-
公开(公告)号：TWI491757B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW097128157
申请日：2008-07-24
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： 路四清 , LU, SIQING , 錢德思卡恩班納傑 , CHANDRASEKARAN, BALAJI , 吉波愛德華 , GEE, PAUL EDWARD , 茵可尼汀K , INGLE, NITIN K. , 露波默斯基德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 袁正 , YUAN, ZHENG , 葉怡利Y , YIEH, ELLIE Y.
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/4584 , Y10T279/11
-
公开(公告)号：TW201425637A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102140351
申请日：2013-11-06
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： 尤都史凱約瑟夫 , YUDOVSKY, JOSEPH , 慕吉卡海梅特P , MUNGEKAR, HEMANT P. , 寇克斯麥可S , COX, MICHAEL S. , 袁正 , YUAN, ZHENG
IPC: C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/45593
Abstract: 本文提供原子層沉積設備及方法，包括複數個狹長氣體埠及泵埠，該等泵埠與多個導管連通以從處理腔室傳送待冷凝、儲存及/或再循環的氣體。
Abstract in simplified Chinese: 本文提供原子层沉积设备及方法，包括复数个狭长气体端口及泵端口，该等泵端口与多个导管连通以从处理腔室发送待冷凝、存储及/或再循环的气体。
-
公开(公告)号：TWI399453B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW096119407
申请日：2007-05-30
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： 英格爾尼汀K. , INGLE, NITIN K. , 袁正 , YUAN, ZHENG , 吉保爾 , GEE, PAUL , 史派勒凱達 , SAPRE, KEDAR
IPC: C23C16/40 , H01L21/316 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/31612
-
公开(公告)号：TW201324818A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101138296
申请日：2012-10-17
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： 盛殊然 , SHENG, SHURAN , 張林 , ZHANG, LIN , 袁正 , YUAN, ZHENG , 王榮平 , WANG, RONGPING , 曹永崙 , TSO, ALAN
IPC: H01L31/042 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/0257 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32577 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一種在電漿增強化學氣相沉積(PECVD)設備內製造半導體層的方法。該PECVD設備包括界定處理區域之複數個壁；基板支座；遮蔽框架；氣體分配噴灑頭；氣源，該氣源與該氣體分配噴灑頭及該處理區域流體連接；射頻電源，該射頻電源耦接至該氣體分配噴灑頭；以及一或多個VHF接地片，該一或多個VHF接地片電耦接至該複數個壁中之至少一者。該一或多個VHF接地片於該遮蔽框架與該複數個壁中之至少一者之間提供低阻抗電流路徑。該方法進一步包括輸送半導體前驅物氣體與摻雜劑前驅物氣體以及輸送非常高頻(VHF)功率，以產生電漿，而於該一或多個基板上形成第一層。
Abstract in simplified Chinese: 一种在等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域之复数个壁；基板支座；屏蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至该复数个壁中之至少一者。该一或多个VHF接地片于该屏蔽框架与该复数个壁中之至少一者之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前驱物气体与掺杂剂前驱物气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子，而于该一或多个基板上形成第一层。
-
公开(公告)号：TWI389251B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW096146616
申请日：2007-12-06
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： 茵可尼汀K , INGLE, NITIN K. , 唐真 , TANG, JING , 鄭宜 , ZHENG, YI , 袁正 , YUAN, ZHENG , 葛正彬 , GE, ZHENBIN , 呂新良 , LU, XINLIANG , 高建德 , KAO, CHIEN-TEH , 班西亞維卡許 , BANTHIA, VIKASH , 張鎂 , CHANG, MEI , 麥克克林托克威廉H , MCCLINTOCK, WILLIAM H.
