公开(公告)号：TW201705458A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW104137570

申请日：2015-11-13

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 李正德 ,  LEE, CHENG TE ,  喻中一 ,  YU, CHUNG YI ,  劉人誠 ,  LIU, JEN CHENG ,  黃冠傑 ,  HUANG, KUAN CHIEH ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/223 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/768 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L25/00 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548

摘要： 本發明之半導體晶圓包括具有第一摻質濃度的底半導體層、設於底半導體層上之中間半導體層，以及設於中間半導體層上之頂半導體層。中間半導體層具有第二摻質濃度，第二摻質濃度大於第一摻質濃度。頂半導體層具有第三摻質濃度，第三摻質濃度係小於第二摻質濃度。底半導體層之側面為半導體晶圓的外表面，且底半導體層、中間半導體層和頂半導體層之側壁係實質對齊。

简体摘要： 本发明之半导体晶圆包括具有第一掺质浓度的底半导体层、设于底半导体层上之中间半导体层，以及设于中间半导体层上之顶半导体层。中间半导体层具有第二掺质浓度，第二掺质浓度大于第一掺质浓度。顶半导体层具有第三掺质浓度，第三掺质浓度系小于第二掺质浓度。底半导体层之侧面为半导体晶圆的外表面，且底半导体层、中间半导体层和顶半导体层之侧壁系实质对齐。

公开(公告)号：TWI556440B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW102111562

申请日：2013-03-29

申请人： 帝人股份有限公司 ,  TEIJIN LIMITED

发明人： 今村哲也 ,  IMAMURA, TETSUYA ,  富澤由香 ,  TOMIZAWA, YUKA ,  池田吉紀 ,  IKEDA, YOSHINORI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L31/042

CPC分类号： H01L21/0257 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TW201617473A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104123014

申请日：2015-07-16

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 拉芙依 艾里恩 ,  LAVOIE, ADRIEN ,  康虎 ,  KANG, HU ,  庫瑪 普魯夏坦 ,  KUMAR, PURUSHOTTAM ,  史旺明內森 珊卡 ,  SWAMINATHAN, SHANKAR ,  錢駿 ,  QIAN, JUN ,  帕斯果 法蘭克L ,  PASQUALE, FRANK L. ,  巴爾達塞羅尼 克洛伊 ,  BALDASSERONI, CHLOE

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262

摘要： 本文中揭露的係在半導體基板上沉積材料薄膜的方法，且該方法應用二次清洗。該等方法包括使一薄膜前驅物流進一處理腔室中，並使該薄膜前驅物吸附於該處理腔室中的一基板之上，使得該前驅物在該基板上形成一吸附限制層。該方法更包括透過使用一次清洗氣體來清洗該處理腔室，俾將至少若干的未吸附的薄膜前驅物，從已吸附的前驅物之周圍容積中移除，並且之後，在使二次清洗氣體流進該處理腔室的同時，使已吸附的薄膜前驅物起反應，造成在該基板上的一薄膜層之形成。該二次清洗氣體包括游離能及/或解離能等於或大於O2 的化學物種。本文中亦揭露的係實施上述方法的設備。

简体摘要： 本文中揭露的系在半导体基板上沉积材料薄膜的方法，且该方法应用二次清洗。该等方法包括使一薄膜前驱物流进一处理腔室中，并使该薄膜前驱物吸附于该处理腔室中的一基板之上，使得该前驱物在该基板上形成一吸附限制层。该方法更包括透过使用一次清洗气体来清洗该处理腔室，俾将至少若干的未吸附的薄膜前驱物，从已吸附的前驱物之周围容积中移除，并且之后，在使二次清洗气体流进该处理腔室的同时，使已吸附的薄膜前驱物起反应，造成在该基板上的一薄膜层之形成。该二次清洗气体包括游离能及/或解离能等于或大于O2 的化学物种。本文中亦揭露的系实施上述方法的设备。

公开(公告)号：TWI530990B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW103137871

申请日：2011-08-03

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 葉祉淵 ,  YE, ZHIYUAN ,  李學斌 ,  LI, XUEBIN ,  喬柏索拉貝 ,  CHOPRA, SAURABH ,  金以寬 ,  KIM, YIHWAN

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI515905B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW102145802

申请日：2013-12-12

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 范學實 ,  FAN, HSUEH SHIH ,  張勝傑 ,  CHANG, SUN JAY ,  胡嘉欣 ,  HU, CHIA HSIN ,  梁銘彰 ,  LIANG, MIN CHANG ,  吳顯揚 ,  WU, SHIEN YANG ,  謝文興 ,  HSIEH, WEN HSING ,  黃靖方 ,  HUANG, CHING FANG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

公开(公告)号：TW201543547A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW104114711

申请日：2015-05-08

申请人： FLOSFIA股份有限公司 ,  FLOSFIA INC.

发明人： 人羅俊實 ,  HITORA, TOSHIMI ,  織田真也 ,  ODA, MASAYA ,  高塚章夫 ,  TAKATSUKA, AKIO

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/22 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26 ,  H01L33/28 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

摘要： 提供一種半導體特性好，特別地，導電性的易控制性好，能夠在縱方向導通，具有良好的電學特性的結晶性層疊結構體。所述層疊結構體在所含主要成分為單軸取向的金屬之金屬層上，直接或介由其他層具備半導體層，並且所述半導體層所含主要成分為結晶性氧化物半導體，所述結晶性氧化物半導體是含有從鎵、銦以及鋁中選擇的一種或兩種以上的金屬的氧化物半導體，並且是單軸取向的。

简体摘要： 提供一种半导体特性好，特别地，导电性的易控制性好，能够在纵方向导通，具有良好的电学特性的结晶性层叠结构体。所述层叠结构体在所含主要成分为单轴取向的金属之金属层上，直接或介由其他层具备半导体层，并且所述半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属的氧化物半导体，并且是单轴取向的。

公开(公告)号：TWI489668B

公开(公告)日：2015-06-21

申请号：TW096134767

申请日：2007-09-17

申请人： 美國加利福尼亞大學董事會 ,  THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

发明人： 史黛西亞 凱勒 ,  KELLER, STACIA ,  伍米希K 米希拉 ,  MISHRA, UMESH K. ,  尼可拉斯A 費奇登伯恩 ,  FICHTENBAUM, NICHOLAS A.

