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    用於電漿處理的電弧偵測設備
    2.
    发明专利
    用於電漿處理的電弧偵測設備 审中-公开
    用于等离子处理的电弧侦测设备

    公开(公告)号：TW201730913A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105139047

    申请日：2016-11-28

    申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： 張 林 ,  ZHANG, LIN ,  王 榮平 ,  WANG, RONGPING ,  陳 建J ,  CHEN, JIAN J. ,  寇克斯 麥可S ,  COX, MICHAEL S. ,  樂 安德魯V ,  LE, ANDREW V.

    IPC分类号： H01J37/32

    CPC分类号： H01J37/32944 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32715

    摘要： 此處所揭露之實施例大致關於一種電漿處理腔室及用於電弧事件的偵測設備。在一個實施例中，此處揭露一種電弧偵測設備。電弧偵測設備包含探針、偵測電路及資料記錄系統。探針定位為部分地暴露至電漿處理腔室的內部容積。偵測電路配置成從探針接收類比訊號且將輸出訊號輸出以放大類比訊號中呈現的事件。資料記錄系統經通訊耦合以從偵測電路接收輸出訊號。資料記錄系統配置成追蹤內部容積中發生的電弧事件。

    简体摘要： 此处所揭露之实施例大致关于一种等离子处理腔室及用于电弧事件的侦测设备。在一个实施例中，此处揭露一种电弧侦测设备。电弧侦测设备包含探针、侦测电路及数据记录系统。探针定位为部分地暴露至等离子处理腔室的内部容积。侦测电路配置成从探针接收模拟信号且将输出信号输出以放大模拟信号中呈现的事件。数据记录系统经通信耦合以从侦测电路接收输出信号。数据记录系统配置成追踪内部容积中发生的电弧事件。

    製造矽異質接面太陽能電池之方法與設備
    4.
    发明专利
    製造矽異質接面太陽能電池之方法與設備 审中-公开
    制造硅异质接面太阳能电池之方法与设备

    公开(公告)号：TW201324818A

    公开(公告)日：2013-06-16

    申请号：TW101138296

    申请日：2012-10-17

    申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： 盛殊然 ,  SHENG, SHURAN ,  張林 ,  ZHANG, LIN ,  袁正 ,  YUAN, ZHENG ,  王榮平 ,  WANG, RONGPING ,  曹永崙 ,  TSO, ALAN

    IPC分类号： H01L31/042 ,  C23C16/455

    CPC分类号： H01L21/0257 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： 一種在電漿增強化學氣相沉積(PECVD)設備內製造半導體層的方法。該PECVD設備包括界定處理區域之複數個壁；基板支座；遮蔽框架；氣體分配噴灑頭；氣源，該氣源與該氣體分配噴灑頭及該處理區域流體連接；射頻電源，該射頻電源耦接至該氣體分配噴灑頭；以及一或多個VHF接地片，該一或多個VHF接地片電耦接至該複數個壁中之至少一者。該一或多個VHF接地片於該遮蔽框架與該複數個壁中之至少一者之間提供低阻抗電流路徑。該方法進一步包括輸送半導體前驅物氣體與摻雜劑前驅物氣體以及輸送非常高頻(VHF)功率，以產生電漿，而於該一或多個基板上形成第一層。

    简体摘要： 一种在等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域之复数个壁；基板支座；屏蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至该复数个壁中之至少一者。该一或多个VHF接地片于该屏蔽框架与该复数个壁中之至少一者之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前驱物气体与掺杂剂前驱物气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子，而于该一或多个基板上形成第一层。

    用於半導體製造之晶圓處理的高生產率PECVD工具
    9.
    发明专利
    用於半導體製造之晶圓處理的高生產率PECVD工具 审中-公开
    用于半导体制造之晶圆处理的高生产率PECVD工具

    公开(公告)号：TW201717262A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105132694

    申请日：2016-10-11

    申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

    发明人： 張 林 ,  ZHANG, LIN ,  路雪松 ,  LU, XUESONG ,  樂 安德魯V ,  LE, ANDREW V. ,  原 錚 ,  YUAN, ZHENG ,  吳政碩 ,  OH, JANG SEOK ,  法拉 喬瑟夫賈米爾 ,  FARAH, JOSEPH JAMIL ,  王 榮平 ,  WANG, RONGPING

    IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/54 ,  H01L21/677

    CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

    摘要： 本揭示案之實施例通常相關於用於處理半導體基板的叢集工具。在一個實施例中，叢集工具包含：複數個處理腔室，該複數個處理腔室連接至傳輸腔室，且每一處理腔室可同時處理四個或更多個基板。為了減低成本，每一處理腔室包含：一基板支撐以支撐四個或更多個基板、單一噴淋頭，該噴淋頭設置覆於該基板支撐，及電性地耦合至該噴淋頭的單一無線電頻率功率來源。該噴淋頭可包含面對基板支撐的第一表面及相對於第一表面的第二表面。可在噴淋頭中形成複數個氣體通路自第一表面延伸至第二表面。藉由增加自噴淋頭中央至噴淋頭邊緣的氣體通路的密度來改良處理均勻性。

    简体摘要： 本揭示案之实施例通常相关于用于处理半导体基板的集群工具。在一个实施例中，集群工具包含：复数个处理腔室，该复数个处理腔室连接至传输腔室，且每一处理腔室可同时处理四个或更多个基板。为了减低成本，每一处理腔室包含：一基板支撑以支撑四个或更多个基板、单一喷淋头，该喷淋头设置覆于该基板支撑，及电性地耦合至该喷淋头的单一无线电频率功率来源。该喷淋头可包含面对基板支撑的第一表面及相对于第一表面的第二表面。可在喷淋头中形成复数个气体通路自第一表面延伸至第二表面。借由增加自喷淋头中央至喷淋头边缘的气体通路的密度来改良处理均匀性。