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公开(公告)号：TW201919189A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107132240
申请日：2018-09-13
发明人： 郭錫瑜 , KUO, HSI-YU , 李可益 , LEE, KO-YI , 朱又麟 , CHU, YU-LIN
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/56 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/02 , H01L23/52 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/20 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/02373 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/12105 , H01L2224/13026 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2924/141 , H01L2924/1421 , H01L2924/143 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/351
摘要： 一種封裝結構包括至少一個半導體晶片、絕緣包封體及重佈線路結構。半導體晶片具有主動表面及分佈在主動表面上的多個連接墊。絕緣包封體包封半導體晶片。重佈線路結構設置在半導體晶片上且具有至少一個金屬化層，所述至少一個金屬化層具有多個金屬段，其中重佈線路結構透過所述至少一個金屬化層及與所述至少一個金屬化層電連接的多個連接墊電連接到半導體晶片。在半導體晶片的主動表面上的垂直投影中，多個連接墊中任意兩個最鄰近的連接墊之間的第一間隙的投影位置與所述至少一個金屬化層的多個金屬段中任意兩個最鄰近的金屬段之間的第二間隙的投影位置局部地重疊。
简体摘要： 一种封装结构包括至少一个半导体芯片、绝缘包封体及重布线路结构。半导体芯片具有主动表面及分布在主动表面上的多个连接垫。绝缘包封体包封半导体芯片。重布线路结构设置在半导体芯片上且具有至少一个金属化层，所述至少一个金属化层具有多个金属段，其中重布线路结构透过所述至少一个金属化层及与所述至少一个金属化层电连接的多个连接垫电连接到半导体芯片。在半导体芯片的主动表面上的垂直投影中，多个连接垫中任意两个最邻近的连接垫之间的第一间隙的投影位置与所述至少一个金属化层的多个金属段中任意两个最邻近的金属段之间的第二间隙的投影位置局部地重叠。
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公开(公告)号：TW201737439A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106100429
申请日：2017-01-06
申请人： 艾馬克科技公司 , AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人： 李瓊延 , LEE, KYOUNG YEON , 李泰勇 , LEE, TAE YONG , 新閔哲 , SHIN, MIN CHUL , 歐瑟門 , OH, SE MAN
CPC分类号： H01L23/5384 , H01L23/15 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/48227 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 本發明提供一種半導體封裝及其製造方法以用於確保安裝半導體裝置的空間，方法是蝕刻臨時金屬板以形成多個導電柱。
简体摘要： 本发明提供一种半导体封装及其制造方法以用于确保安装半导体设备的空间，方法是蚀刻临时金属板以形成多个导电柱。
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公开(公告)号：TWI602269B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW105118189
申请日：2016-06-08
发明人： 陳裕緯 , CHEN, YU WEI , 王啓安 , WANG, CHI AN , 徐宏欣 , HSU, HUNG HSIN
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/488 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L23/04 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/15331 , H01L2924/1811 , H01L2924/18161 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201735318A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138636
