半導體裝置的製造方法
    6.
    发明专利
    半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备的制造方法

    公开(公告)号:TW202008454A

    公开(公告)日:2020-02-16

    申请号:TW108125488

    申请日:2019-07-18

    Abstract: 堆疊形成於基材上方。所述堆疊包括多個第一磊晶層和多個第二磊晶層,此些第一磊晶層和此些第二磊晶層彼此交替地堆疊。第一磊晶層包括硫、磷、硒、砷或上述的組合。對堆疊進行第一蝕刻製程,以形成鰭。介電層形成於鰭上方。暴露出鰭的通道區。使用碳氫化合物化學蝕刻法,對鰭的通道區中的第一磊晶層之每一者的第一部分進行第二蝕刻製程。第二蝕刻製程蝕刻第一磊晶層的蝕刻速率高於第二蝕刻製程蝕刻第二磊晶層的蝕刻速率。形成閘極結構,此閘極結構環繞鰭的通道區中的第二磊晶層之每一者的第一部分。

    Abstract in simplified Chinese: 堆栈形成于基材上方。所述堆栈包括多个第一磊晶层和多个第二磊晶层,此些第一磊晶层和此些第二磊晶层彼此交替地堆栈。第一磊晶层包括硫、磷、硒、砷或上述的组合。对堆栈进行第一蚀刻制程,以形成鳍。介电层形成于鳍上方。暴露出鳍的信道区。使用碳氢化合物化学蚀刻法,对鳍的信道区中的第一磊晶层之每一者的第一部分进行第二蚀刻制程。第二蚀刻制程蚀刻第一磊晶层的蚀刻速率高于第二蚀刻制程蚀刻第二磊晶层的蚀刻速率。形成闸极结构,此闸极结构环绕鳍的信道区中的第二磊晶层之每一者的第一部分。

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