公开(公告)号：TW201537752A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103145766

申请日：2014-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳聖文 ,  CHEN, SHENGWEN ,  林鈺庭 ,  LIN, YUTING ,  張哲豪 ,  CHANG, CHEHAO ,  游偉明 ,  YOU, WEIMING ,  王廷君 ,  WANG, TINGCHUN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/321 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供一種具有高介電係數閘介電質的半導體裝置和一種製作方法。在一基板上形成一閘介電層，可能在此閘介電層和此基板之間插入一介面層，形成一障蔽層在沿著此障蔽層和此閘介電層之間的一介面具有較高的氮濃度，此障蔽層例如為TiN層，舉例來說，可能以沈積形成此障蔽層，和在TiN層上進行一氮化處理以增加沿著此障蔽層和此閘介電層之間的介面的氮濃度，在此障蔽層之上形成一閘極。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种具有高介电系数闸介电质的半导体设备和一种制作方法。在一基板上形成一闸介电层，可能在此闸介电层和此基板之间插入一界面层，形成一障蔽层在沿着此障蔽层和此闸介电层之间的一界面具有较高的氮浓度，此障蔽层例如为TiN层，举例来说，可能以沉积形成此障蔽层，和在TiN层上进行一氮化处理以增加沿着此障蔽层和此闸介电层之间的界面的氮浓度，在此障蔽层之上形成一闸极。

公开(公告)号：TWI556447B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW103145766

申请日：2014-12-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳聖文 ,  CHEN, SHENGWEN ,  林鈺庭 ,  LIN, YUTING ,  張哲豪 ,  CHANG, CHEHAO ,  游偉明 ,  YOU, WEIMING ,  王廷君 ,  WANG, TINGCHUN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/321 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/45 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833