申请日：2016-11-24
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 丁志成 , DING, ZHICHENG , 劉賓 , LIU, BIN
IPC分类号： H01L25/16
CPC分类号： H01L25/16 , H01L22/14 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/19103 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2924/00
摘要： 一系統級封裝及用於製造系統級封裝之方法。多個被動裝置耦合至中介件。一模塑化合物包封該等多個被動裝置及界定具有實質上平面表面的一平台。該中介件係耦合至一基體。多個積體電路晶粒於一堆疊中耦合至該平面表面。
简体摘要： 一系统级封装及用于制造系统级封装之方法。多个被动设备耦合至中介件。一模塑化合物包封该等多个被动设备及界定具有实质上平面表面的一平台。该中介件系耦合至一基体。多个集成电路晶粒于一堆栈中耦合至该平面表面。
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5.发明专利R鏈結-用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽技術 审中-公开R链结-用于封装设备的数据信号接点之接地屏蔽附接结构及阴影孔洞；封装设备的垂直数据信号互连件之垂直接地屏蔽结构及屏蔽栅栏；以及用于封装设备的光电模块连接器数据信号接点及接点针脚之接地屏蔽技术
公开(公告)号：TW201735298A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138629
申请日：2016-11-24
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 錢治國 , QIAN, ZHIGUO , 梅康寧 衣德尼卡喬 S. , MEKONNEN, YIDNEKACHEW S. , 摩塔吉恩 格雷戈里歐 R. , MURTAGIAN, GREGORIO R. , 葛尼森 桑卡 , GANESAN, SANKA , 萊曼 愛德華 , ROYTMAN, EDUARD , 莫里斯 傑夫 C. , MORRISS, JEFF C. , 艾根 肯麥爾 , AYGUN, KEMAL , 張宇 , ZHANG, YU AMOS
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/065
CPC分类号： H01L23/48 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L23/552 , H01L25/0655 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2924/14 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 一垂直接地隔離封裝裝置可包括(1)用於封裝裝置的資料訊號接點之接地屏蔽附接結構及陰影孔洞；(2)封裝裝置的垂直資料訊號互連件之垂直接地屏蔽結構及屏蔽柵欄；以及(3)用於封裝裝置的光電模組連接器資料訊號接點及接點針腳之接地屏蔽。此等減少了資料訊號接點、附接結構及垂直「訊號」互連件間之串擾。該等接地屏蔽附接結構可包括焊料凸塊及/或表面接點之圖案。該陰影孔洞可環繞接地平面中之孔洞且比資料訊號焊料凸塊更大。該等垂直接地屏蔽結構可包括垂直資料訊號互連件間之接地屏蔽互連件之圖案。該屏蔽柵欄可包括接地經鍍覆的貫穿孔(PTH)及微通孔(uVia)之圖案。用於該電光模組之該接地屏蔽可包括接地隔離屏蔽附接及接點之圖案。
简体摘要： 一垂直接地隔离封装设备可包括(1)用于封装设备的数据信号接点之接地屏蔽附接结构及阴影孔洞；(2)封装设备的垂直数据信号互连件之垂直接地屏蔽结构及屏蔽栅栏；以及(3)用于封装设备的光电模块连接器数据信号接点及接点针脚之接地屏蔽。此等减少了数据信号接点、附接结构及垂直“信号”互连件间之串扰。该等接地屏蔽附接结构可包括焊料凸块及/或表面接点之图案。该阴影孔洞可环绕接地平面中之孔洞且比数据信号焊料凸块更大。该等垂直接地屏蔽结构可包括垂直数据信号互连件间之接地屏蔽互连件之图案。该屏蔽栅栏可包括接地经镀覆的贯穿孔(PTH)及微通孔(uVia)之图案。用于该电光模块之该接地屏蔽可包括接地隔离屏蔽附接及接点之图案。
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公开(公告)号：TW201724384A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105124749
申请日：2016-08-04
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 邁耶斯 約翰 G. , MEYERS, JOHN G. , 卡拉夫 比萊爾 , KHALAF, BILAL , 戈治奈尼 席里夏 , GOGINENI, SIREESHA , 龍 布萊恩 J. , LONG, BRIAN J.
