公开(公告)号：TWI685927B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW106113308

申请日：2017-04-20

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 鄭錫圭 ,  CHENG, HSI-KUEI ,  張兢夫 ,  CHANG, CHING-FU ,  韓至剛 ,  HAN, CHIH-KANG ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN-CHIEH

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/48

公开(公告)号：TW201814850A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106113308

申请日：2017-04-20

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 鄭錫圭 ,  CHENG, HSI-KUEI ,  張兢夫 ,  CHANG, CHING-FU ,  韓至剛 ,  HAN, CHIH-KANG ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN-CHIEH

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1076

摘要： 一實施例係一種結構，其包含：一第一封裝，其包含一第一晶粒及至少側向囊封該第一晶粒之一模塑料；一第二封裝，其使用一第一組導電連接器接合至該第一封裝，該第二封裝包括一第二晶粒；及一底膠填充，其在該第一封裝與該第二封裝之間且圍繞該第一組導電連接器，該底膠填充具有沿著該第二封裝之一側壁向上延伸之一第一部分，該第一部分具有一第一側壁，該第一側壁具有一彎曲部分及一平坦部分。

简体摘要： 一实施例系一种结构，其包含：一第一封装，其包含一第一晶粒及至少侧向囊封该第一晶粒之一模塑料；一第二封装，其使用一第一组导电连接器接合至该第一封装，该第二封装包括一第二晶粒；及一底胶填充，其在该第一封装与该第二封装之间且围绕该第一组导电连接器，该底胶填充具有沿着该第二封装之一侧壁向上延伸之一第一部分，该第一部分具有一第一侧壁，该第一侧壁具有一弯曲部分及一平坦部分。

公开(公告)号：TW201801134A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106107435

申请日：2017-03-07

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 黃偉立 ,  HUANG, WEI-LI ,  翁正杰 ,  WONG, JHENG-JIE ,  蘇祥盛 ,  SU, HSIANG-SHENG ,  黃宗隆 ,  HUANG, TSUNG-LUNG ,  劉國洲 ,  LIU, KUO-CHIO ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN-CHIEH ,  廖德堆 ,  LIAO, DE-DUI MARVIN ,  古進譽 ,  KU, CHIN-YU ,  陳承先 ,  CHEN, CHEN-SHIEN

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/42 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014

摘要： 一種製造半導體結構的方法，該方法包含形成一傳導層於一第一絕緣層上；蝕刻該傳導層的一部分，以暴露該第一絕緣層的一部分；變形該第一絕緣層的該部分的一表面，以形成該第一絕緣層的一粗糙表面；以及自該第一絕緣層的該粗糙表面移除該傳導層的一殘留物。

简体摘要： 一种制造半导体结构的方法，该方法包含形成一传导层于一第一绝缘层上；蚀刻该传导层的一部分，以暴露该第一绝缘层的一部分；变形该第一绝缘层的该部分的一表面，以形成该第一绝缘层的一粗糙表面；以及自该第一绝缘层的该粗糙表面移除该传导层的一残留物。

公开(公告)号：TW201826408A

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：TW106122249

申请日：2017-07-03

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 鄭錫圭 ,  CHENG, HSI-KUEI ,  張兢夫 ,  CHANG, CHING-FU ,  韓至剛 ,  HAN, CHIH-KANG ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN-CHIEH

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

摘要： 本發明實施例係關於一種方法，其包含：形成一第一聚合物層以覆蓋一晶圓之一金屬墊；及圖案化該第一聚合物層以形成一第一開口。暴露於該第一開口之該第一聚合物層之一第一側壁具有一第一傾斜角，其中該第一側壁與該金屬墊接觸。該方法進一步包含：在該第一開口中形成一金屬柱；切割該晶圓以產生一裝置晶粒；將該裝置晶粒囊封於一囊封材料中；執行一平坦化以顯露該金屬柱；在該囊封材料及該裝置晶粒上方形成一第二聚合物層；及圖案化該第二聚合物層以形成一第二開口。透過該第二開口暴露該金屬柱。暴露於該第二開口之該第二聚合物層之一第二側壁具有大於該第一傾斜角之一第二傾斜角。

简体摘要： 本发明实施例系关于一种方法，其包含：形成一第一聚合物层以覆盖一晶圆之一金属垫；及图案化该第一聚合物层以形成一第一开口。暴露于该第一开口之该第一聚合物层之一第一侧壁具有一第一倾斜角，其中该第一侧壁与该金属垫接触。该方法进一步包含：在该第一开口中形成一金属柱；切割该晶圆以产生一设备晶粒；将该设备晶粒囊封于一囊封材料中；运行一平坦化以显露该金属柱；在该囊封材料及该设备晶粒上方形成一第二聚合物层；及图案化该第二聚合物层以形成一第二开口。透过该第二开口暴露该金属柱。暴露于该第二开口之该第二聚合物层之一第二侧壁具有大于该第一倾斜角之一第二倾斜角。

公开(公告)号：TW201824469A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106113154

申请日：2017-04-19

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 鄭錫圭 ,  CHENG, HSI-KUEI ,  韓至剛 ,  HAN, CHIH-KANG ,  張兢夫 ,  CHANG, CHING-FU ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN-CHIEH

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/522

摘要： 一種半導體結構包含：一基板；一晶粒，其放置於該基板上方且包含一晶粒墊、放置於該晶粒墊上方之一導電通路及環繞該導電通路之一介電材料；一模塑物，其放置於該基板上方且環繞該晶粒；一下部介電層，其較接近該基板而放置且放置於該介電材料及該模塑物上方；及一上部介電層，其較遠離該基板而放置且放置於該下部介電層上方，其中該上部介電層中之一材料含量比率實質上大於該下部介電層中之材料含量比率，且該材料含量比率實質上反向影響該上部介電層及該下部介電層之一機械強度。

