公开(公告)号：TW201502742A

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：TW103108230

申请日：2014-03-10

申请人： 微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： 李 湯瑪斯 約鮑克 ,  LEE, THOMAS YOUBOK ,  傑拉米洛 魯迪 ,  JARAMILLO, RUDY ,  理查斯 派翠克 凱莉 ,  RICHARDS, PATRICK KELLY ,  富瑞 李 ,  FUREY, LEE

IPC分类号： G05F1/46

CPC分类号： H04L25/4902 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H02M3/00 ,  H02M3/33523 ,  H04L25/0266 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： 在一初級積體電路晶粒之一表面上形成高額定電壓隔離電容器或電感器。該等隔離電容器或電感器將一第一電壓域中之該初級積體電路交流(AC)耦合至一第二電壓域中之一次級積體電路。該等隔離電容器或電感器使該初級積體電路與該次級積體電路晶粒直流(DC)隔離。透過具有一AC振盪器或脈寬調變(PWM)產生器之該等高額定電壓隔離電容器或電感器來提供自該第一電壓域至該第二電壓域之隔離電力轉移。可透過該等高額定電壓隔離電容器或電感器來使該AC振盪器之電壓振幅因電力增加而增大。

简体摘要： 在一初级集成电路晶粒之一表面上形成高额定电压隔离电容器或电感器。该等隔离电容器或电感器将一第一电压域中之该初级集成电路交流(AC)耦合至一第二电压域中之一次级集成电路。该等隔离电容器或电感器使该初级集成电路与该次级集成电路晶粒直流(DC)隔离。透过具有一AC振荡器或脉宽调制(PWM)产生器之该等高额定电压隔离电容器或电感器来提供自该第一电压域至该第二电压域之隔离电力转移。可透过该等高额定电压隔离电容器或电感器来使该AC振荡器之电压振幅因电力增加而增大。

公开(公告)号：TWI621005B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW103108230

申请日：2014-03-10

申请人： 微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： 李 湯瑪斯 約鮑克 ,  LEE, THOMAS YOUBOK ,  傑拉米洛 魯迪 ,  JARAMILLO, RUDY ,  理查斯 派翠克 凱莉 ,  RICHARDS, PATRICK KELLY ,  富瑞 李 ,  FUREY, LEE

IPC分类号： G05F1/46

CPC分类号： H04L25/4902 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5227 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H02M3/00 ,  H02M3/33523 ,  H04L25/0266 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201735285A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106110605

申请日：2017-03-29

申请人： 微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED

发明人： 迪克斯 喬葛瑞 ,  DIX, GREGORY ,  富瑞 李 ,  FUREY, LEE ,  瑞胡那森 洛韓 ,  RAGHUNATHAN, ROHAN

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/495 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517

摘要： 本發明係關於半導體裝置。其教示之實施例可包含用於製造半導體裝置之程序及裝置本身。例如，一些實施例可包含一積體電路封裝，其包括：一引線框；一第一晶料，其以覆晶方式安裝於該引線框上，該第一晶料之一前側連接至該引線框；其中該第一晶料包括沈積於該第一晶料之一背側上的一層氧化物層；及沈積於該氧化物層上的一背面金屬層；及一第二晶料，其安裝於該第一晶料之該背面金屬層上。

简体摘要： 本发明系关于半导体设备。其教示之实施例可包含用于制造半导体设备之进程及设备本身。例如，一些实施例可包含一集成电路封装，其包括：一引线框；一第一晶料，其以覆晶方式安装于该引线框上，该第一晶料之一前侧连接至该引线框；其中该第一晶料包括沉积于该第一晶料之一背侧上的一层氧化物层；及沉积于该氧化物层上的一背面金属层；及一第二晶料，其安装于该第一晶料之该背面金属层上。