公开(公告)号：TWI613700B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW105108044

申请日：2016-03-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊 育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/461 ,  H01L21/8256 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI607544B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW105136918

申请日：2016-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L23/535 ,  H01L29/04 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201735309A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105136918

申请日：2016-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L23/535 ,  H01L29/04 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

Abstract: 一種半導體元件包括具有第一半導體材料之鰭。該鰭包括源極/汲極(S/D)區域及通道區域。S/D區域提供頂表面及兩個側壁表面。S/D區域之寬度小於通道區域之寬度。半導體元件進一步包括S/D區域上方的且具有經摻雜第二半導體材料的半導體薄膜。半導體薄膜提供分別大體上平行於S/D區域之頂表面及兩個側壁表面的頂表面及兩個側壁表面。半導體元件進一步包括金屬接點，金屬接點在半導體薄膜之頂表面及兩個側壁表面上方且可操作以與S/D區域電氣連通。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包括具有第一半导体材料之鳍。该鳍包括源极/汲极(S/D)区域及信道区域。S/D区域提供顶表面及两个侧壁表面。S/D区域之宽度小于信道区域之宽度。半导体组件进一步包括S/D区域上方的且具有经掺杂第二半导体材料的半导体薄膜。半导体薄膜提供分别大体上平行于S/D区域之顶表面及两个侧壁表面的顶表面及两个侧壁表面。半导体组件进一步包括金属接点，金属接点在半导体薄膜之顶表面及两个侧壁表面上方且可操作以与S/D区域电气连通。

公开(公告)号：TW201707053A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105108044

申请日：2016-03-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊 育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/461 ,  H01L21/8256 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/785

Abstract: 提供一種電晶體，其係以過渡金屬二硫族化物材料所形成。利用直接沉積製程形成過渡金屬二硫族化物材料，並將其圖案化成為一或多個鰭板。在一或多個鰭板上形成閘極介電質及閘極電極。或者，可藉由沉積非過渡金屬二硫族化物材料後再進行處理形成過渡金屬二硫族化物材料。此外，利用過渡金屬二硫族化物材料所形成的鰭板的側壁可為垂直於基板或可相對於基板傾斜。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种晶体管，其系以过渡金属二硫族化物材料所形成。利用直接沉积制程形成过渡金属二硫族化物材料，并将其图案化成为一或多个鳍板。在一或多个鳍板上形成闸极介电质及闸极电极。或者，可借由沉积非过渡金属二硫族化物材料后再进行处理形成过渡金属二硫族化物材料。此外，利用过渡金属二硫族化物材料所形成的鳍板的侧壁可为垂直于基板或可相对于基板倾斜。