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公开(公告)号：TWI284093B
公开(公告)日：2007-07-21
申请号：TW089120128
申请日：2000-09-28
发明人： 山本智彥 YAMAMOTO, TOMOHIKO , 加藤勝三 KATO, KATSUMI , 細馬敏德 HOSOMA, TOSHINORI , 吉岡和彥 YOSHIOKA, KAZUHIKO
IPC分类号： B32B
CPC分类号： B32B15/08 , B32B7/02 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B27/34 , B32B37/1027 , B32B2311/00 , B32B2311/04 , B32B2311/12 , B32B2311/24 , B32B2379/08 , B32B2457/08 , H05K1/0346 , H05K1/036 , H05K1/0393 , H05K3/0097 , H05K2201/0129 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2203/068 , H05K2203/1536 , H05K2203/1545 , Y10T428/2495 , Y10T428/24959 , Y10T428/24967 , Y10T428/24975 , Y10T428/266 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
摘要： 提出一種由芳族聚醯亞胺複合膜，金屬膜和鬆脫膜組成的芳族聚醯亞胺層合物。此芳族聚醯亞胺複合膜由芳族聚醯亞胺基質膜和兩個熱塑性芳族聚醯亞胺層構成。各有熱塑層固定於基質膜的各表面。此基質膜的玻璃化轉變溫度不低於350℃，熱塑性芳族聚醯亞胺層的玻璃化轉變溫度是190至280℃。其中，沒有居中的黏著層，金屬膜以90°剝離強度為0.8公斤/公分或以上地固定於一個熱塑性芳族聚醯亞胺層，沒有居中的黏著層，鬆脫膜以90°剝離強度為0.001至0.5公斤/公分地固定於另一個熱塑性芳族聚醯亞胺層，在這樣的條件下，後者的剝離強度是前一剝離強度的一半或以下。
简体摘要： 提出一种由芳族聚酰亚胺复合膜，金属膜和松脱膜组成的芳族聚酰亚胺层合物。此芳族聚酰亚胺复合膜由芳族聚酰亚胺基质膜和两个热塑性芳族聚酰亚胺层构成。各有热塑层固定于基质膜的各表面。此基质膜的玻璃化转变温度不低于350℃，热塑性芳族聚酰亚胺层的玻璃化转变温度是190至280℃。其中，没有居中的黏着层，金属膜以90°剥离强度为0.8公斤/公分或以上地固定于一个热塑性芳族聚酰亚胺层，没有居中的黏着层，松脱膜以90°剥离强度为0.001至0.5公斤/公分地固定于另一个热塑性芳族聚酰亚胺层，在这样的条件下，后者的剥离强度是前一剥离强度的一半或以下。
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2.发明专利
公开(公告)号：TW200640663A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094144533
申请日：2005-12-15
CPC分类号： B32B9/005 , B32B9/041 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B27/34 , B32B2250/05 , B32B2250/40 , B32B2274/00 , B32B2307/306 , B32B2307/732 , B32B2457/08 , H05K1/0346 , H05K3/025 , H05K2201/0154 , H05K2203/0152 , Y10T428/24975 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
摘要： 本發明係關於一種聚醯亞胺-銅複合疊層，其包括一種厚度10-22微米之金屬載體及一種厚度1-8微米之薄銅膜，和一種介入的耐熱層以及一種芳族聚醯亞胺膜直接固定至薄銅膜而不用黏合劑。
简体摘要： 本发明系关于一种聚酰亚胺-铜复合叠层，其包括一种厚度10-22微米之金属载体及一种厚度1-8微米之薄铜膜，和一种介入的耐热层以及一种芳族聚酰亚胺膜直接固定至薄铜膜而不用黏合剂。
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公开(公告)号：TW574261B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW090121227
申请日：2001-08-28
发明人： 山本智彥 YAMAMOTO, TOMOHIKO , 加藤勝三 KATO, KATSUMI , 細馬敏德 HOSOMA, TOSHINORI , 橋口秀一 HASHIGUCHI, SHUICHI
CPC分类号： H01L21/02118 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2203/08 , B23K2203/12 , B23K2203/172 , B23K2203/30 , B23K2203/42 , B23K2203/50 , C08G73/10 , C08G73/1042 , C08G73/1067 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H05K1/0346 , H05K3/0032
摘要： 一種聚醯亞胺膜，其非常適用於在表面上具有經層壓或沈積之金屬膜的芳族聚醯亞胺膜中產生通孔之方法，其係藉由在該聚醯亞胺膜上施加雷射光束進行，該聚醯亞胺膜係由一層高Tg芳族聚醯亞胺層與一層低Tg芳族聚醯亞胺層組成為佳，該高Tg芳族聚醯亞胺層的Tg為300℃或以上，或是沒有顯著的Tg，而且係由一種聯苯四羧酸化合物與一種芳族二胺化合物所製造，該低Tg芳族聚醯亞胺層的 Tg低於375℃但是高於200℃，其先決條件係，該低Tg聚醯亞胺層的Tg低於該高Tg聚醯亞胺層的Tg，而且該金屬膜層壓或是沈積在該低Tg聚醯亞胺層不面向該高Tg聚醯亞胺層一側的表面上。
简体摘要： 一种聚酰亚胺膜，其非常适用于在表面上具有经层压或沉积之金属膜的芳族聚酰亚胺膜中产生通孔之方法，其系借由在该聚酰亚胺膜上施加激光光束进行，该聚酰亚胺膜系由一层高Tg芳族聚酰亚胺层与一层低Tg芳族聚酰亚胺层组成为佳，该高Tg芳族聚酰亚胺层的Tg为300℃或以上，或是没有显着的Tg，而且系由一种联苯四羧酸化合物与一种芳族二胺化合物所制造，该低Tg芳族聚酰亚胺层的 Tg低于375℃但是高于200℃，其先决条件系，该低Tg聚酰亚胺层的Tg低于该高Tg聚酰亚胺层的Tg，而且该金属膜层压或是沉积在该低Tg聚酰亚胺层不面向该高Tg聚酰亚胺层一侧的表面上。
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