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公开(公告)号：TW201842608A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107103218
申请日：2018-01-30
发明人： 辛 沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 曹 永崙 , TSO, ALAN , 金泰元 , KIM, TAE WON
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306 , B08B7/00 , B08B15/00
摘要： 本揭露內容大致關於減少基板表面上的粒子污染物的設備與方法。在一個實例中，設備體現成裝載閘腔室，包括配置在加熱器基座上方且耦接至加熱器基座的頂部加熱器襯裡。頂部加熱器襯裡大致包括頂部板與支撐頂部加熱器襯裡於加熱器基座上方的一或多個壁。由於頂部加熱器襯裡接觸加熱器基座，頂部加熱器襯裡大致上被加熱至汙染粒子係揮發性的溫度(例如，大於約100°C)。在運作中，通過或鄰近熱頂部加熱器襯裡的揮發性氟保持氣態形式並因此排出裝載閘腔室。頂部加熱器襯裡因而有利地減少汙染粒子沉積於基板表面上的可能性並改善整體產率。
简体摘要： 本揭露内容大致关于减少基板表面上的粒子污染物的设备与方法。在一个实例中，设备体现成装载闸腔室，包括配置在加热器基座上方且耦接至加热器基座的顶部加热器衬里。顶部加热器衬里大致包括顶部板与支撑顶部加热器衬里于加热器基座上方的一或多个壁。由于顶部加热器衬里接触加热器基座，顶部加热器衬里大致上被加热至污染粒子系挥发性的温度(例如，大于约100°C)。在运作中，通过或邻近热顶部加热器衬里的挥发性氟保持气态形式并因此排出装载闸腔室。顶部加热器衬里因而有利地减少污染粒子沉积于基板表面上的可能性并改善整体产率。
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公开(公告)号：TWI531674B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW098135997
申请日：2009-10-23
发明人： 曹永崙 , TSO, ALAN , 崔倫 , TSUEI, LUN , 邱湯姆K , CHO, TOM K. , 薛錫園 , SHIEH, BRIAN SY-YUAN
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
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公开(公告)号：TWI670783B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104138764
申请日：2015-11-23
发明人： 辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 曹永崙 , TSO, ALAN , 張景春 , ZHANG, JINGCHUN , 李資慧 , LI, ZIHUI , 張漢申 , ZHANG, HANSHEN , 露波默斯基德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
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公开(公告)号：TW201624589A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104138764
申请日：2015-11-23
发明人： 辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 曹永崙 , TSO, ALAN , 張景春 , ZHANG, JINGCHUN , 李資慧 , LI, ZIHUI , 張漢申 , ZHANG, HANSHEN , 露波默斯基德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32715 , H01J2237/2001 , H01J2237/334 , H01L21/67069
摘要： 半導體處理腔室可包含遠端電漿區域，及與遠端電漿區域流體耦接的處理區域。處理區域可經配置以容納在支撐基座上的基板。支撐基座可包含在基座的內側區域處的第一材料。支撐基座亦可包含與基座之遠端部分耦接的或在基座的外側區域處的環形構件。環形構件可包含與第一材料不同之第二材料。
简体摘要： 半导体处理腔室可包含远程等离子区域，及与远程等离子区域流体耦接的处理区域。处理区域可经配置以容纳在支撑基座上的基板。支撑基座可包含在基座的内侧区域处的第一材料。支撑基座亦可包含与基座之远程部分耦接的或在基座的外侧区域处的环形构件。环形构件可包含与第一材料不同之第二材料。
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公开(公告)号：TW201324818A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101138296
申请日：2012-10-17
发明人： 盛殊然 , SHENG, SHURAN , 張林 , ZHANG, LIN , 袁正 , YUAN, ZHENG , 王榮平 , WANG, RONGPING , 曹永崙 , TSO, ALAN
IPC分类号： H01L31/042 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/0257 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32577 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一種在電漿增強化學氣相沉積(PECVD)設備內製造半導體層的方法。該PECVD設備包括界定處理區域之複數個壁；基板支座；遮蔽框架；氣體分配噴灑頭；氣源，該氣源與該氣體分配噴灑頭及該處理區域流體連接；射頻電源，該射頻電源耦接至該氣體分配噴灑頭；以及一或多個VHF接地片，該一或多個VHF接地片電耦接至該複數個壁中之至少一者。該一或多個VHF接地片於該遮蔽框架與該複數個壁中之至少一者之間提供低阻抗電流路徑。該方法進一步包括輸送半導體前驅物氣體與摻雜劑前驅物氣體以及輸送非常高頻(VHF)功率，以產生電漿，而於該一或多個基板上形成第一層。
简体摘要： 一种在等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域之复数个壁；基板支座；屏蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至该复数个壁中之至少一者。该一或多个VHF接地片于该屏蔽框架与该复数个壁中之至少一者之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前驱物气体与掺杂剂前驱物气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子，而于该一或多个基板上形成第一层。
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