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公开(公告)号:TWI694499B
公开(公告)日:2020-05-21
申请号:TW107115739
申请日:2018-05-09
Inventor: 呂俊頡 , LU, CHUN CHIEH , 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 李建興 , LEE, CHIEN HSING , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 戴爾茲 卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H.
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/43 , H01L29/778
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公开(公告)号:TWI701725B
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:TW107123889
申请日:2018-07-10
Inventor: 呂俊頡 , LU, CHUN CHIEH , 卡羅司 迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H. , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 葉凌彥 , YEH, LING YEN
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3.具有環繞式閘極場效電晶體之半導體裝置、製造環繞式閘極場效電晶體的方法及其閘極結構的形成方法 有权
Simplified title: 具有环绕式闸极场效应管之半导体设备、制造环绕式闸极场效应管的方法及其闸极结构的形成方法公开(公告)号:TWI680505B
公开(公告)日:2019-12-21
申请号:TW106131058
申请日:2017-09-11
Inventor: 呂俊頡 , LU, CHUN CHIEH , 珍 皮爾 柯林 , COLINGE, JEAN-PIERRE , 後藤賢一 , GOTO, KEN-ICHI , 吳志強 , WU, ZHI-QIANG , 林佑明 , LIN, YU MING
IPC: H01L21/283 , H01L21/336 , H01L29/43
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公开(公告)号:TWI583006B
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:TW104122868
申请日:2015-07-15
Inventor: 周淳朴 , JOU, CHEWN PU , 柯誌欣 , KO, CHIH HSIN , 邱博文 , CHIU, PO WEN , 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 呂俊頡 , LU, CHUN CHIEH , 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 陳煥能 , CHEN, HUAN NENG , 薛福隆 , HSUEH, FU LUNG
IPC: H01L29/92 , H01L23/485 , H01L21/50
CPC classification number: H01L28/75 , C01B2204/04 , C01B2204/32 , H01G4/005 , H01G4/008 , H01L21/76852 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53257 , H01L23/53266 , H01L23/53276 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201618312A
公开(公告)日:2016-05-16
申请号:TW104122868
申请日:2015-07-15
Inventor: 周淳朴 , JOU, CHEWN PU , 柯誌欣 , KO, CHIH HSIN , 邱博文 , CHIU, PO WEN , 鄭兆欽 , CHENG, CHAO CHING , 呂俊頡 , LU, CHUN CHIEH , 黃崎峰 , HUANG, CHI FENG , 陳煥能 , CHEN, HUAN NENG , 薛福隆 , HSUEH, FU LUNG
IPC: H01L29/92 , H01L23/485 , H01L21/50
CPC classification number: H01L28/75 , C01B2204/04 , C01B2204/32 , H01G4/005 , H01G4/008 , H01L21/76852 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53257 , H01L23/53266 , H01L23/53276 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一種電容器包括一第一石墨烯結構,具有複數個第一石墨烯層。該電容器更包括一介電層,在該第一石墨烯結構上方。該電容器更包括一第二石墨烯結構,在該介電層上方,其中該第二石墨烯結構具有複數個第二石墨烯層。
Abstract in simplified Chinese: 一种电容器包括一第一石墨烯结构,具有复数个第一石墨烯层。该电容器更包括一介电层,在该第一石墨烯结构上方。该电容器更包括一第二石墨烯结构,在该介电层上方,其中该第二石墨烯结构具有复数个第二石墨烯层。
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