公开(公告)号：TWI701725B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：TW107123889

申请日：2018-07-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 呂俊頡 ,  LU, CHUN CHIEH ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66

公开(公告)号：TWI669754B

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：TW107125378

申请日：2018-07-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡惠銘 ,  TSAI, WILMAN ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L29/778

公开(公告)号：TWI607544B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW105136918

申请日：2016-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L23/535 ,  H01L29/04 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI520266B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW103110612

申请日：2014-03-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  施啓元 ,  SHIH, CHI YUAN ,  蔡偉駿 ,  TSAI, WEI CHUN

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/34 ,  H01L23/544 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L2223/54453

公开(公告)号：TW201407786A

公开(公告)日：2014-02-16

申请号：TW102125494

申请日：2013-07-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  施啓元 ,  SHIH, CHI YUAN ,  陳彥友 ,  CHEN, YEN YU

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明係關於一種半導體裝置。用於此半導體裝置之一種接觸結構包括：一基板，包括一主表面以及位於該主表面下方之一空室；一應變材料，位於該空室內，其中該應變材料之一晶格常數不同於該基板之一晶格常數；一含鍺介電層，位於該應變材料上；以及一金屬層，位於該含鍺介電層上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种半导体设备。用于此半导体设备之一种接触结构包括：一基板，包括一主表面以及位于该主表面下方之一空室；一应变材料，位于该空室内，其中该应变材料之一晶格常数不同于该基板之一晶格常数；一含锗介电层，位于该应变材料上；以及一金属层，位于该含锗介电层上。

公开(公告)号：TW202008454A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108125488

申请日：2019-07-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H.

IPC: H01L21/306

Abstract: 堆疊形成於基材上方。所述堆疊包括多個第一磊晶層和多個第二磊晶層，此些第一磊晶層和此些第二磊晶層彼此交替地堆疊。第一磊晶層包括硫、磷、硒、砷或上述的組合。對堆疊進行第一蝕刻製程，以形成鰭。介電層形成於鰭上方。暴露出鰭的通道區。使用碳氫化合物化學蝕刻法，對鰭的通道區中的第一磊晶層之每一者的第一部分進行第二蝕刻製程。第二蝕刻製程蝕刻第一磊晶層的蝕刻速率高於第二蝕刻製程蝕刻第二磊晶層的蝕刻速率。形成閘極結構，此閘極結構環繞鰭的通道區中的第二磊晶層之每一者的第一部分。

Abstract in simplified Chinese: 堆栈形成于基材上方。所述堆栈包括多个第一磊晶层和多个第二磊晶层，此些第一磊晶层和此些第二磊晶层彼此交替地堆栈。第一磊晶层包括硫、磷、硒、砷或上述的组合。对堆栈进行第一蚀刻制程，以形成鳍。介电层形成于鳍上方。暴露出鳍的信道区。使用碳氢化合物化学蚀刻法，对鳍的信道区中的第一磊晶层之每一者的第一部分进行第二蚀刻制程。第二蚀刻制程蚀刻第一磊晶层的蚀刻速率高于第二蚀刻制程蚀刻第二磊晶层的蚀刻速率。形成闸极结构，此闸极结构环绕鳍的信道区中的第二磊晶层之每一者的第一部分。

公开(公告)号：TWI622129B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105138672

申请日：2016-11-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201732955A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105136665

申请日：2016-11-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/47573 ,  H01L23/3171 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/401 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一種場效電晶體(FET)包含在基板上之黑磷(BP)層。BP層包含通道、源極及汲極區域。FET進一步包含在BP層上且與其直接接觸之鈍化層。鈍化層提供分別在源極及汲極區域上之第一及第二開口。FET進一步包含經由第一及第二開口與源極及汲極區域直接接觸之源極及汲極接觸件。FET進一步包含在通道區域上之閘電極。在一實施例中，鈍化層進一步包含在通道區域上之第三開口且FET進一步包含經由第三開口與通道區域直接接觸之閘極介電層。亦揭露製造FET之方法。

Abstract in simplified Chinese: 一种场效应管(FET)包含在基板上之黑磷(BP)层。BP层包含信道、源极及汲极区域。FET进一步包含在BP层上且与其直接接触之钝化层。钝化层提供分别在源极及汲极区域上之第一及第二开口。FET进一步包含经由第一及第二开口与源极及汲极区域直接接触之源极及汲极接触件。FET进一步包含在信道区域上之闸电极。在一实施例中，钝化层进一步包含在信道区域上之第三开口且FET进一步包含经由第三开口与信道区域直接接触之闸极介电层。亦揭露制造FET之方法。

公开(公告)号：TWI524446B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW102140983

申请日：2013-11-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN ,  奧野泰利 ,  OKUNO, YASUTOSHI ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  施啓元 ,  SHIH, CHI YUAN ,  邵元輔 ,  SHAO, YUAN FU ,  蔡偉駿 ,  TSAI, WEI CHUN

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L21/30625 ,  H01L22/34 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66795

公开(公告)号：TWI699836B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW105136665

申请日：2016-11-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78