-
公开(公告)号：TWI615937B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105133837
申请日：2016-10-20
Inventor： 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 嚴永松 , YEN, YUNG SUNG , 陳俊光 , CHEN, CHUN KUANG , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN
IPC: H01L23/52
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L21/76816 , H01L21/76892 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L28/00
-
公开(公告)号：TW201739005A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106112964
申请日：2017-04-18
Inventor： 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 莊正吉 , CHUANG, CHENG CHI , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 吳佳典 , WU, CHIA TIEN , 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 楊惠婷 , YANG, HUI TING , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 陳順利 , CHEN, SHUN LI , 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 林天祿 , LIN, TIEN LU
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76883 , H01L21/76892 , H01L23/5226 , H01L27/0207 , H01L29/4916
Abstract: 本案提供一積體電路實例，此積體電路具有含金屬切割的高階二維(2D)金屬連接，且提供製造此積體電路之方法。用於製造積體電路的導電互連層的示例性方法可包含：藉由使用遠紫外線(extreme ultraviolet；EUV)微影術在積體電路的導電互連層上圖案化導電連接件部分，其中導電連接件部分經圖案化以橫穿積體電路的不同層中之多個半導體結構而延伸；及將導電連接件部分切割為複數個導電連接件段，其中導電連接件部分是藉由從半導體結構之間的金屬連接件部分的一或更多個位置上移除導電材料而切割的。
Abstract in simplified Chinese: 本案提供一集成电路实例，此集成电路具有含金属切割的高级二维(2D)金属连接，且提供制造此集成电路之方法。用于制造集成电路的导电互连层的示例性方法可包含：借由使用远紫外线(extreme ultraviolet；EUV)微影术在集成电路的导电互连层上图案化导电连接件部分，其中导电连接件部分经图案化以横穿集成电路的不同层中之多个半导体结构而延伸；及将导电连接件部分切割为复数个导电连接件段，其中导电连接件部分是借由从半导体结构之间的金属连接件部分的一或更多个位置上移除导电材料而切割的。
-
公开(公告)号：TW201715684A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105133837
申请日：2016-10-20
Inventor： 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 嚴永松 , YEN, YUNG SUNG , 陳俊光 , CHEN, CHUN KUANG , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN
IPC: H01L23/52
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L21/76816 , H01L21/76892 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L28/00
Abstract: 本發明實施例提供一種具有雙電源軌結構的積體晶片。積體晶片包括第一金屬內連線層，具有以第一方向延伸的第一下方金屬線。第二金屬內連線層，包括連接引腳，藉由第一介層孔層耦接至第一下方金屬線且以第二方向延伸於第一下方金屬線上方，第二方向垂直於第一方向。第三金屬內連線層，包括上方金屬線，以第一方向延伸於第一下方金屬線和連接引腳上方。上方金屬線藉由第二介層孔層耦接至連接引腳，第二介層孔層係配置位於第一介層孔層上方。藉由下方金屬佈線和上方金屬佈線減小連接至連接引腳的電流密度，從而減小電致遷移及/或壓降問題。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种具有双电源轨结构的积体芯片。积体芯片包括第一金属内连接层，具有以第一方向延伸的第一下方金属线。第二金属内连接层，包括连接引脚，借由第一介层孔层耦接至第一下方金属线且以第二方向延伸于第一下方金属在线方，第二方向垂直于第一方向。第三金属内连接层，包括上方金属线，以第一方向延伸于第一下方金属线和连接引脚上方。上方金属线借由第二介层孔层耦接至连接引脚，第二介层孔层系配置位于第一介层孔层上方。借由下方金属布线和上方金属布线减小连接至连接引脚的电流密度，从而减小电致迁移及/或压降问题。
