公开(公告)号：TW201834084A

公开(公告)日：2018-09-16

申请号：TW106139939

申请日：2017-11-17

Applicant: 新加坡商星科金朋有限公司 ,  STATS CHIPPAC PTE. LTD.

Inventor： 梁悳景 ,  YANG, DEOKKYUNG ,  白蕓在 ,  BEAK, WOONJAE ,  朴利洙 ,  PARK, YISU ,  金五漢 ,  KIM, OHHAN ,  李勳擇 ,  LEE, HUNTEAK ,  李喜秀 ,  LEE, HEESOO

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552

Abstract: 一種半導體裝置係具有一基板，其中一第一開口以及第二開口係在該基板中加以形成。一第一半導體構件係被設置在該基板上。該基板係被設置在一載體上。一第二半導體構件係被設置在該基板的該第一開口中的該載體上。一第三半導體構件係被設置在該第二開口中。在某些實施例中，該第三半導體構件是一半導體封裝。一第一屏蔽層可被形成在該半導體封裝之上。一密封劑係被沉積在該基板、第一半導體構件、以及第二半導體構件之上。一屏蔽層可被形成在該密封劑之上。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备系具有一基板，其中一第一开口以及第二开口系在该基板中加以形成。一第一半导体构件系被设置在该基板上。该基板系被设置在一载体上。一第二半导体构件系被设置在该基板的该第一开口中的该载体上。一第三半导体构件系被设置在该第二开口中。在某些实施例中，该第三半导体构件是一半导体封装。一第一屏蔽层可被形成在该半导体封装之上。一密封剂系被沉积在该基板、第一半导体构件、以及第二半导体构件之上。一屏蔽层可被形成在该密封剂之上。

公开(公告)号：TW201903906A

公开(公告)日：2019-01-16

申请号：TW107102719

申请日：2018-01-25

Applicant: 新加坡商星科金朋有限公司 ,  STATS CHIPPAC PTE. LTD.

Inventor： 梁悳景 ,  YANG, DEOKKYUNG ,  金用敏 ,  KIM, YONGMIN ,  崔宰赫 ,  CHOI, JAEHYUK ,  高麗贊 ,  KO, YEOCHAN ,  李喜秀 ,  LEE, HEESOO

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/66 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/552 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10

Abstract: 一種半導體裝置係包含一基板，其係具有一穿過該基板而被形成的開口。一第一電子構件係被設置在該第一開口的一覆蓋區之外的該基板之上。一第二電子構件係相對該第一電性構件地被設置在該基板之上。一第三電子構件係相鄰該第一電子構件地被設置在該基板之上。該基板係被設置在一模具中，其係包含該模具的一在該基板的一第一側邊之上的第二開口。該模具係接觸在該第一電子構件以及該第三電子構件之間的該基板。一密封劑係沉積到該第二開口中。該密封劑係流動通過該第一開口，以覆蓋該基板的一第二側邊。在某些實施例中，一模具膜係被設置在該模具中，並且一在該基板上的互連結構係被嵌入在該模具膜中。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备系包含一基板，其系具有一穿过该基板而被形成的开口。一第一电子构件系被设置在该第一开口的一覆盖区之外的该基板之上。一第二电子构件系相对该第一电性构件地被设置在该基板之上。一第三电子构件系相邻该第一电子构件地被设置在该基板之上。该基板系被设置在一模具中，其系包含该模具的一在该基板的一第一侧边之上的第二开口。该模具系接触在该第一电子构件以及该第三电子构件之间的该基板。一密封剂系沉积到该第二开口中。该密封剂系流动通过该第一开口，以覆盖该基板的一第二侧边。在某些实施例中，一模具膜系被设置在该模具中，并且一在该基板上的互链接构系被嵌入在该模具膜中。

公开(公告)号：TW201709450A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105121201

申请日：2016-07-05

Applicant: 星科金朋有限公司 ,  STATS CHIPPAC PTE. LTD.

Inventor： 朴壽山 ,  PARK, SOOSAN ,  金奎相 ,  KIM, KYUSANG ,  高麗贊 ,  KO, YEOCHAN ,  李巨昌 ,  LEE, KEOCHANG ,  池熺朝 ,  CHI, HEEJO ,  李喜秀 ,  LEE, HEESOO

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49833 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4828 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一種製造積體電路封裝系統之方法及系統，包括：基底基板，該基底基板包含基底端；在該基底基板上的積體電路裝置；在該基底端上的底部導電接頭；在該底部導電接頭上的導電球，該導電球包含芯體；以及在該導電球上的中介層。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造集成电路封装系统之方法及系统，包括：基底基板，该基底基板包含基底端；在该基底基板上的集成电路设备；在该基底端上的底部导电接头；在该底部导电接头上的导电球，该导电球包含芯体；以及在该导电球上的中介层。