公开(公告)号：TW200731286A

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：TW095144469

申请日：2006-11-30

申请人： 愛歐達科技公司 IOTA TECHNOLOGY, INC.

发明人： 攸-明 湯姆 何 HO, IU-MENG TOM

IPC分类号： G11C

CPC分类号： G11C11/56 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1096 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C11/16 ,  G11C11/22 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/565 ,  G11C11/5657 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/0491 ,  G11C2211/4013 ,  G11C2211/5641 ,  H01L29/785

摘要： 本發明提供一種使用真實及互補雙位元線及雙二元儲存元件單元架構之電子記憶體,其包含一具有四個二元儲存元件之記憶體單元對,每一記憶體單元對能夠存在於多達十六種電子記憶體狀態中。視允許的雜訊邊限(noise margin)及位元寬度選擇而定,通常用以儲存兩個真實及互補資料位元之四個二元儲存元件一起用以儲存二、三或四個資料位元。該記憶體可為鐵電記憶體FeRAM、一快閃記憶體、一ROM(唯讀記憶體)、一動態記憶體DRAM、一OUM(相變化記憶體)、一MRAM(磁電阻隨機存取記憶體)、一NAND記憶體或一NOR記憶體。

简体摘要： 本发明提供一种使用真实及互补双比特线及双二元存储组件单元架构之电子内存,其包含一具有四个二元存储组件之内存单元对,每一内存单元对能够存在于多达十六种电子内存状态中。视允许的噪声边限(noise margin)及比特宽度选择而定,通常用以存储两个真实及互补数据比特之四个二元存储组件一起用以存储二、三或四个数据比特。该内存可为铁电内存FeRAM、一闪存、一ROM(唯读内存)、一动态内存DRAM、一OUM(相变化内存)、一MRAM(磁电阻随机存取内存)、一NAND内存或一NOR内存。