公开(公告)号：TWI621207B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW104137845

申请日：2015-11-17

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 克爾尼斯基 亞歷山大 ,  KALNITSKY ALEXANDER ,  雷弋昜 ,  LEI, YI YANG ,  王璽清 ,  WANG, HSI CHING ,  郭震宇 ,  KUO, CHENG YU ,  黃宗隆 ,  HUANG, TSUNG LUNG ,  謝靜華 ,  HSIEH, CHING HUA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  古進譽 ,  KU, CHIN YU ,  廖德堆 ,  LIAO, DE DUI ,  劉國洲 ,  LIU, KUO CHIO ,  吳凱第 ,  WU, KAI DI ,  張國彬 ,  CHANG, KUO PIN ,  楊勝斌 ,  YANG, SHENG PIN ,  黃以撒 ,  HUANG, ISAAC ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC分类号： H01L21/683 ,  C09J7/02 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L24/03 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/921 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

公开(公告)号：TW201643989A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW104137845

申请日：2015-11-17

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 克爾尼斯基 亞歷山大 ,  KALNITSKY ALEXANDER ,  雷弋昜 ,  LEI, YI YANG ,  王璽清 ,  WANG, HSI CHING ,  郭震宇 ,  KUO, CHENG YU ,  黃宗隆 ,  HUANG, TSUNG LUNG ,  謝靜華 ,  HSIEH, CHING HUA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  古進譽 ,  KU, CHIN YU ,  廖德堆 ,  LIAO, DE DUI ,  劉國洲 ,  LIU, KUO CHIO ,  吳凱第 ,  WU, KAI DI ,  張國彬 ,  CHANG, KUO PIN ,  楊勝斌 ,  YANG, SHENG PIN ,  黃以撒 ,  HUANG, ISAAC ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC分类号： H01L21/683 ,  C09J7/02 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L24/03 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/921 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 一種製造半導體結構的方法，包括：接納第一基板，該第一基板包括第一表面、與該第一表面相對的第二表面以及放置在該第一表面上的複數個導電凸塊；接納第二基板；在該第一基板或該第二基板上放置粘合劑；在第一環境下加熱粘合劑；通過在該第一基板或該第二基板上施加少於約10,000N的力並在第二環境中加熱該粘合劑將該第一基板與該第二基板接合；以及從該第二表面減薄該第一基板的厚度。

简体摘要： 一种制造半导体结构的方法，包括：接纳第一基板，该第一基板包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及放置在该第一表面上的复数个导电凸块；接纳第二基板；在该第一基板或该第二基板上放置粘合剂；在第一环境下加热粘合剂；通过在该第一基板或该第二基板上施加少于约10,000N的力并在第二环境中加热该粘合剂将该第一基板与该第二基板接合；以及从该第二表面减薄该第一基板的厚度。