公开(公告)号：TWI579999B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW105112033

申请日：2016-04-18

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

发明人： 邱琬婷 ,  CHIU, WAN TING ,  陳建汎 ,  CHEN, CHIEN FAN

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/35

公开(公告)号：TWI570866B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW104117024

申请日：2015-05-27

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 查杜魯 安尼庫瑪 ,  CHADOLU, ANILKUMAR

IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83487 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01047

公开(公告)号：TW201639109A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105112033

申请日：2016-04-18

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司 ,  ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

发明人： 邱琬婷 ,  CHIU, WAN TING ,  陳建汎 ,  CHEN, CHIEN FAN

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/35

摘要： 本發明係關於用於半導體封裝中之接合結構。在一實施例中，一種半導體裝置包括一半導體元件及兩個柱狀結構。該半導體元件具有一表面，且包括鄰設於該表面之至少一個接合襯墊。該兩個柱狀結構位在該一個接合襯墊上。該兩個柱狀結構對稱且由同一種材料形成。

简体摘要： 本发明系关于用于半导体封装中之接合结构。在一实施例中，一种半导体设备包括一半导体组件及两个柱状结构。该半导体组件具有一表面，且包括邻设于该表面之至少一个接合衬垫。该两个柱状结构位在该一个接合衬垫上。该两个柱状结构对称且由同一种材料形成。

公开(公告)号：TWI463581B

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：TW097128550

申请日：2008-07-29

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 杜雍台 ,  DO, BYUNG TAI ,  史帝芬A. 墨菲 ,  MURPHY, STEPHEN A. ,  林瑤娟 ,  LIN, YAOJIAN ,  官怡荷 ,  KUAN, HEAP HOE ,  潘迪 琪帆 瑪莉姆蘇 ,  MARIMUTHU, PANDI CHELVAM ,  吳興華 ,  GOH, HIN HWA

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI459483B

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW097144917

申请日：2008-11-20

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 伊藤仁一 ,  ITO, NIICHI ,  中村哲治 ,  NAKAMURA, TETSUJI ,  永長貴光 ,  NAGAOSA, TAKAMITSU ,  岡村尚 ,  OKAMURA, HISASHI

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5286 ,  H01L22/32 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/12 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0251 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI405361B

公开(公告)日：2013-08-11

申请号：TW097151887

申请日：2008-12-31

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 劉君愷 ,  LIU, CHUN KAI ,  張恕銘 ,  CHANG, SHU MING

IPC分类号： H01L35/00 ,  H01L35/34 ,  H01L23/34 ,  H01L23/28 ,  H01L25/03

CPC分类号： H01L23/38 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L35/32 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TW201216533A

公开(公告)日：2012-04-16

申请号：TW100122079

申请日：2011-06-23

申请人： 夏普股份有限公司

发明人： 小山康弘 ,  川上克二 ,  河崎睦夫 ,  三宅修 ,  小田肇 ,  澤井敬一

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係將正電極(6)之上表面位於較負電極(5)之上表面高之位置的LED晶片(1)安裝於陶瓷基板(9)之安裝方法，該安裝方法包括：開口部形成步驟，於負電極(5)上及正電極(6)上積層阻劑(16)，且於阻劑(16)形成開口部(16a、16b)；凸塊形成步驟，於開口部(16a、16b)內分別形成凸塊(11、12)；除去阻劑(16)之阻劑除去步驟；以及將凸塊(11、12)接合於陶瓷基板(9)之接合步驟；再者，開口部(16a)之剖面積大於開口部(16b)之剖面積。

简体摘要： 本发明系将正电极(6)之上表面位于较负电极(5)之上表面高之位置的LED芯片(1)安装于陶瓷基板(9)之安装方法，该安装方法包括：开口部形成步骤，于负电极(5)上及正电极(6)上积层阻剂(16)，且于阻剂(16)形成开口部(16a、16b)；凸块形成步骤，于开口部(16a、16b)内分别形成凸块(11、12)；除去阻剂(16)之阻剂除去步骤；以及将凸块(11、12)接合于陶瓷基板(9)之接合步骤；再者，开口部(16a)之剖面积大于开口部(16b)之剖面积。

