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    顯示裝置和其製造方法
    5.
    发明专利
    顯示裝置和其製造方法 审中-公开
    显示设备和其制造方法

    公开(公告)号：TW201843743A

    公开(公告)日：2018-12-16

    申请号：TW107128851

    申请日：2010-08-26

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  及川欣聰 ,  OIKAWA, YOSHIAKI

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/324

    摘要： 本發明提供一種顯示特性優越的顯示裝置，其中使用根據其電路特徵的不同結構的電晶體分別形成同一基板上的像素電路及驅動電路。在該驅動電路部中，包括閘極電極層、源極電極層及汲極電極層由金屬膜構成，且通道層由氧化物半導體構成的驅動電路用電晶體。此外，在該像素部中，包括閘極電極層、源極電極層及汲極電極層由氧化物導電體構成，且半導體層由氧化物半導體構成的像素用電晶體。該像素用電晶體由具有透光性的材料形成，並製造高孔徑比的顯示裝置。

    简体摘要： 本发明提供一种显示特性优越的显示设备，其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一基板上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中，包括闸极电极层、源极电极层及汲极电极层由金属膜构成，且信道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外，在该像素部中，包括闸极电极层、源极电极层及汲极电极层由氧化物导电体构成，且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成，并制造高孔径比的显示设备。

    顯示裝置及電子裝置
    6.
    发明专利
    顯示裝置及電子裝置 审中-公开
    显示设备及电子设备

    公开(公告)号：TW201830365A

    公开(公告)日：2018-08-16

    申请号：TW107110103

    申请日：2010-09-02

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 木村肇 ,  KIMURA, HAJIME ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI

    IPC分类号： G09G3/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

    摘要： 本發明提供一種包含具有記憶體的像素的顯示裝置。在像素中至少設置顯示元件、電容器、反相器以及開關。藉由使用保持在電容器中的信號和從反相器輸出的信號來控制開關，以便向顯示元件供應電壓。可以使用具有相同極性的電晶體來構成反相器以及開關。另外，也可以使用具有透光性的材料來形成構成像素的半導體層。另外，也可以使用具有透光性的導電層來形成閘極電極、汲極電極以及電容器電極。如上所述，藉由使用透光材料來形成像素，可以製造透射型顯示裝置，而同時該顯示裝置具有配置有記憶體的像素。

    简体摘要： 本发明提供一种包含具有内存的像素的显示设备。在像素中至少设置显示组件、电容器、反相器以及开关。借由使用保持在电容器中的信号和从反相器输出的信号来控制开关，以便向显示组件供应电压。可以使用具有相同极性的晶体管来构成反相器以及开关。另外，也可以使用具有透光性的材料来形成构成像素的半导体层。另外，也可以使用具有透光性的导电层来形成闸极电极、汲极电极以及电容器电极。如上所述，借由使用透光材料来形成像素，可以制造透射型显示设备，而同时该显示设备具有配置有内存的像素。