG , 劉人誠 , LIU, JENCHENG , 洪豐基 , HUNG, FENGCHI , 許慈軒 , HSU, TZUHSUAN , 陳愉婷 , CHEN, UTING , 林政賢 , LIN, JENGSHYAN , 蔡雙吉 , TSAI, SHUANGJI
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/00 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/14621 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/281 , H01L31/1876 , H01L2224/08145 , H01L2224/80894 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2224/80 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
Abstract: 本發明提供一種半導體裝置，該半導體裝置包含：第一半導體晶片，包括第一基板及形成於第一基板上之複數個第一金屬接線；及第二半導體晶片，接合於第一半導體晶片上，其中第二半導體晶片包含第二基板及形成於第二基板上之複數個第二金屬接線。半導體裝置進一步包含耦接在第一金屬接線與第二金屬接線之間的導電插塞，其中該導電插塞包含形成於硬遮罩層之第一側上的第一部分及形成於硬遮罩層之第二側上的第二部分，其中該第一部分具有第一寬度，其中該第二部分具有第二寬度，該第二寬度大於或等於該第一寬度。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备，该半导体设备包含：第一半导体芯片，包括第一基板及形成于第一基板上之复数个第一金属接线；及第二半导体芯片，接合于第一半导体芯片上，其中第二半导体芯片包含第二基板及形成于第二基板上之复数个第二金属接线。半导体设备进一步包含耦接在第一金属接线与第二金属接线之间的导电插塞，其中该导电插塞包含形成于硬遮罩层之第一侧上的第一部分及形成于硬遮罩层之第二侧上的第二部分，其中该第一部分具有第一宽度，其中该第二部分具有第二宽度，该第二宽度大于或等于该第一宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI691066B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW107137391
申请日：2018-10-23
Inventor： 高橋誠司 , TAKAHASHI, SEIJI , 王銓中 , WANG, CHEN-JONG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 許峰嘉 , SHIU, FENG-JIA , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 施俊吉 , SZE, JHY-JYI , 張浚威 , CHANG, CHUN-WEI , 徐偉誠 , HSU, WEI-CHENG , 吳尉壯 , WU, WEI-CHUANG , 黃益民 , HUANG, YI-MIN
IPC: H01L27/146
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公开(公告)号：TW202005068A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW107137391
申请日：2018-10-23
Inventor： 高橋誠司 , TAKAHASHI, SEIJI , 王銓中 , WANG, CHEN-JONG , 楊敦年 , YAUNG, DUN-NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 許峰嘉 , SHIU, FENG-JIA , 劉人誠 , LIU, JEN-CHENG , 施俊吉 , SZE, JHY-JYI , 張浚威 , CHANG, CHUN-WEI , 徐偉誠 , HSU, WEI-CHENG , 吳尉壯 , WU, WEI-CHUANG , 黃益民 , HUANG, YI-MIN
IPC: H01L27/146
Abstract: 本發明提供一種像素感測器。像素感測器包含配置於半導體基底中的第一光偵測器。第二光偵測器配置於半導體基底中，其中第一實質直線軸與第一光偵測器的中心點及第二光偵測器的中心點相交。浮動擴散節點配置於半導體基底中，所述浮動擴散節點處於距第一光偵測器及第二光偵測器實質上相等距離的點。拾取井接觸區配置於半導體基底中，其中實質上垂直於第一實質直線軸的第二實質直線軸與浮動擴散節點的中心點及拾取井接觸區的中心點相交。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种像素传感器。像素传感器包含配置于半导体基底中的第一光侦测器。第二光侦测器配置于半导体基底中，其中第一实质直线轴与第一光侦测器的中心点及第二光侦测器的中心点相交。浮动扩散节点配置于半导体基底中，所述浮动扩散节点处于距第一光侦测器及第二光侦测器实质上相等距离的点。十取井接触区配置于半导体基底中，其中实质上垂直于第一实质直线轴的第二实质直线轴与浮动扩散节点的中心点及十取井接触区的中心点相交。
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公开(公告)号：TWI502700B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW102134695
申请日：2013-09-26
Inventor： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 王銓中 , WANG, CHEN JONG , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳曉萌 , CHEN, XIAOMENG
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/05026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80121 , H01L2224/80203 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05032 , H01L2924/0504 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2924/05042 , H01L2924/059 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：TW201535682A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103145704
申请日：2014-12-26
Inventor： 徐晨祐 , HSU, CHERN YOW , 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 陳 曉萌 , CHEN, XIAO-MENG , 王銓中 , WANG, CHEN JONG
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/90
Abstract: 半導體配置包括主動區，其包括半導體裝置。半導體配置包括電容。電容包括第一電極於主動區上的至少一介電層上。第一電極圍繞電容中的開口空間。第一電極具有非線性的第一電極側壁。
Abstract in simplified Chinese: 半导体配置包括主动区，其包括半导体设备。半导体配置包括电容。电容包括第一电极于主动区上的至少一介电层上。第一电极围绕电容中的开口空间。第一电极具有非线性的第一电极侧壁。
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公开(公告)号：TW201729408A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105139138
申请日：2016-11-28
Inventor： 許慈軒 , HSU, TZU-HSUAN , 王俊智 , WANG, CHING-CHUN , 曾建賢 , TSENG, CHIEN-HSIEN , 王銓中 , WANG, CHEN-JONG , 洪豐基 , HUNG, FENG-CHI , 許文義 , HSU, WEN-I
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14678 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 提供一種用於偏壓背側深溝槽隔離(BDTI)及/或偏壓背側屏蔽之背側照明式(BSI)影像感測器。一光偵測器經配置於一半導體基板中、橫向毗鄰於該半導體基板中之一周邊開口。一互連結構經配置於該半導體基板下方。一墊結構經配置於該周邊開口中，且穿過該周邊開口之一下部表面突出至該互連結構。一導電層電經耦合至該墊結構，且自該墊結構上方朝向該光偵測器橫向延伸。亦提供一種用於製造該BSI影像感測器之方法。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种用于偏压背侧深沟槽隔离(BDTI)及/或偏压背侧屏蔽之背侧照明式(BSI)影像传感器。一光侦测器经配置于一半导体基板中、横向毗邻于该半导体基板中之一周边开口。一互链接构经配置于该半导体基板下方。一垫结构经配置于该周边开口中，且穿过该周边开口之一下部表面突出至该互链接构。一导电层电经耦合至该垫结构，且自该垫结构上方朝向该光侦测器横向延伸。亦提供一种用于制造该BSI影像传感器之方法。
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