-
公开(公告)号：TWI627549B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW106115171
申请日：2017-05-08
Inventor： 林威呈 , LIN, WEI CHENG , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 簡瑋成 , CHIEN, WEI CHEN
IPC: G06F17/50
-
公开(公告)号：TW202008589A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126634
申请日：2019-07-26
Inventor： 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 林威呈 , LIN, WEI CHENG
Abstract: 一種包含電源結構的積體電路包含位於覆蓋基板的第一金屬層之下的兩個埋入電力軌、以及在覆蓋第一金屬層的第二金屬層中的兩個上部電力軌。兩個上部電力軌垂直於兩個埋入電力軌。積體電路包含具有功能電路的電力拾取單元。功能電路包含在第一金屬層之下的導電區段以及第一金屬層中的電力墊。電力墊經由第一通孔導電連接到一個上部電力軌。第一電力墊經由第二通孔導電連接到第一導電區段。第一導電區段經由第三通孔導電連接到一個埋入電力軌。
Abstract in simplified Chinese: 一种包含电源结构的集成电路包含位于覆盖基板的第一金属层之下的两个埋入电力轨、以及在覆盖第一金属层的第二金属层中的两个上部电力轨。两个上部电力轨垂直于两个埋入电力轨。集成电路包含具有功能电路的电力十取单元。功能电路包含在第一金属层之下的导电区段以及第一金属层中的电力垫。电力垫经由第一通孔导电连接到一个上部电力轨。第一电力垫经由第二通孔导电连接到第一导电区段。第一导电区段经由第三通孔导电连接到一个埋入电力轨。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI642141B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105126270
申请日：2016-08-17
Inventor： 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 陳順利 , CHEN, SHUN LI , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 陳俊光 , CHEN, CHUN KUANG , 劉如淦 , LIU, RU GUN
IPC: H01L21/768 , G06F17/50
-
公开(公告)号：TW201812624A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106115171
申请日：2017-05-08
Inventor： 林威呈 , LIN, WEI CHENG , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 劉如淦 , LIU, RU GUN , 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 簡瑋成 , CHIEN, WEI CHEN
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F17/5072
Abstract: 本文揭示了一種形成用於製造積體電路之佈局設計之方法。此方法包括基於設計準則產生積體電路之第一佈局；產生積體電路之標準單元佈局；基於第一佈局及標準單元佈局產生積體電路之通孔顏色佈局以及基於設計規則在通孔顏色佈局上執行顏色檢查。第一佈局具有佈置在第一行及第一列中之第一組通孔。標準單元佈局具有標準單元及佈置在標準單元中之第二組通孔。通孔顏色佈局具有第三組通孔。第三組通孔包括第二組通孔之部分及對應位置，以及對應子組通孔之顏色。
Abstract in simplified Chinese: 本文揭示了一种形成用于制造集成电路之布局设计之方法。此方法包括基于设计准则产生集成电路之第一布局；产生集成电路之标准单元布局；基于第一布局及标准单元布局产生集成电路之通孔颜色布局以及基于设计守则在通孔颜色布局上运行颜色检查。第一布局具有布置在第一行及第一列中之第一组通孔。标准单元布局具有标准单元及布置在标准单元中之第二组通孔。通孔颜色布局具有第三组通孔。第三组通孔包括第二组通孔之部分及对应位置，以及对应子组通孔之颜色。
-
公开(公告)号：TW201742190A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105126270
申请日：2016-08-17