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：TW201432793A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW102147259

申请日：2013-12-19

申请人： 住友電氣工業股份有限公司 ,  SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

发明人： 玄番潤 ,  GENBA, JUN

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02529 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

摘要： 本發明之碳化矽半導體基板之製造方法包括：步驟(S11)，其係準備碳化矽基板；步驟(S12)，其係於碳化矽基板上，使用第1原料氣體形成第1碳化矽半導體層；及步驟(S13)，其係於第1碳化矽半導體層上，使用第2原料氣體形成第2碳化矽半導體層；且於形成第1碳化矽半導體層之步驟(S12)及形成第2碳化矽半導體層之步驟(S13)中，使用氨氣作為摻雜氣體，且使用第1原料氣體中之碳原子數相對於矽原子數之比C/Si為1.6以上且2.2以下之原料氣體。

简体摘要： 本发明之碳化硅半导体基板之制造方法包括：步骤(S11)，其系准备碳化硅基板；步骤(S12)，其系于碳化硅基板上，使用第1原料气体形成第1碳化硅半导体层；及步骤(S13)，其系于第1碳化硅半导体层上，使用第2原料气体形成第2碳化硅半导体层；且于形成第1碳化硅半导体层之步骤(S12)及形成第2碳化硅半导体层之步骤(S13)中，使用氨气作为掺杂气体，且使用第1原料气体中之碳原子数相对于硅原子数之比C/Si为1.6以上且2.2以下之原料气体。

公开(公告)号：TW201428975A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：TW102145802

申请日：2013-12-12

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 范學實 ,  FAN, HSUEH SHIH ,  張勝傑 ,  CHANG, SUN JAY ,  胡嘉欣 ,  HU, CHIA HSIN ,  梁銘彰 ,  LIANG, MIN CHANG ,  吳顯揚 ,  WU, SHIEN YANG ,  謝文興 ,  HSIEH, WEN HSING ,  黃靖方 ,  HUANG, CHING FANG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

摘要： 本發明揭露高效率的FinFET二極體及其形成方法，而解決減少的主動面積造成傳統FinFET二極體品級下降的問題。FinFET二極體具有：摻雜基底；分成彼此隔開的二群實質上平行、等間隔、細長的半導體鰭狀構造；介電層，形成於二群且於鰭狀構造之間用以絕緣；複數個實質上等間隔且平行、細長的閘極構造，垂直橫越二群鰭狀構造；及二群半導體條，分別縱長地形成在二群鰭狀構造上。二群半導體條被摻雜成具有n型、p型的相反的導電形式。FinFET二極體更包含形成於半導體條上的金屬接點。在一實施例中，半導體條可藉由磊晶成長整合於與鰭狀構造一起形成並被就地摻雜。

简体摘要： 本发明揭露高效率的FinFET二极管及其形成方法，而解决减少的主动面积造成传统FinFET二极管品级下降的问题。FinFET二极管具有：掺杂基底；分成彼此隔开的二群实质上平行、等间隔、细长的半导体鳍状构造；介电层，形成于二群且于鳍状构造之间用以绝缘；复数个实质上等间隔且平行、细长的闸极构造，垂直横越二群鳍状构造；及二群半导体条，分别纵长地形成在二群鳍状构造上。二群半导体条被掺杂成具有n型、p型的相反的导电形式。FinFET二极管更包含形成于半导体条上的金属接点。在一实施例中，半导体条可借由磊晶成长集成于与鳍状构造一起形成并被就地掺杂。

公开(公告)号：TW201324818A

公开(公告)日：2013-06-16

申请号：TW101138296

申请日：2012-10-17

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 盛殊然 ,  SHENG, SHURAN ,  張林 ,  ZHANG, LIN ,  袁正 ,  YUAN, ZHENG ,  王榮平 ,  WANG, RONGPING ,  曹永崙 ,  TSO, ALAN

IPC分类号： H01L31/042 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/0257 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32577 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一種在電漿增強化學氣相沉積(PECVD)設備內製造半導體層的方法。該PECVD設備包括界定處理區域之複數個壁；基板支座；遮蔽框架；氣體分配噴灑頭；氣源，該氣源與該氣體分配噴灑頭及該處理區域流體連接；射頻電源，該射頻電源耦接至該氣體分配噴灑頭；以及一或多個VHF接地片，該一或多個VHF接地片電耦接至該複數個壁中之至少一者。該一或多個VHF接地片於該遮蔽框架與該複數個壁中之至少一者之間提供低阻抗電流路徑。該方法進一步包括輸送半導體前驅物氣體與摻雜劑前驅物氣體以及輸送非常高頻(VHF)功率，以產生電漿，而於該一或多個基板上形成第一層。

简体摘要： 一种在等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域之复数个壁；基板支座；屏蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至该复数个壁中之至少一者。该一或多个VHF接地片于该屏蔽框架与该复数个壁中之至少一者之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前驱物气体与掺杂剂前驱物气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子，而于该一或多个基板上形成第一层。