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    奈米壓印設備及奈米壓印方法、以及變形賦予裝置及變形賦予方法
    2.
    发明专利
    奈米壓印設備及奈米壓印方法、以及變形賦予裝置及變形賦予方法 审中-公开
    奈米压印设备及奈米压印方法、以及变形赋予设备及变形赋予方法

    公开(公告)号：TW201332747A

    公开(公告)日：2013-08-16

    申请号：TW101135140

    申请日：2012-09-25

    申请人： 富士軟片股份有限公司 ,  FUJIFILM CORPORATION

    发明人： 若松哲史 ,  WAKAMATSU, SATOSHI ,  服部昭子 ,  HATTORI, AKIKO

    IPC分类号： B29C59/02 ,  H01L21/027

    CPC分类号： B29C59/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

    摘要： 在奈米壓印中，利用任何壓印部件實現在模具之中央起始的模具之凹凸圖案與抗蝕劑之間的接觸，而不管所述壓印部件之剛性如何。一種奈米壓印設備(10)裝備有：變形賦予裝置(20)，其施加外力至壓印部件(1)上以維持所述壓印部件(1)處於預定的撓曲狀態，藉此向所述壓印部件(1)賦予永久變形；以及壓印單元(40)，其利用被賦予所述永久變形之所述壓印部件(1)且將模具(1)之凹凸圖案(2)按壓至設置在基板(6)上的抗蝕劑(7)上，以轉移所述凹凸圖案(2)至所述抗蝕劑(7)。

    简体摘要： 在奈米压印中，利用任何压印部件实现在模具之中央起始的模具之凹凸图案与抗蚀剂之间的接触，而不管所述压印部件之刚性如何。一种奈米压印设备(10)装备有：变形赋予设备(20)，其施加外力至压印部件(1)上以维持所述压印部件(1)处于预定的挠曲状态，借此向所述压印部件(1)赋予永久变形；以及压印单元(40)，其利用被赋予所述永久变形之所述压印部件(1)且将模具(1)之凹凸图案(2)按压至设置在基板(6)上的抗蚀剂(7)上，以转移所述凹凸图案(2)至所述抗蚀剂(7)。

    用於奈米壓印模具的脫膜處理方法、應用該脫膜處理方法的製造方法、奈米壓印模具、奈米壓印方法以及圖案化基底的製造方法
    3.
    发明专利
    用於奈米壓印模具的脫膜處理方法、應用該脫膜處理方法的製造方法、奈米壓印模具、奈米壓印方法以及圖案化基底的製造方法 审中-公开
    用于奈米压印模具的脱膜处理方法、应用该脱膜处理方法的制造方法、奈米压印模具、奈米压印方法以及图案化基底的制造方法

    公开(公告)号：TW201313429A

    公开(公告)日：2013-04-01

    申请号：TW101129547

    申请日：2012-08-15

    申请人： 富士軟片股份有限公司 ,  FUJIFILM CORPORATION

    发明人： 若松哲史 ,  WAKAMATSU, SATOSHI ,  服部昭子 ,  HATTORI, AKIKO

    IPC分类号： B29C33/58 ,  B29C59/02 ,  H01L21/027

    CPC分类号： B29C33/00 ,  B29C33/58 ,  B29C33/60 ,  B29C33/62 ,  B29C37/0067 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

    摘要： 脫模處理能在奈米壓印裝置內部進行，且在奈米壓印模具之製造中改良整個圖案化表面之脫模性。一種用於模具(1)之脫模處理方法包含：製備塗佈有脫模劑(6)之脫模處理基底(5)；使在表面上有吸附水(2)之模具主體(12)與脫模處理基底(5)彼此靠近直至凹凸圖案(13)之凸處之上部與脫模劑(6)接觸；維持所述接觸狀態直至形成脫模層(14)，脫模層(14)之厚度分佈為脫模層(14)在凹凸圖案(13)之側面(Ss)處之厚度因脫模劑(6)擴散於吸附水(2)中而自凸處之頂面(St)朝向凹處之底面(Sb)變薄；以及使模具主體(12)與脫模處理基底(5)彼此分離，使得凸處之上部與脫模處理基底(5)上之脫模劑(6)分離。

    简体摘要： 脱模处理能在奈米压印设备内部进行，且在奈米压印模具之制造中改良整个图案化表面之脱模性。一种用于模具(1)之脱模处理方法包含：制备涂布有脱模剂(6)之脱模处理基底(5)；使在表面上有吸附水(2)之模具主体(12)与脱模处理基底(5)彼此靠近直至凹凸图案(13)之凸处之上部与脱模剂(6)接触；维持所述接触状态直至形成脱模层(14)，脱模层(14)之厚度分布为脱模层(14)在凹凸图案(13)之侧面(Ss)处之厚度因脱模剂(6)扩散于吸附水(2)中而自凸处之顶面(St)朝向凹处之底面(Sb)变薄；以及使模具主体(12)与脱模处理基底(5)彼此分离，使得凸处之上部与脱模处理基底(5)上之脱模剂(6)分离。

