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    觸控面板
    1.
    发明专利
    觸控面板 审中-公开
    触摸皮肤

    公开(公告)号：TW201535221A

    公开(公告)日：2015-09-16

    申请号：TW104102750

    申请日：2015-01-27

    申请人： 愛發科股份有限公司 ,  ULVAC, INC.

    发明人： 鈴木壽弘 ,  SUZUKI, TOSHIHIRO ,  新井真 ,  ARAI, MAKOTO ,  石橋哲 ,  ISHIBASHI, TETSU ,  須田具和 ,  SUDA, TOMOKAZU

    IPC分类号： G06F3/044 ,  G02F1/1333

    摘要： 本發明提供一種靜電電容方式之觸控面板，該觸控面板配置於顯示面板上且觸摸操作面來操作，且具有：透明基板，於上述透明基板之上述操作面之背面側於X方向形成之複數個X電極，以及於與上述X方向正交之Y方向形成之複數個Y電極。上述複數個X電極與上述複數個Y電極具有：形成於上述背面側之同一面之複數個透明電極；以及於上述X電極與上述Y電極經由絕緣部相互交叉之交叉部，立體連接相鄰之上述X電極之透明電極或相鄰之上述Y電極之透明電極中之任一者之跳線。上述跳線具有與上述透明電極連接之第一層及積層於該第一層之第二層。上述第一層包括第一金屬氧化膜，上述第二層包括第二金屬氧化膜。上述第一層之折射率低於上述第二層之折射率。

    简体摘要： 本发明提供一种静电电容方式之触摸皮肤，该触摸皮肤配置于显示皮肤上且触摸操作面来操作，且具有：透明基板，于上述透明基板之上述操作面之背面侧于X方向形成之复数个X电极，以及于与上述X方向正交之Y方向形成之复数个Y电极。上述复数个X电极与上述复数个Y电极具有：形成于上述背面侧之同一面之复数个透明电极；以及于上述X电极与上述Y电极经由绝缘部相互交叉之交叉部，三維连接相邻之上述X电极之透明电极或相邻之上述Y电极之透明电极中之任一者之跳线。上述跳线具有与上述透明电极连接之第一层及积层于该第一层之第二层。上述第一层包括第一金属氧化膜，上述第二层包括第二金属氧化膜。上述第一层之折射率低于上述第二层之折射率。

    薄膜形成裝置及方法 THIN FILM FORMING APPARATUS AND METHOD
    6.
    发明专利
    薄膜形成裝置及方法 THIN FILM FORMING APPARATUS AND METHOD 有权
    薄膜形成设备及方法 THIN FILM FORMING APPARATUS AND METHOD

    公开(公告)号：TWI242602B

    公开(公告)日：2005-11-01

    申请号：TW091125257

    申请日：2002-10-25

    申请人： 愛發科股份有限公司 ULVAC, INC.

    发明人： 谷典明 TANI, NORIAKI ,  鈴木壽弘 ,  池田智 ,  川村裕明 ,  石橋曉 ISHIBASHI, SATORU ,  半澤幸一 HANZAWA, KOUICHI ,  松元孝文 MATSUMOTO, TAKAFUMI

    IPC分类号： C23C

    CPC分类号： C23C14/044 ,  C23C14/545

    摘要： 本發明提供一種有效之薄膜形成裝置，其可校正膜厚，以使處理在膜厚中的分佈變化，且處理膜厚的周圍分佈，以及提供一種使用此一膜形成裝置形成薄膜的方法。該方法包括了第一步驟，首先經由在遮光板8中之開口8a形成一薄膜至厚度的預定百分比，然後，第二步驟，使用膜厚監視器10測量在第一步驟中形成的薄膜之厚度分佈，及第三步驟，經由在基板4與濺射陰極6之間的遮光板8中之開口8b，與第一步驟比較，降低膜形成率，且經由在基板4與濺射陰極6之間的第一膜厚校正板13中之開口13a，相對應於被第二步驟中之膜厚監視器10所測量的膜厚分佈，校正薄膜之厚度。然後，再次執行第二步驟，於此測量使用用膜厚監視器10測量在第三步驟中形成的薄膜之厚度分佈。進一步的，第三與第二步驟均被重複地執行。

    简体摘要： 本发明提供一种有效之薄膜形成设备，其可校正膜厚，以使处理在膜厚中的分布变化，且处理膜厚的周围分布，以及提供一种使用此一膜形成设备形成薄膜的方法。该方法包括了第一步骤，首先经由在遮光板8中之开口8a形成一薄膜至厚度的预定百分比，然后，第二步骤，使用膜厚监视器10测量在第一步骤中形成的薄膜之厚度分布，及第三步骤，经由在基板4与溅射阴极6之间的遮光板8中之开口8b，与第一步骤比较，降低膜形成率，且经由在基板4与溅射阴极6之间的第一膜厚校正板13中之开口13a，相对应于被第二步骤中之膜厚监视器10所测量的膜厚分布，校正薄膜之厚度。然后，再次运行第二步骤，于此测量使用用膜厚监视器10测量在第三步骤中形成的薄膜之厚度分布。进一步的，第三与第二步骤均被重复地运行。

    光罩基底、光罩、光罩製造方法 PHOTO-MASK BLANKS, PHOTO-MASK AND METHOD FOR PRODUCING A PHOTO-MASK
    10.
    发明专利
    光罩基底、光罩、光罩製造方法 PHOTO-MASK BLANKS, PHOTO-MASK AND METHOD FOR PRODUCING A PHOTO-MASK 审中-公开
    光罩基底、光罩、光罩制造方法 PHOTO-MASK BLANKS, PHOTO-MASK AND METHOD FOR PRODUCING A PHOTO-MASK

    公开(公告)号：TW201128295A

    公开(公告)日：2011-08-16

    申请号：TW099130318

    申请日：2010-09-08

    申请人： 愛發科股份有限公司

    发明人： 谷典明 ,  中村久三 ,  清田淳也 ,  鈴木壽弘 ,  三村壽文

    IPC分类号： G03F ,  H01L

    摘要： [課題]提供不會附著微粒的光罩及其製造方法。[解決手段]在相位位移層(11)上層積接著層(12)、蝕刻擋止件層(13)、及遮光層(14)，藉由蝕刻液將遮光層(14)局部蝕刻時，以蝕刻擋止件層(13)來阻止蝕刻的進行，接著，以氧電漿來去除形成在遮光層(14)的開口底面的蝕刻擋止件層。作為相位位移區域的開口(24)係以阻劑覆蓋，以蝕刻液來去除作為透光區域的開口底面的相位位移層(11)。在殘留遮光層(14)的部分形成遮光區域，而得光罩。在全部形成各層(11～14)之後，進行使用蝕刻液的蝕刻，因此不會附著微粒。

    简体摘要： [课题]提供不会附着微粒的光罩及其制造方法。[解决手段]在相位位移层(11)上层积接着层(12)、蚀刻挡止件层(13)、及遮光层(14)，借由蚀刻液将遮光层(14)局部蚀刻时，以蚀刻挡止件层(13)来阻止蚀刻的进行，接着，以氧等离子来去除形成在遮光层(14)的开口底面的蚀刻挡止件层。作为相位位移区域的开口(24)系以阻剂覆盖，以蚀刻液来去除作为透光区域的开口底面的相位位移层(11)。在残留遮光层(14)的部分形成遮光区域，而得光罩。在全部形成各层(11～14)之后，进行使用蚀刻液的蚀刻，因此不会附着微粒。