简体摘要： 一种半导体结构包含：一基板；一晶粒，其放置于该基板上方且包含一晶粒垫、放置于该晶粒垫上方之一导电通路及环绕该导电通路之一介电材料；一模塑物，其放置于该基板上方且环绕该晶粒；一下部介电层，其较接近该基板而放置且放置于该介电材料及该模塑物上方；及一上部介电层，其较远离该基板而放置且放置于该下部介电层上方，其中该上部介电层中之一材料含量比率实质上大于该下部介电层中之材料含量比率，且该材料含量比率实质上反向影响该上部介电层及该下部介电层之一机械强度。

公开(公告)号：TWI650807B

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：TW106109466

申请日：2017-03-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 邱銘彥 ,  CHIU, MING-YEN ,  張兢夫 ,  CHANG, CHING-FU ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN-CHIEH

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/50

公开(公告)号：TW201742081A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW106101345

申请日：2017-01-16

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 邱銘彥 ,  CHIU, MING-YEN ,  張兢夫 ,  CHANG, CHING-FU ,  邱建嘉 ,  CHIU, CHIEN-CHIA ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN-CHIEH ,  林宗澍 ,  LIN, TSUNG-SHU ,  余佩弟 ,  YU, PEI-TI

IPC分类号： H01B5/14

CPC分类号： H01L23/5386 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311

摘要： 一種導電圖案，其包括：導電墊，包括圓形墊部及連接至圓形墊部的第一收斂部，第一收斂部具有一對不平行的第一邊緣，不平行的第一邊緣界定第一錐度角，且不平行的第一邊緣由圓形墊部的一對不平行的第一切線界定；以及緩衝延伸部，連接至導電墊的第一收斂部，緩衝延伸部至少包括具有一對不平行的第二邊緣的第二收斂部，不平行的第二邊緣界定第二錐度角，第一錐度角大於或等於第二錐度角。

简体摘要： 一种导电图案，其包括：导电垫，包括圆形垫部及连接至圆形垫部的第一收敛部，第一收敛部具有一对不平行的第一边缘，不平行的第一边缘界定第一锥度角，且不平行的第一边缘由圆形垫部的一对不平行的第一切线界定；以及缓冲延伸部，连接至导电垫的第一收敛部，缓冲延伸部至少包括具有一对不平行的第二边缘的第二收敛部，不平行的第二边缘界定第二锥度角，第一锥度角大于或等于第二锥度角。

公开(公告)号：TW201711194A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105120017

申请日：2016-06-24

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 彭彥明 ,  PENG, YEN MING ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  黃信傑 ,  HUANG, HSIN CHIEH ,  許一如 ,  HSU, YI JU ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L29/772 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 鰭式場效電晶體元件包含基板、形成於基板上之鰭，及跨過鰭之閘電極。閘電極包含頭部部分及尾部部分。尾部部分與頭部部分連接且延伸向基板。頭部部分之寬度大於尾部部分之寬度。

简体摘要： 鳍式场效应管组件包含基板、形成于基板上之鳍，及跨过鳍之闸电极。闸电极包含头部部分及尾部部分。尾部部分与头部部分连接且延伸向基板。头部部分之宽度大于尾部部分之宽度。

公开(公告)号：TW201133814A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW099131949

申请日：2010-09-21

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 黃信傑 ,  王昭雄

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/502 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種光電(photonic)的裝置,適用於發出包含白光的全光譜光線(full spectrum of lights)。此裝置包含成長於一基底上的二個或更多的發光裝置,每個發光裝置個別受到控制而發出不同波長的光線。一發光結構是形成於上述基底上,並藉由蝕刻將上述發光結構分成複數個部分,而將其分配為二或多個發光裝置。在上述發光裝置的至少一個塗覆有一螢光材料,因此當上述發光結構發出相同波長的光線時,藉由上述發光裝置來產生不同波長的光線。

简体摘要： 本发明提供一种光电(photonic)的设备,适用于发出包含白光的全光谱光线(full spectrum of lights)。此设备包含成长于一基底上的二个或更多的发光设备,每个发光设备个别受到控制而发出不同波长的光线。一发光结构是形成于上述基底上,并借由蚀刻将上述发光结构分成复数个部分,而将其分配为二或多个发光设备。在上述发光设备的至少一个涂覆有一萤光材料,因此当上述发光结构发出相同波长的光线时,借由上述发光设备来产生不同波长的光线。

公开(公告)号：TW201131760A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：TW099124658

申请日：2010-07-27

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 黃信傑

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/04 ,  H01L33/24

摘要： 一種裝置,包括:一不平整基板,包括自該不平整基板之一頂面延伸進入該不平整基板內之一第一溝槽,其中該溝槽包括一第一側壁與一底部。一發光裝置,位於該不平整基板上且包括一主動層,其中該主動層包括平行於該第一側壁之一第一部以及平行於該溝槽之該底部之一第二部。

简体摘要： 一种设备,包括:一不平整基板,包括自该不平整基板之一顶面延伸进入该不平整基板内之一第一沟槽,其中该沟槽包括一第一侧壁与一底部。一发光设备,位于该不平整基板上且包括一主动层,其中该主动层包括平行于该第一侧壁之一第一部以及平行于该沟槽之该底部之一第二部。