    用於壓印的底層膜形成組成物及圖案形成方法
    8.
    发明专利
    用於壓印的底層膜形成組成物及圖案形成方法 审中-公开
    用于压印的底层膜形成组成物及图案形成方法

    公开(公告)号：TW201403220A

    公开(公告)日：2014-01-16

    申请号：TW102121400

    申请日：2013-06-17

    申请人： 富士軟片股份有限公司 ,  FUJIFILM CORPORATION

    发明人： 北川浩 ,  KITAGAWA, HIROTAKA ,  服部昭子 ,  HATTORI, AKIKO ,  榎本雄一郎 ,  ENOMOTO, YUICHIRO

    IPC分类号： G03F7/00 ,  C08F20/14 ,  C08L33/02 ,  H01L21/027

    CPC分类号： C08F220/32 ,  B29C59/005 ,  B29K2033/12 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F2220/281 ,  C08F2220/325 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02356

    摘要： 提供表面平面度極佳之底層膜。一種用於壓印之底層膜形成組成物，其包括：(甲基)丙烯酸系樹脂(A)及溶劑(B)。所述(甲基)丙烯酸系樹脂(A)含有烯系不飽和基團(P)及非離子性親水基團(Q)，且其重量平均分子量為1,000或大於1,000；所述樹脂(A)之酸價小於1.0毫莫耳/公克。以及一種用於壓印之底層膜形成組成物，其包括：(甲基)丙烯酸系樹脂(A2)及溶劑(B)。所述(甲基)丙烯酸系樹脂(A2)含有烯系不飽和基團(P)以及做為非離子性親水基團(Q)之環狀取代基(Q2)，環狀取代基(Q2)的環狀結構中具有羰基，所述(甲基)丙烯酸系樹脂(A2)之重量平均分子量為1,000或大於1,000。

    简体摘要： 提供表面平面度极佳之底层膜。一种用于压印之底层膜形成组成物，其包括：(甲基)丙烯酸系树脂(A)及溶剂(B)。所述(甲基)丙烯酸系树脂(A)含有烯系不饱和基团(P)及非离子性亲水基团(Q)，且其重量平均分子量为1,000或大于1,000；所述树脂(A)之酸价小于1.0毫莫耳/公克。以及一种用于压印之底层膜形成组成物，其包括：(甲基)丙烯酸系树脂(A2)及溶剂(B)。所述(甲基)丙烯酸系树脂(A2)含有烯系不饱和基团(P)以及做为非离子性亲水基团(Q)之环状取代基(Q2)，环状取代基(Q2)的环状结构中具有羰基，所述(甲基)丙烯酸系树脂(A2)之重量平均分子量为1,000或大于1,000。

    導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板
    10.
    发明专利
    導電性膜、觸控面板感測器及觸控面板 审中-公开
    导电性膜、触摸皮肤传感器及触摸皮肤

    公开(公告)号：TW201826291A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW106126750

    申请日：2017-08-08

    申请人： 日商富士軟片股份有限公司 ,  FUJIFILM CORPORATION

    发明人： 服部昭子 ,  HATTORI, AKIKO ,  大津暁彦 ,  OHTSU, AKIHIKO

    IPC分类号： H01B5/14 ,  G06F3/041

    摘要： 本發明的課題在於提供一種可見性優異之導電性膜。又，本發明的課題還在於提供一種觸控面板感測器及觸控面板。本發明的導電性膜具有導電部，前述導電部配置於基板上，且由線寬0.5μm以上且小於2μm的金屬細線構成，其中上述金屬細線形成網格圖案，上述金屬細線的線寬Lμm與上述網格圖案的開口率A%滿足式（I）的關係，在波長550nm下之上述金屬細線的反射率為80%以下，式（I）：70≤A＜（10-L/15）2。

    简体摘要： 本发明的课题在于提供一种可见性优异之导电性膜。又，本发明的课题还在于提供一种触摸皮肤传感器及触摸皮肤。本发明的导电性膜具有导电部，前述导电部配置于基板上，且由线宽0.5μm以上且小于2μm的金属细线构成，其中上述金属细线形成网格图案，上述金属细线的线宽Lμm与上述网格图案的开口率A%满足式（I）的关系，在波长550nm下之上述金属细线的反射率为80%以下，式（I）：70≤A＜（10-L/15）2。