公开(公告)号：TW200828474A

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：TW096149165

申请日：2007-12-21

申请人： 新光電氣工業股份有限公司 SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 佐藤仁志 HITOSHI SATO ,  井上英俊 HIDETOSHI INOUE

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明係關於一種半導體裝置之製造方法,該方法包括;a)製備一類型的ASIC晶片;b)製備彼此不同的記憶體晶片;c)製備一共同電路基板;d)製備包括具有記憶體晶片端子及外部連接端子之佈線圖案的基座端子晶片;e)藉由覆晶結合將ASIC晶片安裝於共同電路基板上;f)將基座端子晶片緊固於ASIC晶片上;g)將其中一個記憶體晶片安裝於基座端子晶片上;h)使用第一導線將位於該其中一個記憶體晶片上之端子電連接至記憶體晶片端子;及i)使用第二導線將外部連接端子電連接至位於共同電路基板上之端子。

简体摘要： 本发明系关于一种半导体设备之制造方法,该方法包括;a)制备一类型的ASIC芯片;b)制备彼此不同的内存芯片;c)制备一共同电路基板;d)制备包括具有内存芯片端子及外部连接端子之布线图案的基座端子芯片;e)借由覆晶结合将ASIC芯片安装于共同电路基板上;f)将基座端子芯片紧固于ASIC芯片上;g)将其中一个内存芯片安装于基座端子芯片上;h)使用第一导线将位于该其中一个内存芯片上之端子电连接至内存芯片端子;及i)使用第二导线将外部连接端子电连接至位于共同电路基板上之端子。