公开(公告)号：TW200731433A

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：TW095124316

申请日：2006-07-04

申请人： 富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED

发明人： 西村隆雄 NISHIMURA, TAKAO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

摘要： 本發明用以提供一種高性能且高可靠的半導體裝置,其中用以將半導體晶片安裝(例如,覆晶安裝法)在基底上的黏著劑,內部具有很少的氣泡,且本發明亦關於一種用以製造半導體裝置的低成本之有效方法。本發明半導體裝置包含一具有多數電極襯墊的半導體晶片以及一基底,該基底在對應於電極襯墊的位置上具有多數電極終端。各包含有一底座部及一直徑小於底座部直徑的突起部之多數凸塊,是形成在至少其中一電極襯墊上,致使凸塊的個別底座部會彼此接觸,且半導體晶片是藉由一黏接劑,使得該等凸塊處於電連接至電極終端的狀態下而黏接至基底。

简体摘要： 本发明用以提供一种高性能且高可靠的半导体设备,其中用以将半导体芯片安装(例如,覆晶安装法)在基底上的黏着剂,内部具有很少的气泡,且本发明亦关于一种用以制造半导体设备的低成本之有效方法。本发明半导体设备包含一具有多数电极衬垫的半导体芯片以及一基底,该基底在对应于电极衬垫的位置上具有多数电极终端。各包含有一底座部及一直径小于底座部直径的突起部之多数凸块,是形成在至少其中一电极衬垫上,致使凸块的个别底座部会彼此接触,且半导体芯片是借由一黏接剂,使得该等凸块处于电连接至电极终端的状态下而黏接至基底。

公开(公告)号：TWI223363B

公开(公告)日：2004-11-01

申请号：TW092131062

申请日：2003-11-06

申请人： 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 張世明 CHANG, SHYH MING ,  黃元璋 HUANG, YUAN CHANG ,  陳文志 CHEN, WEN CHIH ,  楊省樞 YANG, SHENG SHU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H05K3/325 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/12 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81136 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/305 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/2036 ,  H05K2203/1189 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係一種複合凸塊的接合結構，並具有擋塊結構與保護層的設計。複合凸塊由高分子凸塊、金屬層與表面導電層所組成，擋塊結構及保護層由高分子凸塊與金屬層所組成。複合凸塊的功能為提供接合時的電極與導電通道。擋塊的功能為控制接合的高度，避免接合壓力過大，導致複合凸塊破裂。保護層的功能為保護基板與接地功用。擋塊的分佈位置可於複合凸塊之外，或與複合凸塊結合一起。保護層可與擋塊連結在一起，或獨立分佈，其高度須低於擋塊與複合凸塊。

简体摘要： 本发明系一种复合凸块的接合结构，并具有挡块结构与保护层的设计。复合凸块由高分子凸块、金属层与表面导电层所组成，挡块结构及保护层由高分子凸块与金属层所组成。复合凸块的功能为提供接合时的电极与导电信道。挡块的功能为控制接合的高度，避免接合压力过大，导致复合凸块破裂。保护层的功能为保护基板与接地功用。挡块的分布位置可于复合凸块之外，或与复合凸块结合一起。保护层可与挡块链接在一起，或独立分布，其高度须低于挡块与复合凸块。

公开(公告)号：TWI540722B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW102113675

申请日：2013-04-17

申请人： 穩懋半導體股份有限公司 ,  WIN SEMICONDUCTORS CORP.

发明人： 蔡緒孝 ,  TSAI, SHU HSIAO ,  張修誠 ,  CHANG, HSIU CHEN ,  高谷信一郎 ,  TAKATANI, SHINICHIRO ,  林正國 ,  LIN, CHENG KUO

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0658 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L29/7302 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/145 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014