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/3105 , H01L21/31116 , H01L21/76232
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201012963A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098118260
申请日：2009-06-02
Applicant: 應用材料股份有限公司
IPC: C23C
CPC classification number: C23C16/5096 , C23C16/45565 , C23C16/45587 , H01J37/3244
Abstract: 本發明大體上包含一種在處理腔室中從氣體分佈噴頭延伸而出的延伸部或裙部。當處理基板時，氣體分佈噴頭可能會受到電偏壓。在某些情況下，受到電偏壓的噴頭會激發處理氣體使其成為電漿態。處理腔室的腔室壁和基座可能相對於噴頭而言是接地的。因此，相較於電偏壓噴頭而言，基板的邊緣可能具有較大的接地接觸表面積。由於靠近邊緣處的接地增加，沉積在基板上的材料可能與基板中間處的材料有不同性質。藉著使噴頭邊緣向下延伸而更靠近基板，可獲得具有實質均勻性質的材料。
Abstract in simplified Chinese: 本发明大体上包含一种在处理腔室中从气体分布喷头延伸而出的延伸部或裙部。当处理基板时，气体分布喷头可能会受到电偏压。在某些情况下，受到电偏压的喷头会激发处理气体使其成为等离子态。处理腔室的腔室壁和基座可能相对于喷头而言是接地的。因此，相较于电偏压喷头而言，基板的边缘可能具有较大的接地接触表面积。由于靠近边缘处的接地增加，沉积在基板上的材料可能与基板中间处的材料有不同性质。借着使喷头边缘向下延伸而更靠近基板，可获得具有实质均匀性质的材料。
-
7.发明专利電漿輔助化學氣相沉積之太陽能薄膜之清潔最佳化 CLEANING OPTIMIZATION OF PECVD SOLAR FILMS 审中-公开等离子辅助化学气相沉积之太阳能薄膜之清洁最优化 CLEANING OPTIMIZATION OF PECVD SOLAR FILMS
公开(公告)号：TW201131802A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099144273
申请日：2010-12-16
Applicant: 應用材料股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1816 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本發明的實施例大體上提供一種用於在基材處理腔室中形成複數個薄膜單接面或多接面太陽能電池的方法。在一個實施例中,用於處理複數個薄膜太陽能電池基材的方法包括以下步驟:於一單一處理腔室中依序沉積一第一未摻雜層與一第一摻雜層在一第一基材之一表面及一腔室部件上;從該處理腔室移除具有該摻雜與未摻雜層的該基材;移除沉積在該腔室部件上的該第二摻雜層,以暴露作為一陳化層的下伏的第一未摻雜層,以供一第二基材在該處理腔室中受到處理;以及於該處理腔室中依序沉積一第二未摻雜層與一第二摻雜層在該第二基材上。在一個範例中,該第一未摻雜層是非晶矽或微晶矽。一全面清潔製程可在期望的間隔執行,以在一正規陳化(seasoning)製程與該後續的沉積於該處理腔室中進行之前,暴露該腔室部件的該等表面。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的实施例大体上提供一种用于在基材处理腔室中形成复数个薄膜单接面或多接面太阳能电池的方法。在一个实施例中,用于处理复数个薄膜太阳能电池基材的方法包括以下步骤:于一单一处理腔室中依序沉积一第一未掺杂层与一第一掺杂层在一第一基材之一表面及一腔室部件上;从该处理腔室移除具有该掺杂与未掺杂层的该基材;移除沉积在该腔室部件上的该第二掺杂层,以暴露作为一陈化层的下伏的第一未掺杂层,以供一第二基材在该处理腔室中受到处理;以及于该处理腔室中依序沉积一第二未掺杂层与一第二掺杂层在该第二基材上。在一个范例中,该第一未掺杂层是非晶硅或微晶硅。一全面清洁制程可在期望的间隔运行,以在一正规陈化(seasoning)制程与该后续的沉积于该处理腔室中进行之前,暴露该腔室部件的该等表面。
-
8.发明专利用以釋放應力推積之沉積方法 DEPOSITION METHODS FOR RELEASING STRESS BUILDUP 审中-公开用以释放应力推积之沉积方法 DEPOSITION METHODS FOR RELEASING STRESS BUILDUP
公开(公告)号：TW201017754A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098122454
申请日：2009-07-02
Applicant: 應用材料股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/76224