Inventor： 楊超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 陳志良 , CHEN, CHIH LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 陳順利 , CHEN, SHUN LI , 蕭錦濤 , SIO, KAM TOU , 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 陳俊光 , CHEN, CHUN KUANG , 劉如淦 , LIU, RU GUN
IPC: H01L21/768 , G06F17/50
CPC classification number: H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/0207
Abstract: 一種用以形成半導體結構的佈局方法包含下列步驟：在半導體結構之基板的第一主動區塊、第二主動區塊及非主動區塊上方佈置複數個閘極結構，非主動區塊用以分隔第一主動區塊及第二主動區塊；佈置複數個接點於第一主動區塊及第二主動區塊上；佈置至少一閘極連通器於第一主動區塊或第二主動區塊上，閘極連通器與閘極結構電性耦接；以及，選擇性地佈置區域連接器跨越非主動區塊，區域連接器用以將第一主動區塊上的至少一個接點耦接至第二主動區塊上的至少一個接點。
Abstract in simplified Chinese: 一种用以形成半导体结构的布局方法包含下列步骤：在半导体结构之基板的第一主动区块、第二主动区块及非主动区块上方布置复数个闸极结构，非主动区块用以分隔第一主动区块及第二主动区块；布置复数个接点于第一主动区块及第二主动区块上；布置至少一闸极连通器于第一主动区块或第二主动区块上，闸极连通器与闸极结构电性耦接；以及，选择性地布置区域连接器跨越非主动区块，区域连接器用以将第一主动区块上的至少一个接点耦接至第二主动区块上的至少一个接点。
-
公开(公告)号：TW202022950A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108135324
申请日：2019-09-27
Inventor： 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 林威呈 , LIN, WEI CHENG
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L29/94
Abstract: 一種結構包括第一、第二、第三及第四導電區段，以及閘極。第一及第二導電區段係在第一導電層中並且經構造為第一類型的第一電晶體的第一及第二終端。第三及第四導電區段係在第一導電層上方堆疊的第二導電層中並且經構造為第二類型的第二電晶體的第一及第二終端。第一閘極在第一方向上佈置在第一及第三導電區段與第二及第四導電區段之間。閘極經構造為第一電晶體的控制終端及第二電晶體的控制終端，第一導電區段沿著第一方向從第三導電區段偏移，並且第二導電區段沿著第一方向從第四導電區段偏移。
Abstract in simplified Chinese: 一种结构包括第一、第二、第三及第四导电区段，以及闸极。第一及第二导电区段系在第一导电层中并且经构造为第一类型的第一晶体管的第一及第二终端。第三及第四导电区段系在第一导电层上方堆栈的第二导电层中并且经构造为第二类型的第二晶体管的第一及第二终端。第一闸极在第一方向上布置在第一及第三导电区段与第二及第四导电区段之间。闸极经构造为第一晶体管的控制终端及第二晶体管的控制终端，第一导电区段沿着第一方向从第三导电区段偏移，并且第二导电区段沿着第一方向从第四导电区段偏移。
-
公开(公告)号：TW202018554A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108139930
申请日：2019-10-31
Inventor： 彭士瑋 , PENG, SHIH WEI , 賴志明 , LAI, CHIH MING , 楊惠婷 , YANG, HUI TING , 曾健庭 , TZENG, JIANN TYNG , 林威呈 , LIN, WEI CHENG
Abstract: 一種設計佈局的方法，包括以下操作，產生數個第一佈線軌道，分配至該佈局的第一彩色組。產生數個第二佈線軌道，分配至該佈局的第二彩色組，其中數個第一佈線軌道的第一佈線軌道在相鄰的數個第二佈線軌道的數個第二佈線軌道之間。指明一彩色縫合區域，該彩色縫合區域連接數個第一佈線軌道的受選第一佈線軌道與該數個第二佈線軌道的受選第一佈線軌道，彩色縫合區域代表導電區域，導電區域通過受選第一佈線軌道的一暴露部分連接第一導電元件與第二導電元件，受選第一佈線軌道代表第一導電元件，受選第二佈線軌道代表第二導電元件。
Abstract in simplified Chinese: 一种设计布局的方法，包括以下操作，产生数个第一布线轨道，分配至该布局的第一彩色组。产生数个第二布线轨道，分配至该布局的第二彩色组，其中数个第一布线轨道的第一布线轨道在相邻的数个第二布线轨道的数个第二布线轨道之间。指明一彩色缝合区域，该彩色缝合区域连接数个第一布线轨道的受选第一布线轨道与该数个第二布线轨道的受选第一布线轨道，彩色缝合区域代表导电区域，导电区域通过受选第一布线轨道的一暴露部分连接第一导电组件与第二导电组件，受选第一布线轨道代表第一导电组件，受选第二布线轨道代表第二导电组件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.027 seconds)
