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公开(公告)号：TWI632397B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW106104111
申请日：2012-07-12
发明人： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 原田光 , HARADA, HIKARU , 兼安誠 , KANEYASU, MAKOTO
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公开(公告)号：TW201307900A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101125092
申请日：2012-07-12
发明人： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 原田光 , HARADA, HIKARU , 兼安誠 , KANEYASU, MAKOTO
CPC分类号： G09G3/003 , G09G2300/023 , G09G2320/0209 , H04N13/31
摘要： 本發明的一個實施例的課題之一是抑制串擾的發生。一種顯示裝置，包括：像素部，該像素部具有第一顯示區域、第二顯示區域及非發光區域，並且非發光區域設置在第一顯示區域和第二顯示區域之間；以及視差屏障，該視差屏障具有第一光控制區域、第二光控制區域及透光區域，第一光控制區域與第一顯示區域重疊，第二光控制區域與第二顯示區域重疊，透光區域設置在第一光控制區域和第二光控制區域之間，並且透光區域的寬度的中央與非發光區域重疊。
简体摘要： 本发明的一个实施例的课题之一是抑制串扰的发生。一种显示设备，包括：像素部，该像素部具有第一显示区域、第二显示区域及非发光区域，并且非发光区域设置在第一显示区域和第二显示区域之间；以及视差屏障，该视差屏障具有第一光控制区域、第二光控制区域及透光区域，第一光控制区域与第一显示区域重叠，第二光控制区域与第二显示区域重叠，透光区域设置在第一光控制区域和第二光控制区域之间，并且透光区域的宽度的中央与非发光区域重叠。
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公开(公告)号：TW201732376A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106104111
申请日：2012-07-12
发明人： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 原田光 , HARADA, HIKARU , 兼安誠 , KANEYASU, MAKOTO
CPC分类号： G09G3/003 , G09G2300/023 , G09G2320/0209 , H04N13/31
摘要： 本發明的一個實施例的課題之一是抑制串擾的發生。一種顯示裝置，包括：像素部，該像素部具有第一顯示區域、第二顯示區域及非發光區域，並且非發光區域設置在第一顯示區域和第二顯示區域之間；以及視差屏障，該視差屏障具有第一光控制區域、第二光控制區域及透光區域，第一光控制區域與第一顯示區域重疊，第二光控制區域與第二顯示區域重疊，透光區域設置在第一光控制區域和第二光控制區域之間，並且透光區域的寬度的中央與非發光區域重疊。
简体摘要： 本发明的一个实施例的课题之一是抑制串扰的发生。一种显示设备，包括：像素部，该像素部具有第一显示区域、第二显示区域及非发光区域，并且非发光区域设置在第一显示区域和第二显示区域之间；以及视差屏障，该视差屏障具有第一光控制区域、第二光控制区域及透光区域，第一光控制区域与第一显示区域重叠，第二光控制区域与第二显示区域重叠，透光区域设置在第一光控制区域和第二光控制区域之间，并且透光区域的宽度的中央与非发光区域重叠。
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公开(公告)号：TW201719818A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105136470
申请日：2010-10-19
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 渡邊一德 , WATANABE, KAZUNORI , 原田光 , HARADA, HIKARU
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： H01L29/7869 , G06F15/76 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1112 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L28/60 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78696
摘要： 目的為提供一種具有記憶體元件之記憶體裝置，其可被操作而未有具有低截止狀態電流之薄膜電晶體之問題。提供一包括氧化物半導體層之記憶體裝置，其中記憶體元件包括至少一薄膜電晶體，其被以矩陣排列。包括氧化物半導體層之薄膜電晶體具有高場效遷移率與低截止狀態電流，因此可沒有問題地有利地操作。此外，功率消耗被降低。此類記憶體裝置於包括氧化物半導體層之薄膜電晶體係設置於顯示裝置像素中的情形下特別有效，因為該記憶體裝置及該像素可被形成於一基板上。
简体摘要： 目的为提供一种具有内存组件之内存设备，其可被操作而未有具有低截止状态电流之薄膜晶体管之问题。提供一包括氧化物半导体层之内存设备，其中内存组件包括至少一薄膜晶体管，其被以矩阵排列。包括氧化物半导体层之薄膜晶体管具有高场效迁移率与低截止状态电流，因此可没有问题地有利地操作。此外，功率消耗被降低。此类内存设备于包括氧化物半导体层之薄膜晶体管系设置于显示设备像素中的情形下特别有效，因为该内存设备及该像素可被形成于一基板上。
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公开(公告)号：TWI628749B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105136470
申请日：2010-10-19
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 渡邊一德 , WATANABE, KAZUNORI , 原田光 , HARADA, HIKARU
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105
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公开(公告)号：TWI582467B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW101125092
申请日：2012-07-12
发明人： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 原田光 , HARADA, HIKARU , 兼安誠 , KANEYASU, MAKOTO
CPC分类号： G09G3/003 , G09G2300/023 , G09G2320/0209 , H04N13/31
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公开(公告)号：TWI603435B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW101117372
申请日：2010-10-19
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 渡邊一德 , WATANABE, KAZUNORI , 原田光 , HARADA, HIKARU
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： H01L29/7869 , G06F15/76 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1112 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L28/60 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TWI570845B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW099135596
申请日：2010-10-19
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI , 豐高耕平 , TOYOTAKA, KOUHEI , 渡邊一德 , WATANABE, KAZUNORI , 原田光 , HARADA, HIKARU
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： H01L29/7869 , G06F15/76 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1112 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L28/60 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78696
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