Abstract: 在此提出用以釋放半導體基板上具介電材料之特徵結構之應力堆積的沉積方法。特徵結構包括由間隙隔開的接線。方法包括在腔室中形成襯層於半導體基板之特徵結構上。釋放特徵結構上的襯層應力可實質減少特徵結構的接線彎曲。介電膜沉積在應力釋放之襯層上，以實質填充特徵結構的間隙。
Abstract in simplified Chinese: 在此提出用以释放半导体基板上具介电材料之特征结构之应力堆积的沉积方法。特征结构包括由间隙隔开的接线。方法包括在腔室中形成衬层于半导体基板之特征结构上。释放特征结构上的衬层应力可实质减少特征结构的接线弯曲。介电膜沉积在应力释放之衬层上，以实质填充特征结构的间隙。
-
公开(公告)号：TW201009110A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098126974
申请日：2009-08-11
Applicant: 應用材料股份有限公司
IPC: C23C
CPC classification number: C23C16/042 , C23C16/45565 , C23C16/505
Abstract: 本發明大致上關於用於一設備之氣體散佈噴淋頭與遮蔽框。藉由延伸氣體散佈噴淋頭的角落，可以將電極區域相對於陽極擴增，並且因此可以獲得均勻的膜性質。此外，經擴增的氣體散佈噴淋頭的角落可以具有氣體通道延伸穿過其中。在一實施例中，中空陰極凹穴可以存在於噴淋頭的底表面上，而不允許氣體通過其中。設備中的遮蔽框也可以具有其向外延伸的角落區域，以擴增位在正被處理的基材之角落區域中的陽極，並且因此使沉積在基材上的材料具有實質均勻的性質。
Abstract in simplified Chinese: 本发明大致上关于用于一设备之气体散布喷淋头与屏蔽框。借由延伸气体散布喷淋头的角落，可以将电极区域相对于阳极扩增，并且因此可以获得均匀的膜性质。此外，经扩增的气体散布喷淋头的角落可以具有气体信道延伸穿过其中。在一实施例中，中空阴极凹穴可以存在于喷淋头的底表面上，而不允许气体通过其中。设备中的屏蔽框也可以具有其向外延伸的角落区域，以扩增位在正被处理的基材之角落区域中的阳极，并且因此使沉积在基材上的材料具有实质均匀的性质。
-
10.发明专利形成前金屬介電層（ＰＭＤ）之有限熱預算 LIMITED THERMAL BUDGET FORMATION OF PMD LAYERS 失效形成前金属介电层（ＰＭＤ）之有限热预算 LIMITED THERMAL BUDGET FORMATION OF PMD LAYERS
公开(公告)号：TWI373823B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW094101245
申请日：2005-01-14
Applicant: 應用材料股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/45512 , C23C16/45523 , C23C16/52 , H01L21/02129 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31608 , H01L21/31625 , H01L21/76837
Abstract: 茲提供一種填充一間隙(由基材上鄰近凸起特徵所界定)之方法，其包括提供一含矽製程氣體流至一可容納該基材的處理室、提供一氧化製程氣體流至該處理室、以及提供一含磷製程氣體流至該處理室。該方法也包括於該含矽製程氣體、該含磷製程氣體以及該氧化製程氣體間形成一反應來沉積一摻雜P(磷)之矽氧化物薄膜之第一部分，以於該間隙形成一大致共形覆蓋層。沉積該共形覆蓋層包括於沉積共形覆蓋層期間隨著時間改變該(含矽製程氣體加上含磷製程氣體)：(氧化製程氣體)之比例，並將該基材溫度維持在約500℃以下。該方法也包括沉積該摻雜磷之矽氧化物薄膜之第二部分作為塊層(bulk layer)。沉積該薄膜之一第二部分包括在沉積該塊層期間將(含矽製程氣體加上含磷製程氣體)：(氧化製程氣體)之比例大致維持固定，並於沉積該塊層期間將基材溫度維持在約500℃以下。
Abstract in simplified Chinese: 兹提供一种填充一间隙(由基材上邻近凸起特征所界定)之方法，其包括提供一含硅制程气体流至一可容纳该基材的处理室、提供一氧化制程气体流至该处理室、以及提供一含磷制程气体流至该处理室。该方法也包括于该含硅制程气体、该含磷制程气体以及该氧化制程气体间形成一反应来沉积一掺杂P(磷)之硅氧化物薄膜之第一部分，以于该间隙形成一大致共形覆盖层。沉积该共形覆盖层包括于沉积共形覆盖层期间随着时间改变该(含硅制程气体加上含磷制程气体)：(氧化制程气体)之比例，并将该基材温度维持在约500℃以下。该方法也包括沉积该掺杂磷之硅氧化物薄膜之第二部分作为块层(bulk layer)。沉积该薄膜之一第二部分包括在沉积该块层期间将(含硅制程气体加上含磷制程气体)：(氧化制程气体)之比例大致维持固定，并于沉积该块层期间将基材温度维持在约500℃以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.017 seconds)
