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    攝像裝置
    2.
    发明专利
    攝像裝置 审中-公开
    摄像设备

    公开(公告)号：TW202015229A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：TW108128053

    申请日：2015-04-16

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  黒川義元 ,  KUROKAWA, YOSHIYUKI

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本發明的目的是提供一種拍攝品質高且可以以低成本製造的攝像裝置。該攝像裝置包括：包括第一電晶體及第二電晶體的第一電路；以及包括第二電晶體及光電二極體的第二電路，其中第一電晶體設置在矽基板的第一面，第二電晶體隔著第一絕緣層設置在矽基板的第一面上，矽基板包括第二絕緣層，第二絕緣層設置為圍繞光電二極體的側面，第一電晶體為在矽基板中包含活性區域的p通道型電晶體，第二電晶體為將氧化物半導體層用作活性層的n通道型電晶體，光電二極體的受光面設置在矽基板的與第一面對置的面。

    简体摘要： 本发明的目的是提供一种拍摄品质高且可以以低成本制造的摄像设备。该摄像设备包括：包括第一晶体管及第二晶体管的第一电路；以及包括第二晶体管及光电二极管的第二电路，其中第一晶体管设置在硅基板的第一面，第二晶体管隔着第一绝缘层设置在硅基板的第一面上，硅基板包括第二绝缘层，第二绝缘层设置为围绕光电二极管的侧面，第一晶体管为在硅基板中包含活性区域的p信道型晶体管，第二晶体管为将氧化物半导体层用作活性层的n信道型晶体管，光电二极管的受光面设置在硅基板的与第一面对置的面。

    發光裝置及其製造方法
    4.
    发明专利
    發光裝置及其製造方法 审中-公开
    发光设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW202004922A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108120329

    申请日：2010-09-01

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  丸山穗高 ,  MARUYAMA, HOTAKA

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32

    摘要： 目的係為了提高發光裝置的可靠性。發光裝置在一基板上具有：驅動器電路部，其包括用於驅動器電路之電晶體；及像素部，其包括用於像素之電晶體。用於該驅動器電路之該電晶體和用於該像素之該電晶體為反向交錯式電晶體，其各個包括與氧化物絕緣層的一部分接觸之氧化物半導體層。在該像素部中，濾色器層和發光元件係設置在該氧化物絕緣層上。在用於該驅動器電路的該電晶體中，與閘極電極層和該氧化物半導體層重疊之導電層係設置在該氧化物絕緣層上。該閘極電極層、源極電極層、和汲極電極層係使用金屬導電膜所形成。

    简体摘要： 目的系为了提高发光设备的可靠性。发光设备在一基板上具有：驱动器电路部，其包括用于驱动器电路之晶体管；及像素部，其包括用于像素之晶体管。用于该驱动器电路之该晶体管和用于该像素之该晶体管为反向交错式晶体管，其各个包括与氧化物绝缘层的一部分接触之氧化物半导体层。在该像素部中，滤色器层和发光组件系设置在该氧化物绝缘层上。在用于该驱动器电路的该晶体管中，与闸极电极层和该氧化物半导体层重叠之导电层系设置在该氧化物绝缘层上。该闸极电极层、源极电极层、和汲极电极层系使用金属导电膜所形成。

    半導體裝置
    6.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW202030876A

    公开(公告)日：2020-08-16

    申请号：TW109111505

    申请日：2014-05-16

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  須澤英臣 ,  SUZAWA, HIDEOMI

    IPC分类号： H01L27/14

    摘要： 本發明提供一種具有能夠抑制微型化所導致的電特性下降的半導體裝置。該半導體裝置包括：絕緣表面上的依次形成有第一氧化物半導體層及第二氧化物半導體層的疊層；以及以覆蓋該疊層的表面的一部分的方式形成的第三氧化物半導體層，第三氧化物半導體層包括與疊層接觸的第一層以及該第一層上的第二層，第一層由微晶層形成，第二層由c軸朝向垂直於第一層的表面的方向的結晶層形成。

    简体摘要： 本发明提供一种具有能够抑制微型化所导致的电特性下降的半导体设备。该半导体设备包括：绝缘表面上的依次形成有第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层的叠层；以及以覆盖该叠层的表面的一部分的方式形成的第三氧化物半导体层，第三氧化物半导体层包括与叠层接触的第一层以及该第一层上的第二层，第一层由微晶层形成，第二层由c轴朝向垂直于第一层的表面的方向的结晶层形成。

    電晶體和半導體裝置
    8.
    发明专利
    電晶體和半導體裝置 审中-公开
    晶体管和半导体设备

    公开(公告)号：TW201921695A

    公开(公告)日：2019-06-01

    申请号：TW107141201

    申请日：2015-03-18

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI,SHUNPEI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA,MASAYUKI

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/41

    摘要： 本發明提供一種寄生電容小的電晶體。提供一種頻率特性高的電晶體。提供一種包括該電晶體的半導體裝置。本發明的一個實施方式是一種電晶體，包括：氧化物半導體、第一導電體、第二導電體、第三導電體、第一絕緣體、以及第二絕緣體，其中，第一導電體包括第一導電體與氧化物半導體隔著第一絕緣體相互重疊的第一區域；第一導電體與第二導電體隔著第一絕緣體及第二絕緣體相互重疊的第二區域；第一導電體與第三導電體隔著第一絕緣體及第二絕緣體相互重疊的第三區域。氧化物半導體包括該氧化物半導體與第二導電體接觸的第四區域；以及該氧化物半導體與第三導電體接觸的第五區域。

    简体摘要： 本发明提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体设备。本发明的一个实施方式是一种晶体管，包括：氧化物半导体、第一导电体、第二导电体、第三导电体、第一绝缘体、以及第二绝缘体，其中，第一导电体包括第一导电体与氧化物半导体隔着第一绝缘体相互重叠的第一区域；第一导电体与第二导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的第二区域；第一导电体与第三导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的第三区域。氧化物半导体包括该氧化物半导体与第二导电体接触的第四区域；以及该氧化物半导体与第三导电体接触的第五区域。

    半導體裝置
    9.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201842591A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW107127134

    申请日：2012-10-04

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  後藤裕吾 ,  GOTO, YUUGO ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  黑崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L23/60 ,  H01L27/088 ,  H01L29/772

    摘要： 本發明的一個方式提供一種能夠防止靜電破壞所引起的良率的降低的半導體裝置，其中，對掃描線供應用來選擇多個像素的信號的掃描線驅動電路包括生成上述信號的移位暫存器，並且，在上述移位暫存器中將用作多個電晶體的閘極電極的一個導電膜分割為多個，由形成在與上述被分割的導電膜不同的層中的導電膜使上述被分割的導電膜彼此電連接。上述多個電晶體包括移位暫存器的輸出一側的電晶體。

    简体摘要： 本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的良率的降低的半导体设备，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的闸极电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。