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公开(公告)号：TW201801134A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106107435
申请日：2017-03-07
发明人： 黃偉立 , HUANG, WEI-LI , 翁正杰 , WONG, JHENG-JIE , 蘇祥盛 , SU, HSIANG-SHENG , 黃宗隆 , HUANG, TSUNG-LUNG , 劉國洲 , LIU, KUO-CHIO , 黃信傑 , HUANG, HSIN-CHIEH , 廖德堆 , LIAO, DE-DUI MARVIN , 古進譽 , KU, CHIN-YU , 陳承先 , CHEN, CHEN-SHIEN
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L24/02 , H01L21/02334 , H01L21/0234 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/42 , H01L2224/02235 , H01L2224/02251 , H01L2224/02255 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/0236 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0381 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/131 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0132 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014
摘要： 一種製造半導體結構的方法，該方法包含形成一傳導層於一第一絕緣層上；蝕刻該傳導層的一部分，以暴露該第一絕緣層的一部分；變形該第一絕緣層的該部分的一表面，以形成該第一絕緣層的一粗糙表面；以及自該第一絕緣層的該粗糙表面移除該傳導層的一殘留物。
简体摘要： 一种制造半导体结构的方法，该方法包含形成一传导层于一第一绝缘层上；蚀刻该传导层的一部分，以暴露该第一绝缘层的一部分；变形该第一绝缘层的该部分的一表面，以形成该第一绝缘层的一粗糙表面；以及自该第一绝缘层的该粗糙表面移除该传导层的一残留物。
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公开(公告)号：TWI621207B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW104137845
申请日：2015-11-17
发明人： 克爾尼斯基 亞歷山大 , KALNITSKY ALEXANDER , 雷弋昜 , LEI, YI YANG , 王璽清 , WANG, HSI CHING , 郭震宇 , KUO, CHENG YU , 黃宗隆 , HUANG, TSUNG LUNG , 謝靜華 , HSIEH, CHING HUA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 古進譽 , KU, CHIN YU , 廖德堆 , LIAO, DE DUI , 劉國洲 , LIU, KUO CHIO , 吳凱第 , WU, KAI DI , 張國彬 , CHANG, KUO PIN , 楊勝斌 , YANG, SHENG PIN , 黃以撒 , HUANG, ISAAC , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC分类号： H01L21/683 , C09J7/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/83201 , H01L2224/8385 , H01L2224/921 , H01L2224/94 , H01L2924/06 , H01L2924/07025 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
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公开(公告)号：TW201643989A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104137845
申请日：2015-11-17
发明人： 克爾尼斯基 亞歷山大 , KALNITSKY ALEXANDER , 雷弋昜 , LEI, YI YANG , 王璽清 , WANG, HSI CHING , 郭震宇 , KUO, CHENG YU , 黃宗隆 , HUANG, TSUNG LUNG , 謝靜華 , HSIEH, CHING HUA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 古進譽 , KU, CHIN YU , 廖德堆 , LIAO, DE DUI , 劉國洲 , LIU, KUO CHIO , 吳凱第 , WU, KAI DI , 張國彬 , CHANG, KUO PIN , 楊勝斌 , YANG, SHENG PIN , 黃以撒 , HUANG, ISAAC , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC分类号： H01L21/683 , C09J7/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/83201 , H01L2224/8385 , H01L2224/921 , H01L2224/94 , H01L2924/06 , H01L2924/07025 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要： 一種製造半導體結構的方法，包括：接納第一基板，該第一基板包括第一表面、與該第一表面相對的第二表面以及放置在該第一表面上的複數個導電凸塊；接納第二基板；在該第一基板或該第二基板上放置粘合劑；在第一環境下加熱粘合劑；通過在該第一基板或該第二基板上施加少於約10,000N的力並在第二環境中加熱該粘合劑將該第一基板與該第二基板接合；以及從該第二表面減薄該第一基板的厚度。
简体摘要： 一种制造半导体结构的方法，包括：接纳第一基板，该第一基板包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及放置在该第一表面上的复数个导电凸块；接纳第二基板；在该第一基板或该第二基板上放置粘合剂；在第一环境下加热粘合剂；通过在该第一基板或该第二基板上施加少于约10,000N的力并在第二环境中加热该粘合剂将该第一基板与该第二基板接合；以及从该第二表面减薄该第一基板的厚度。
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