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    半導體裝置及半導體裝置的製造方法
    5.
    发明专利
    半導體裝置及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW202027279A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108143098

    申请日：2019-11-27

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  村川努 ,  MURAKAWA, TSUTOMU ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

    摘要： 提供一種具有良好電特性的半導體裝置。一種半導體裝置包括第一絕緣體、第一絕緣體上的第二絕緣體、第二絕緣體上的第三絕緣體、第三絕緣體上的第四絕緣體及第一導電體、第四絕緣體上及第一導電體上的第五絕緣體、第五絕緣體上的第一氧化物、第一氧化物上的第二導電體及第三導電體、第一氧化物上的位於第二導電體與第三導電體間的第二氧化物、第二氧化物上的第六絕緣體以及第六絕緣體上的第四導電體。其中，第二絕緣體的氫濃度低於第一絕緣體的氫濃度，第三絕緣體的氫濃度低於第二絕緣體的氫濃度。

    简体摘要： 提供一种具有良好电特性的半导体设备。一种半导体设备包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体及第一导电体、第四绝缘体上及第一导电体上的第五绝缘体、第五绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二导电体及第三导电体、第一氧化物上的位于第二导电体与第三导电体间的第二氧化物、第二氧化物上的第六绝缘体以及第六绝缘体上的第四导电体。其中，第二绝缘体的氢浓度低于第一绝缘体的氢浓度，第三绝缘体的氢浓度低于第二绝缘体的氢浓度。

    半導體裝置
    7.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW202030876A

    公开(公告)日：2020-08-16

    申请号：TW109111505

    申请日：2014-05-16

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI

    IPC分类号： H01L27/14

    摘要： 本發明提供一種具有能夠抑制微型化所導致的電特性下降的半導體裝置。該半導體裝置包括：絕緣表面上的依次形成有第一氧化物半導體層及第二氧化物半導體層的疊層；以及以覆蓋該疊層的表面的一部分的方式形成的第三氧化物半導體層，第三氧化物半導體層包括與疊層接觸的第一層以及該第一層上的第二層，第一層由微晶層形成，第二層由c軸朝向垂直於第一層的表面的方向的結晶層形成。

    简体摘要： 本发明提供一种具有能够抑制微型化所导致的电特性下降的半导体设备。该半导体设备包括：绝缘表面上的依次形成有第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层的叠层；以及以覆盖该叠层的表面的一部分的方式形成的第三氧化物半导体层，第三氧化物半导体层包括与叠层接触的第一层以及该第一层上的第二层，第一层由微晶层形成，第二层由c轴朝向垂直于第一层的表面的方向的结晶层形成。

    半導體裝置和製造半導體裝置的方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置和製造半導體裝置的方法 审中-公开
    半导体设备和制造半导体设备的方法

    公开(公告)号：TW201921692A

    公开(公告)日：2019-06-01

    申请号：TW107131445

    申请日：2013-12-23

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI,SHUNPEI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA,HIDEOMI ,  田中哲弘 ,  TANAKA,TETSUHIRO ,  渡邊裕一 ,  WATANABE,HIROKAZU ,  佐藤裕平 ,  SATO,YUHEI ,  山根靖正 ,  YAMANE,YASUMASA ,  松林大介 ,  MATSUBAYASHI,DAISUKE

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

    摘要： 提供了一種具有在氧化物半導體的通道形成區域中的氧空位減少的量的一種半導體裝置。另外，提供了一種包括氧化物半導體並具有改進的電特性的半導體裝置。此外，提供了一種半導體裝置的製造方法。形成氧化物半導體膜；在形成氧化物半導體膜和導電膜之間的低電阻區域的同時在氧化物半導體膜上形成導電膜；處理導電膜以形成源極電極和汲極電極；以及添加氧氣到源極電極和汲極電極之間的低電阻區域，使得形成具有比低電阻區域較高的電阻的通道形成區域以及形成第一低電阻區域和第二低電阻區域，其中通道形成區域定位在第一低電阻區域和第二低電阻區域之間。

    简体摘要： 提供了一种具有在氧化物半导体的信道形成区域中的氧空位减少的量的一种半导体设备。另外，提供了一种包括氧化物半导体并具有改进的电特性的半导体设备。此外，提供了一种半导体设备的制造方法。形成氧化物半导体膜；在形成氧化物半导体膜和导电膜之间的低电阻区域的同时在氧化物半导体膜上形成导电膜；处理导电膜以形成源极电极和汲极电极；以及添加氧气到源极电极和汲极电极之间的低电阻区域，使得形成具有比低电阻区域较高的电阻的信道形成区域以及形成第一低电阻区域和第二低电阻区域，其中信道形成区域定位在第一低电阻区域和第二低电阻区域之间。