CPC分类号： H01L23/585 , H01L21/52 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/13 , H01L23/3121 , H01L23/49816 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2223/6677 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06572 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/1433 , H01L2924/1436 , H01L2924/15162 , H01L2924/15192 , H01L2924/1531 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15333 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要： 便於與一封裝式裝置之一或多個積體電路(IC)晶粒連接之技術和機制。在一實施例中，該封裝式裝置包含有耦接到一封裝之一第一側面的一第一基板，及耦接到該封裝之一第二側面的一第二基板，其對面於該第一側面。電路，經由該第一基板被耦接到設置在該封裝中之一或多個IC晶粒，包括設置在該第一基板之一懸臂部分處的一電路結構。該懸臂部分延伸經過該第一側面之一邊緣及該第二側面之一邊緣的一者或兩者。在另一個實施例中，設置在該第二基板上的一硬體介面使得可把該封裝式裝置耦接到另一個裝置。
简体摘要： 便于与一封装式设备之一或多个集成电路(IC)晶粒连接之技术和机制。在一实施例中，该封装式设备包含有耦接到一封装之一第一侧面的一第一基板，及耦接到该封装之一第二侧面的一第二基板，其对面于该第一侧面。电路，经由该第一基板被耦接到设置在该封装中之一或多个IC晶粒，包括设置在该第一基板之一悬臂部分处的一电路结构。该悬臂部分延伸经过该第一侧面之一边缘及该第二侧面之一边缘的一者或两者。在另一个实施例中，设置在该第二基板上的一硬件界面使得可把该封装式设备耦接到另一个设备。
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公开(公告)号：TWI587495B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104122556
申请日：2015-07-13
申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 藍伯特 威廉 , LAMBERT, WILLIAM J. , 希爾 麥可 , HILL, MICHAEL J. , 瑞達克里斯能 喀拉達 , RADHAKRISHNAN, KALADHAR
IPC分类号： H01L27/22 , H01L25/065 , H01L23/528 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC分类号： H01G4/38 , H01G4/30 , H01L21/4846 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L23/5227 , H01L23/5389 , H01L23/64 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L28/10 , H01L28/40 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H05K1/185 , H05K3/007 , H05K2201/1003 , H01L2924/014
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公开(公告)号：TW201712822A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105113424
申请日：2016-04-29
申请人： 愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人： 申熙珉 , SHIN, HEE MIN , 金美英 , KIM, MI YOUNG
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49572 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5387 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L41/0475 , H01L51/0097 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/1441 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399
摘要： 一種半導體封裝包括：第一半導體封裝；第二半導體封裝，所述第二半導體封裝設置在所述第一半導體封裝上；以及撓性翼互連基板，所述撓性翼互連基板設置在所述第一半導體封裝和所述第二半導體封裝之間。
简体摘要： 一种半导体封装包括：第一半导体封装；第二半导体封装，所述第二半导体封装设置在所述第一半导体封装上；以及挠性翼互连基板，所述挠性翼互连基板设置在所述第一半导体封装和所述第二半导体封装之间。
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公开(公告)号：TWI573243B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105127121
申请日：2009-07-29
发明人： 佐藤幸弘 , SATO, YUKIHIRO , 宇野友彰 , UNO, TOMOAKI
IPC分类号： H01L25/04 , H01L25/18 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L23/492 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/91 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/49111 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/85439 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12044 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M7/003 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TW201707163A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105123739
申请日：2016-07-27
申请人： 先科公司 , SEMTECH CORPORATION
发明人： 侯 客坤 , HO, KOK KHOON , 奇努薩米 沙亞莫希 , CHINNUSAMY, SATYAMOORTHI
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/4882 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/367 , H01L23/3675 , H01L23/433 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L23/552 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/6677 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05575 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/13013 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16113 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/1713 , H01L2224/17181 , H01L2224/32245 , H01L2224/73253 , H01L2224/80 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06537 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10322 , H01L2924/10324 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10335 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/3025 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/81
摘要： 半導體裝置具有第一基板。傳導層被形成在第一基板上方。第一空腔被形成以穿過第一基板並且延伸至傳導層。包括多個第一互連結構的第一半導體晶粒被設置在第一空腔中。第二基板被設置於第一基板上方。第二空腔被形成以穿過第二基板。包括多個第二互連結構的第二半導體晶粒被設置在第二空腔中。離散裝置或第三半導體晶粒被設置於第二半導體晶粒上方。多個第三互連結構被形成在第二基板和離散裝置或第三半導體晶粒之間。第一、第二和第三互連結構被同時迴焊。囊封物被沉積於第一半導體晶粒、第二半導體晶粒和離散裝置或第三半導體晶粒上方和周圍。
简体摘要： 半导体设备具有第一基板。传导层被形成在第一基板上方。第一空腔被形成以穿过第一基板并且延伸至传导层。包括多个第一互链接构的第一半导体晶粒被设置在第一空腔中。第二基板被设置于第一基板上方。第二空腔被形成以穿过第二基板。包括多个第二互链接构的第二半导体晶粒被设置在第二空腔中。离散设备或第三半导体晶粒被设置于第二半导体晶粒上方。多个第三互链接构被形成在第二基板和离散设备或第三半导体晶粒之间。第一、第二和第三互链接构被同时回焊。囊封物被沉积于第一半导体晶粒、第二半导体晶粒和离散设备或第三半导体晶粒上方和周围。
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