公开(公告)号：TW201801134A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106107435

申请日：2017-03-07

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 黃偉立 ,  HUANG, WEI-LI ,  翁正杰 ,  WONG, JHENG-JIE ,  蘇祥盛 ,  SU, HSIANG-SHENG ,  黃宗隆 ,  HUANG, TSUNG-LUNG ,  劉國洲 ,  LIU, KUO-CHIO ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN-CHIEH ,  廖德堆 ,  LIAO, DE-DUI MARVIN ,  古進譽 ,  KU, CHIN-YU ,  陳承先 ,  CHEN, CHEN-SHIEN

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/42 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014

摘要： 一種製造半導體結構的方法，該方法包含形成一傳導層於一第一絕緣層上；蝕刻該傳導層的一部分，以暴露該第一絕緣層的一部分；變形該第一絕緣層的該部分的一表面，以形成該第一絕緣層的一粗糙表面；以及自該第一絕緣層的該粗糙表面移除該傳導層的一殘留物。

简体摘要： 一种制造半导体结构的方法，该方法包含形成一传导层于一第一绝缘层上；蚀刻该传导层的一部分，以暴露该第一绝缘层的一部分；变形该第一绝缘层的该部分的一表面，以形成该第一绝缘层的一粗糙表面；以及自该第一绝缘层的该粗糙表面移除该传导层的一残留物。