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    奈米壓印方法及使用其之圖案化基板之製造方法
    4.
    发明专利
    奈米壓印方法及使用其之圖案化基板之製造方法 审中-公开
    奈米压印方法及使用其之图案化基板之制造方法

    公开(公告)号：TW201428819A

    公开(公告)日：2014-07-16

    申请号：TW102141178

    申请日：2013-11-13

    申请人： 富士軟片股份有限公司 ,  FUJIFILM CORPORATION

    发明人： 若松哲史 ,  WAKAMATSU, SATOSHI ,  藥師寺隆 ,  YAKUSHIJI, TAKASHI ,  中村和晴 ,  NAKAMURA, KAZUHARU

    IPC分类号： H01L21/027 ,  B29C59/02

    CPC分类号： G03F7/0002

    摘要： 本發明之目的在於提供一種奈米壓印方法，其可在奈米壓印中，改善硬化性樹脂的揮發及效率低落的問題，同時減少未填充缺陷的產生。為達成上述之目的，在使用表面具有細微凹凸圖案之模具1的奈米壓印方法中，配置模具1及基板2，並使凹凸圖案與塗布於基板2上之光阻3相對，而使得以模具1與基板2夾住的圖案區域上的空間區域的表面中與環境氣體接觸的部分的面積，小於基板2上所塗布之光阻3中存在圖案區域上的部分的表面積，且在模具1未與光阻3接觸的狀態下，使環境氣壓減壓至小於10kPa之後，將模具1壓附於基板2。

    简体摘要： 本发明之目的在于提供一种奈米压印方法，其可在奈米压印中，改善硬化性树脂的挥发及效率低落的问题，同时减少未填充缺陷的产生。为达成上述之目的，在使用表面具有细微凹凸图案之模具1的奈米压印方法中，配置模具1及基板2，并使凹凸图案与涂布于基板2上之光阻3相对，而使得以模具1与基板2夹住的图案区域上的空间区域的表面中与环境气体接触的部分的面积，小于基板2上所涂布之光阻3中存在图案区域上的部分的表面积，且在模具1未与光阻3接触的状态下，使环境气压减压至小于10kPa之后，将模具1压附于基板2。

    奈米壓印設備及奈米壓印方法、以及變形賦予裝置及變形賦予方法
    8.
    发明专利
    奈米壓印設備及奈米壓印方法、以及變形賦予裝置及變形賦予方法 审中-公开
    奈米压印设备及奈米压印方法、以及变形赋予设备及变形赋予方法

    公开(公告)号：TW201332747A

    公开(公告)日：2013-08-16

    申请号：TW101135140

    申请日：2012-09-25

    申请人： 富士軟片股份有限公司 ,  FUJIFILM CORPORATION

    发明人： 若松哲史 ,  WAKAMATSU, SATOSHI ,  服部昭子 ,  HATTORI, AKIKO

    IPC分类号： B29C59/02 ,  H01L21/027

    CPC分类号： B29C59/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

    摘要： 在奈米壓印中，利用任何壓印部件實現在模具之中央起始的模具之凹凸圖案與抗蝕劑之間的接觸，而不管所述壓印部件之剛性如何。一種奈米壓印設備(10)裝備有：變形賦予裝置(20)，其施加外力至壓印部件(1)上以維持所述壓印部件(1)處於預定的撓曲狀態，藉此向所述壓印部件(1)賦予永久變形；以及壓印單元(40)，其利用被賦予所述永久變形之所述壓印部件(1)且將模具(1)之凹凸圖案(2)按壓至設置在基板(6)上的抗蝕劑(7)上，以轉移所述凹凸圖案(2)至所述抗蝕劑(7)。

    简体摘要： 在奈米压印中，利用任何压印部件实现在模具之中央起始的模具之凹凸图案与抗蚀剂之间的接触，而不管所述压印部件之刚性如何。一种奈米压印设备(10)装备有：变形赋予设备(20)，其施加外力至压印部件(1)上以维持所述压印部件(1)处于预定的挠曲状态，借此向所述压印部件(1)赋予永久变形；以及压印单元(40)，其利用被赋予所述永久变形之所述压印部件(1)且将模具(1)之凹凸图案(2)按压至设置在基板(6)上的抗蚀剂(7)上，以转移所述凹凸图案(2)至所述抗蚀剂(7)。

    奈米壓印方法以及用於該奈米壓印方法的抗蝕劑組成物
    9.
    发明专利
    奈米壓印方法以及用於該奈米壓印方法的抗蝕劑組成物 审中-公开
    奈米压印方法以及用于该奈米压印方法的抗蚀剂组成物

    公开(公告)号：TW201329629A

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：TW101135699

    申请日：2012-09-28

    申请人： 富士軟片股份有限公司 ,  FUJIFILM CORPORATION

    发明人： 大松禎 ,  OMATSU, TADASHI ,  中村和晴 ,  NAKAMURA, KAZUHARU ,  若松哲史 ,  WAKAMATSU, SATOSHI

    IPC分类号： G03F7/028 ,  C08F220/10 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

    CPC分类号： C09D133/22 ,  B29C59/026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F2/48 ,  C08F220/18 ,  C08F220/30 ,  C08F222/1006 ,  C09D133/08 ,  G03F7/0002

    摘要： [目標]為了在奈米壓印方法中能夠抑制由黏附物質所致之模具污染且形成具有充分抗蝕刻性之抗蝕劑圖案。[組成]奈米壓印方法使用包含可聚合化合物以及聚合起始劑之抗蝕劑組成物，所述可聚合化合物以及所述聚合起始劑各自具有吸收區域在250奈米至500奈米範圍內之吸收光譜特性。所述聚合起始劑之吸收區域的較長波長端波長（λi）與所述可聚合化合物之吸收區域的較長波長端波長（λm）相比更長。抗蝕劑組成物之曝光是藉由光譜強度特性滿足預定關係式之光來執行。

    简体摘要： [目标]为了在奈米压印方法中能够抑制由黏附物质所致之模具污染且形成具有充分抗蚀刻性之抗蚀剂图案。[组成]奈米压印方法使用包含可聚合化合物以及聚合起始剂之抗蚀剂组成物，所述可聚合化合物以及所述聚合起始剂各自具有吸收区域在250奈米至500奈米范围内之吸收光谱特性。所述聚合起始剂之吸收区域的较长波长端波长（λi）与所述可聚合化合物之吸收区域的较长波长端波长（λm）相比更长。抗蚀剂组成物之曝光是借由光谱强度特性满足预定关系式之光来运行。

    用於奈米壓印模具的脫膜處理方法、應用該脫膜處理方法的製造方法、奈米壓印模具、奈米壓印方法以及圖案化基底的製造方法
    10.
    发明专利
    用於奈米壓印模具的脫膜處理方法、應用該脫膜處理方法的製造方法、奈米壓印模具、奈米壓印方法以及圖案化基底的製造方法 审中-公开
    用于奈米压印模具的脱膜处理方法、应用该脱膜处理方法的制造方法、奈米压印模具、奈米压印方法以及图案化基底的制造方法

    公开(公告)号：TW201313429A

    公开(公告)日：2013-04-01

    申请号：TW101129547

    申请日：2012-08-15

    申请人： 富士軟片股份有限公司 ,  FUJIFILM CORPORATION

    发明人： 若松哲史 ,  WAKAMATSU, SATOSHI ,  服部昭子 ,  HATTORI, AKIKO

    IPC分类号： B29C33/58 ,  B29C59/02 ,  H01L21/027

    CPC分类号： B29C33/00 ,  B29C33/58 ,  B29C33/60 ,  B29C33/62 ,  B29C37/0067 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

    摘要： 脫模處理能在奈米壓印裝置內部進行，且在奈米壓印模具之製造中改良整個圖案化表面之脫模性。一種用於模具(1)之脫模處理方法包含：製備塗佈有脫模劑(6)之脫模處理基底(5)；使在表面上有吸附水(2)之模具主體(12)與脫模處理基底(5)彼此靠近直至凹凸圖案(13)之凸處之上部與脫模劑(6)接觸；維持所述接觸狀態直至形成脫模層(14)，脫模層(14)之厚度分佈為脫模層(14)在凹凸圖案(13)之側面(Ss)處之厚度因脫模劑(6)擴散於吸附水(2)中而自凸處之頂面(St)朝向凹處之底面(Sb)變薄；以及使模具主體(12)與脫模處理基底(5)彼此分離，使得凸處之上部與脫模處理基底(5)上之脫模劑(6)分離。

    简体摘要： 脱模处理能在奈米压印设备内部进行，且在奈米压印模具之制造中改良整个图案化表面之脱模性。一种用于模具(1)之脱模处理方法包含：制备涂布有脱模剂(6)之脱模处理基底(5)；使在表面上有吸附水(2)之模具主体(12)与脱模处理基底(5)彼此靠近直至凹凸图案(13)之凸处之上部与脱模剂(6)接触；维持所述接触状态直至形成脱模层(14)，脱模层(14)之厚度分布为脱模层(14)在凹凸图案(13)之侧面(Ss)处之厚度因脱模剂(6)扩散于吸附水(2)中而自凸处之顶面(St)朝向凹处之底面(Sb)变薄；以及使模具主体(12)与脱模处理基底(5)彼此分离，使得凸处之上部与脱模处理基底(5)上之脱模剂(6)分离。